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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動技術(shù)解析
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu),直流電不能通過,因而低頻的表態(tài)驅(qū)動功率接近于零。但是柵極和源極之...
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
2019-07-02 標簽:電力電子器件IGBT功率半導(dǎo)體器件 1.4萬 0
IGBT基本結(jié)構(gòu)和原理_IGBT設(shè)計關(guān)鍵因素
因為最近工作中比較多的涉及到IGBT,所以今天我們來聊一聊IGBT的設(shè)計的相關(guān)要點,當然只是從我們比較關(guān)心的幾點出發(fā),概括性地來說一說。而沒有深入到物理...
IGBT晶體管采用這兩種常見晶體管的最佳部分,即MOSFET的高輸入阻抗和高開關(guān)速度利用雙極晶體管的低飽和電壓,將它們組合在一起,產(chǎn)生另一種類型的晶體管...
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
2019-05-28 標簽:IGBT閂鎖效應(yīng) 1.9萬 0
工業(yè)電機驅(qū)動如何成功可靠地實現(xiàn)短路保護
工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶...
ROHM新推基于AEC-Q101標準的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”
ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
目前,全球新能源汽車發(fā)展方興未艾,而中國是一塊重要市場,具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>
MOSFET,IGBT和三極管的優(yōu)缺點分析(視頻分析)
設(shè)計開關(guān)電源要選擇合適的元器件,元器件多種多樣,要如何選,元器件的優(yōu)缺點都是怎么樣的就是本節(jié)課程要跟大家講解的。
2019-04-25 標簽:三極管MOSFET開關(guān)電源 1.1萬 0
變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設(shè)備。變頻器主要由整流(交流變直流)、濾波、逆變(直流變交流)、...
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件,因此在電子電路中常常碰到也習以為常??墒荕OS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很,...
米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動過程中非常顯著?;陂T極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關(guān)斷期間會產(chǎn)生一個很高的瞬態(tài)dv/dt,這樣會引發(fā)門極VGE間電壓升高...
2019-02-04 標簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 4.0萬 0
海上風電柔直的行業(yè)最新趨勢及功率半導(dǎo)體解決方案
風力發(fā)電作為清潔能源的重要方式,近年來得到快速發(fā)展與推廣。在中國,內(nèi)陸風力開發(fā)資源已相對飽和,海上風電將成為風電產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的熱點;根據(jù)國家風電“十三五...
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