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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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一文詳解IGBT模塊并聯(lián)動(dòng)態(tài)均流方法
動(dòng)態(tài)工作指電力電子器件的開通和關(guān)斷過程。IGBT的開關(guān)頻率越高,動(dòng)態(tài)均流問題對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的影響就越大。
在電子電路中,MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路...
2020-03-20 標(biāo)簽:場效應(yīng)管IGBTMOS 1.6萬 1
先說個(gè)冷笑話,IGBT,不是LGBT,不是性少數(shù)群體的意思……好了,回到正題。 IGBT晶體管,英文全稱是「Insulated Gate Bipolar...
瑞能半導(dǎo)體攜多元成果打造全新“品牌基石” 馭領(lǐng)可持續(xù)篇章 為功率器件注入強(qiáng)勁動(dòng)力
2024年7月19日,中國上海 ?— 日前,全球領(lǐng)先的國際化功率器件品牌瑞能半導(dǎo)體(以下可簡稱為:瑞能)以“高效節(jié)能,奔赴零碳”為主題參展2024慕尼黑...
基本半導(dǎo)體推出了一種混合式IGBT(混合碳化硅分立器件)
傳統(tǒng)電力電子應(yīng)用中,IGBT的續(xù)流二極管一般以硅基FRD(快恢復(fù)二極管)為主,而硅基FRD的性能限制了IGBT的開通和關(guān)斷行為的潛力,對(duì)開關(guān)損耗是很大的拖累。
電子產(chǎn)業(yè)各細(xì)分領(lǐng)域核心供應(yīng)商,一網(wǎng)打盡900供應(yīng)商
中芯國際、三星(中國)半導(dǎo)體有限公司、SK海力士半導(dǎo)體(中國)有限公司、華潤微電子、華虹宏力、英特爾半導(dǎo)體(大連)有限公司、臺(tái)積電(臺(tái)灣)、華力微電子、...
變頻器輸出是以PWM(脈寬調(diào)制,類似高速開關(guān))方式控制,因此會(huì)發(fā)生高頻率的漏電電流,若要在變頻器一次側(cè)加裝一般漏電斷路開關(guān)時(shí),建議請(qǐng)以每臺(tái)變頻器選擇20...
苦難與輝煌 集成電路國產(chǎn)化之路(下)(SWOT分析法)
國產(chǎn)替代是個(gè)好機(jī)會(huì)。危機(jī)是資金投入特別大回報(bào)周期非常長,是集成電路行業(yè)最大的特點(diǎn),可以堅(jiān)持到最后企業(yè)就少了。
功率半導(dǎo)體有功率器件和功率IC,功率器件又包含二極管、晶體管和晶閘管,其中晶體管又可根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域和制程可劃分為絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)、MOSF...
2023-02-03 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率半導(dǎo)體 1.5萬 0
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)?
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)? GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率電子器件中,各有強(qiáng)項(xiàng)和弱點(diǎn),本文著重...
IGBT逆變焊機(jī)的應(yīng)用和優(yōu)勢(shì)
IGBT是一種半導(dǎo)體器件,以其高效率和快速切換速度而聞名。除了在焊接領(lǐng)域廣泛應(yīng)用外,IGBT還被廣泛用于家用電器、高科技音響、電動(dòng)汽車以及其他節(jié)能汽車等...
IGBT是一種適合高電壓、大電流應(yīng)用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V,額定電流范圍為5A至1000A,IGBT廣泛用于工業(yè)應(yīng)用...
IGBT關(guān)斷振蕩的參數(shù)_IGBT關(guān)斷振蕩的應(yīng)對(duì)措施
在電壓UCE緩慢上升時(shí),柵極電壓處于密勒平臺(tái),這個(gè)位移電流最初保持穩(wěn)定并有助于維持平臺(tái)電壓恒定。
獨(dú)家!跑贏大市,揭秘華潤微2020年半年報(bào)凈利潤大漲背后的玄機(jī)
本站原創(chuàng)! (電子發(fā)燒友報(bào)道 文/章鷹 )2020年第二季度,全球受到疫情的影響經(jīng)濟(jì)大幅度下滑,但是半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)了極強(qiáng)的抗跌性。2020年上半年,中國...
2020-08-05 標(biāo)簽:英飛凌IGBT功率半導(dǎo)體 1.4萬 0
要想搭建一個(gè)優(yōu)秀的電力電子系統(tǒng),正確的功率器件選型首當(dāng)其沖。然而很多新入行的同學(xué)恐怕會(huì)對(duì)IGBT冗長的料號(hào)略感頭痛,但實(shí)際上功率器件的命名都是有規(guī)律可循...
傳統(tǒng)的功率模塊基本結(jié)構(gòu)分層圖來說說其構(gòu)成:可見,我們前面聊的很多的半導(dǎo)體芯片,只是功率模塊中的一部分,除此之外還包括其他的成分。而這些成分的選擇和搭配,...
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的高頻大功率化的發(fā)展,開關(guān)器件在應(yīng)用中潛在的問題越來越凸出,開關(guān)過程引起的電壓、電流過沖,影響到了逆變器的工作效率和工作可 靠性。為...
近幾年來,電動(dòng)汽車、電化學(xué)儲(chǔ)能、以及光伏和風(fēng)電等新能源市場的快速發(fā)展,市場對(duì)功率器件的需求量大增,特別是電動(dòng)汽車的興起,讓IGBT常年處于供應(yīng)緊張狀態(tài),...
拆卸貼片集成塊或其他貼片器件,在靜電不影響的情況下,使用兩個(gè)電烙鐵協(xié)作加熱取下,往往比熱風(fēng)焊臺(tái)更有效。有的電路板遇熱或溫度高點(diǎn),電路板就會(huì)變色。
IGBT的基礎(chǔ)知識(shí)--IGBT的基本結(jié)構(gòu),參數(shù)選擇,使用注意
1.IGBT的基本結(jié)構(gòu) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質(zhì)上是一個(gè)場效應(yīng)晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè) P 型層。根據(jù)國
2010-05-27 標(biāo)簽:IGBT 1.3萬 0
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