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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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Littelfuse新型1300V A5A溝槽分立式IGBT在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用
Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT,專為800V電動(dòng)汽車(BEV)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些IGBT具有優(yōu)化的集電極-發(fā)射極飽和電壓...
2025-04-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBTLittelfuse 1.6k 0
安世半導(dǎo)體650 V G3 IGBT在家電中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
在當(dāng)前快速發(fā)展的消費(fèi)電子市場(chǎng)中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種核心電子元器件,憑借其卓越的開(kāi)關(guān)性能、低導(dǎo)通損耗和良好的熱管理能力,成為現(xiàn)代家電技術(shù)...
碳化硅VS硅基IGBT:誰(shuí)才是功率半導(dǎo)體之王?
在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙...
2025-04-02 標(biāo)簽:IGBT芯片封裝功率半導(dǎo)體 4.4k 0
UCC28070A 具有擴(kuò)展頻率范圍(10kHz 至 300kHz)的兩相交錯(cuò)式 CCM PFC 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28070A 器件是 UCC28070 器件的擴(kuò)展頻率范圍衍生產(chǎn)品,能夠在高功率應(yīng)用中基于 IGBT 功率開(kāi)關(guān)的 PFC 轉(zhuǎn)換器所需的低開(kāi)關(guān)頻率下...
UCC28180 18-kHz-250-kHz CCM PFC控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28180 是一款靈活易用的 8 引腳有源功率因數(shù)校正 (PFC) 控制器,可在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 下工作,以實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)、低電流失真和 ...
IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module,絕緣柵雙極型晶體管模塊)是一種高性能的電力電子器件,廣泛...
使用HY-HVL系列線性高壓直流電源進(jìn)行IGBT測(cè)試
功率半導(dǎo)體器件(如IGBT、MOSFET、SiC、GaN等)是電力電子系統(tǒng)的核心組件,廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。絕緣柵雙極型...
IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時(shí),其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管(FWD)從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚪刂範(fàn)顟B(tài)過(guò)程中出現(xiàn)的一些特定物理現(xiàn)象和電氣特性變化。
TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT:感應(yīng)加熱和軟開(kāi)關(guān)領(lǐng)域新標(biāo)桿
在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開(kāi)關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于各類電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N1...
2025-03-13 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率開(kāi)關(guān)器件 1.1k 0
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過(guò)900V,而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng),在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻,使其耐...
前言IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為光伏逆變器的“心臟”,承擔(dān)著直流電向交流電轉(zhuǎn)換的核心任務(wù)。然而,這一關(guān)鍵部件的炸毀問(wèn)題頻發(fā),不僅導(dǎo)致高昂的維修成本...
金屬基板 | 全球領(lǐng)先技術(shù)DOH工藝與功率器件IGBT熱管理解決方案
DOH:DirectonHeatsink,熱沉。DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問(wèn)題提升產(chǎn)品良率及...
BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC(Low Side Gate Driver)溫度的熱關(guān)斷電路,當(dāng)LVIC的Tj達(dá)到規(guī)定溫度以上時(shí),熱關(guān)斷電路將啟...
2025-03-06 標(biāo)簽:IGBTIPM柵極驅(qū)動(dòng)器 1.2k 0
如何高效提升驅(qū)動(dòng)電路的電能轉(zhuǎn)換效率?
當(dāng)前,半橋驅(qū)動(dòng)器HPD2606X已可廣泛應(yīng)用在家用空調(diào)、冰箱、洗衣機(jī)、烘干機(jī)、吸塵器、抽油煙機(jī)、風(fēng)扇等白色家電領(lǐng)域與電動(dòng)工具、無(wú)人機(jī)等工業(yè)場(chǎng)合中。
2025-03-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半橋驅(qū)動(dòng)器 584 0
在現(xiàn)代工業(yè)電氣領(lǐng)域,中頻電源應(yīng)用廣泛,而 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為中頻電源的核心器件,起著至關(guān)重要的作用。本文將深入探討 IGBT 在中頻電源...
DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問(wèn)題
引言:隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件對(duì)散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關(guān)鍵材料,以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度...
快恢復(fù)二極管分類全解析:從基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)到前沿應(yīng)用
在變頻器IGBT驅(qū)動(dòng)電路中,一個(gè)反向恢復(fù)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)的二極管導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗增加30%,這個(gè)案例揭示了快恢復(fù)二極管選型對(duì)電力電子系統(tǒng)的關(guān)鍵影響。作為高頻開(kāi)關(guān)電路...
2025-02-26 標(biāo)簽:變頻器IGBT驅(qū)動(dòng)電路 1k 0
突發(fā)脈沖磁場(chǎng)對(duì)IGBT模塊的干擾效應(yīng)研究
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)通常在復(fù)雜的電磁環(huán)境中運(yùn)行,然而,關(guān)于磁場(chǎng)干擾(MFI)對(duì)其性能和可靠性的影響的研究較少,尤其是在高功率應(yīng)用中。本文提出了一...
2025-02-25 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路IGBT晶體管 1.4k 0
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