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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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本文首先介紹了IGBT的概念與結(jié)構(gòu),其次對(duì)IGB模塊原理電路進(jìn)行了分析以及介紹了變頻器IGBT模塊常見(jiàn)故障處理,最后介紹了變頻器IGBT模塊檢測(cè)方法以及...
通常情況下,為了防止出現(xiàn)寄生IGBT通道的情況發(fā)生,國(guó)內(nèi)通常有兩種解決辦法。第一個(gè)辦法是為配置添加門極和發(fā)射極之間的電容,第二是通過(guò)使用負(fù)門極驅(qū)動(dòng)。如果...
2018-05-22 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT米勒電容 1.1萬(wàn) 0
IGBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 GBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 本文以介紹由單只 IGBT 管子或雙管做成的逆變模塊及其有關(guān)測(cè)盈和判斷好壞的方法。場(chǎng)效...
2018-05-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管igbt 1.6萬(wàn) 0
SiC作為寬禁帶半導(dǎo)體材料,與Si相比具有擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、導(dǎo)熱系數(shù)高、載流能力大、開(kāi)關(guān)速度快、可高溫工作等優(yōu)點(diǎn),適用于高壓、高溫、高頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。
IGBT功率模塊是逆變器的核心功率器件。逆變器用于驅(qū)動(dòng)電機(jī),為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力。當(dāng)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)工作時(shí),逆變器從電池組獲取直流電,并轉(zhuǎn)換成交流電來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)。...
IGBT管好壞的檢測(cè)方法:IGBT 管的好壞可用指針萬(wàn)用表的Rxlk擋來(lái)檢測(cè),或用數(shù)字萬(wàn)用表的“二極管”擋來(lái)測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGB...
智能汽車電池管理系統(tǒng)應(yīng)用設(shè)計(jì)
很多人的眼光聚焦于IGBT,功率器件是很貴,確實(shí)也很難做,但是如果出點(diǎn)事情,把ADC這一層的模擬芯片給拿掉了,我們的電池管理系統(tǒng)也就沒(méi)了根。
一種基于di/dt和du/dt反饋的IGBT柵極驅(qū)動(dòng)方法
由式(5)和式(6)可知,反饋電流IL值為正。IL不能直接加在柵極,以免對(duì)柵極電流造成沖擊,因此需要引入一個(gè)由Q5、Q6組成的鏡像電路,將流過(guò)Q6的電流...
2018-04-17 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路控制電路IGBT 1.4萬(wàn) 0
電磁爐溫度檢測(cè)電路圖大全(高頻/IGBT/傳感器溫度檢測(cè)電路詳解)
本文主要介紹了電磁爐溫度檢測(cè)電路圖大全(高頻/IGBT/傳感器溫度檢測(cè)電路詳解)。電磁爐中的溫度檢測(cè)傳感器采用的是熱敏電阻,該電阻大多由單晶或多晶半導(dǎo)體...
在一些電力電子應(yīng)用場(chǎng)合,不僅需要高壓IGBT模塊有優(yōu)異的性能,還需要具有相當(dāng)高的可靠性;為了滿足實(shí)際需求,希望高壓IGBT模塊的壽命能達(dá)到30年,所以,...
igbt模塊逆變器電路圖大全(六款igbt模塊逆變器電路設(shè)計(jì)原理圖詳解)
本文主要介紹了igbt模塊逆變器電路圖大全(六款igbt模塊逆變器電路設(shè)計(jì)原理圖詳解)。全橋式逆變器的一大缺陷就是存在中頻變壓器偏磁問(wèn)題,正常工作情況下...
常見(jiàn)igbt驅(qū)動(dòng)芯片型號(hào)
在一般較低性能的三相電壓源逆變器中,各種與電流相關(guān)的性能控制,通過(guò)檢測(cè)直流母線上流入逆變橋的直流電流即可,如變頻器中的自動(dòng)轉(zhuǎn)矩補(bǔ)償、轉(zhuǎn)差率補(bǔ)償?shù)?。同時(shí),...
2018-02-23 標(biāo)簽:igbt驅(qū)動(dòng)芯片 7.2萬(wàn) 0
分布式能源與充電站一體化解決辦法分析以及共直流母線IGBT充電集如何助力
但是,分布式能源和汽車充電站一體化發(fā)展的傳統(tǒng)實(shí)現(xiàn)方式還具備單向傳遞、能源逆變損耗大、效率低等劣勢(shì)。為此,深圳市安和威電力科技股份有限公司推出了“光儲(chǔ)充”...
對(duì)MOSFET與IGBT詳細(xì)的區(qū)別分析以及舉例說(shuō)明
本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討,如硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_(kāi)關(guān)損耗,并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)...
IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),此...
電磁爐igbt好壞判斷方法_電磁爐igbt好壞的測(cè)量方法
IGBT管的好壞可用指針萬(wàn)用表的Rxlk擋來(lái)檢測(cè),或用數(shù)字萬(wàn)用表的“二極管”擋來(lái)測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短路放電,避免影...
絕緣柵雙極晶體管 IGBT 安全工作,它集功率晶體管 GTR 和功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 的優(yōu)點(diǎn)于一身,自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 的特...
2018-01-26 標(biāo)簽:igbt電磁爐igbt驅(qū)動(dòng) 4.7萬(wàn) 0
可控硅簡(jiǎn)稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(...
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