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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)功率模塊將M...
2025-04-16 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 866 0
近日,浙江翠展微電子有限公司迎來(lái)了一場(chǎng)技術(shù)盛宴——“技術(shù)賦能·智創(chuàng)未來(lái)”主題沙龍。
SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來(lái)顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)
SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統(tǒng)IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè),主要原因在于: SiC...
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,將于5月1日開(kāi)始供應(yīng)其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管(HVIGBT)模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率...
國(guó)產(chǎn)SiC模塊破局策略:堅(jiān)持“技術(shù)定力+供應(yīng)鏈韌性+場(chǎng)景深耕”三位一體協(xié)同
以“他強(qiáng)任他強(qiáng),清風(fēng)拂山崗;他橫任他橫,明月照大江”為核心理念,結(jié)合當(dāng)前進(jìn)口IGBT模塊降價(jià)30%的價(jià)格戰(zhàn)背景,國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊行業(yè)的發(fā)展需以內(nèi)在定力...
新品 | IGBT 7 EconoDUAL? 3系列拓展帶焊接針產(chǎn)品
新品TRENCHSTOPIGBT7EconoDUAL3產(chǎn)品系列拓展英飛凌在此發(fā)布TRENCHSTOPIGBT7EconoDUAL3系列產(chǎn)品拓展,帶焊接針...
向電源行業(yè)的功率器件專家致敬:拆穿海外IGBT模塊廠商失效報(bào)告造假!
中國(guó)電力電子逆變器變流器的功率器件專家以使用者身份拆穿國(guó)外IGBT模塊失效報(bào)告廠商造假的事件,是中國(guó)技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)業(yè)鏈話語(yǔ)權(quán)提升的標(biāo)志性案例。通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新...
通用變頻器中SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT模塊改變工業(yè)能效格局
結(jié)合國(guó)家節(jié)能改造政策,SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊在電機(jī)通用變頻器中的應(yīng)用潛力巨大,其影響將深刻改變工業(yè)能效格局。...
BMF240R12E2G3在高速風(fēng)機(jī)水泵變頻器應(yīng)用中輕載時(shí)的效率優(yōu)勢(shì)
在高速風(fēng)機(jī)水泵變頻器中,輕載(低負(fù)載)工況是常見(jiàn)的運(yùn)行場(chǎng)景,尤其是在系統(tǒng)處于部分負(fù)載調(diào)節(jié)、待機(jī)或低流量需求時(shí)。碳化硅(SiC)功率模塊(如BMF240R...
新品 | CIPOS? Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP? IGBT 7
新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級(jí)中提供...
2025-04-01 標(biāo)簽:IGBTIPM三相電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1k 0
詳解IGBT晶圓在伺服馬達(dá)領(lǐng)域的應(yīng)用
IGBT廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,特別是在需要高效快速開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合。它常用于放大器和脈沖寬度調(diào)制(PWM)應(yīng)用中,通過(guò)控制電流的通斷來(lái)處理復(fù)雜的波形。
IGBT高溫漏電流和電壓阻斷能力固有缺陷是其被淘汰的根本原因
IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷是其被新一代電力電子設(shè)備加速淘汰的根本原因 一、IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷的本質(zhì) 材料物理特性...
從IGBT模塊大規(guī)模失效爆雷看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性
深度分析:從IGBT模塊可靠性問(wèn)題看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問(wèn)題導(dǎo)致國(guó)內(nèi)光伏逆變器廠商損失數(shù)億元,這一案例凸顯了功...
中國(guó)電力電子客戶不再迷信外資品牌的IGBT模塊和SiC模塊
中國(guó)電力電子客戶逐漸擺脫對(duì)國(guó)外IGBT模塊(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC功率模塊供應(yīng)商的依賴,轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品IGBT模塊和SiC模塊,這一轉(zhuǎn)變是技術(shù)、...
新能源汽車(chē)IGBT模塊中MOS管的關(guān)鍵作用
隨著新能源汽車(chē)技術(shù)的普及,對(duì)電力控制系統(tǒng)IGBT的需要也隨之提升,今天咱們重點(diǎn)講講新能源汽車(chē)IGBT中的關(guān)鍵分立器件——MOS管,到底是如何促進(jìn)IGBT...
2025-03-25 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOS管IGBT 724 0
英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價(jià)格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析
英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊大幅度降價(jià)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析 英飛凌、富士等外資品牌IGBT模塊在中國(guó)市場(chǎng)掀起了降價(jià)超過(guò)30%的IGBT模塊價(jià)格...
中國(guó)電力電子廠商創(chuàng)新之路:采用國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊
國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊取代進(jìn)口IGBT模塊,是當(dāng)前電力電子系統(tǒng)創(chuàng)新升級(jí)的核心路徑。這一趨勢(shì)不僅是技術(shù)迭代的必然結(jié)果,更是政策引導(dǎo)、供應(yīng)鏈安全需求與產(chǎn)業(yè)...
國(guó)產(chǎn)SiC模塊如何應(yīng)對(duì)25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價(jià)格絞殺戰(zhàn)
進(jìn)入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價(jià)超過(guò)30%來(lái)絞殺國(guó)產(chǎn)功率模塊,面對(duì)外資功率模的瘋狂價(jià)格絞殺,國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊...
在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,扮演著至關(guān)重要的角色。其封裝技術(shù)不僅直接影響到IGBT模塊的性能、可靠性和使...
SC5016大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng) 第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)設(shè)備
SC5016大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是專為?碳化硅(SiC)/氮化鎵(GaN)功率器件?設(shè)計(jì)的全自動(dòng)檢測(cè)平臺(tái),支持±5000V/2000A(可擴(kuò)展...
2025-03-13 標(biāo)簽:大功率測(cè)試系統(tǒng)IGBT 677 0
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