完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
文章:3172個(gè) 瀏覽:258876次 帖子:484個(gè)
為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動(dòng)芯片及驅(qū)動(dòng)供電解決方案
BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動(dòng)芯片及驅(qū)動(dòng)供電解決方案 BASiC基本公司針對(duì)多種應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā)推出門極驅(qū)動(dòng)芯...
廣電計(jì)量入選2025年無(wú)錫市場(chǎng)景清單
近日,無(wú)錫市委市政府召開(kāi)無(wú)錫市場(chǎng)景創(chuàng)新大會(huì),發(fā)布《2025年無(wú)錫市場(chǎng)景清單(第一批)》,包括30個(gè)場(chǎng)景機(jī)會(huì)和90個(gè)場(chǎng)景能力。無(wú)錫廣電計(jì)量申報(bào)的“MOSF...
重慶IGBT項(xiàng)目即將試產(chǎn),年產(chǎn)能120萬(wàn)片
來(lái)源:行家說(shuō)-葉知秋 1月17日,據(jù)“涪陵高新區(qū)綜保區(qū)”報(bào)道,重慶新陵微電子有限公司正在緊鑼密鼓地安裝設(shè)備,預(yù)計(jì)2025年二季度將實(shí)現(xiàn)整線通線,進(jìn)行試生...
2025-01-21 標(biāo)簽:IGBT 874 0
三菱電機(jī)開(kāi)始提供工業(yè)用第8代IGBT模塊樣品
三菱電機(jī)株式會(huì)社近日宣布,將于2月15日起開(kāi)始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品,適用于太陽(yáng)能和其他可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。該模塊采用...
IGBT模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效
背景:電力驅(qū)動(dòng)的能效雖高,但電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、熱泵等應(yīng)用仍需大量能源運(yùn)行,因此提高能效至關(guān)重要。 技術(shù)原理:IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊是一種電力...
上回書(shū)(英飛凌芯片簡(jiǎn)史)說(shuō)到,IGBT自面世以來(lái),歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭,標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2,溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IG...
廣東佳訊邀您一起探究:SiC MOSFET 替代 IGBT ,這是必然走向嗎?
碳化硅MOSFET以其高開(kāi)關(guān)速度、高溫工作能力和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì),在電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢(shì),但碳...
2025-01-15 標(biāo)簽:IGBTSiC MOSFET 840 0
錦浪科技入選2024年度質(zhì)量提升與品牌建設(shè)典型案例
近日,工業(yè)和信息化部辦公廳公布了2024年度質(zhì)量提升與品牌建設(shè)典型案例名單,錦浪科技股份有限公司的“IGBT全工況檢測(cè)系統(tǒng)提升核心器件可靠性”成功入選質(zhì)...
隨著時(shí)代的發(fā)展,我國(guó)的工業(yè)機(jī)械也在不斷進(jìn)步,應(yīng)運(yùn)而生的是交流變頻變壓電源產(chǎn)品,本款電源產(chǎn)品采用SPWM硬件調(diào)控技術(shù),大功率IGBT驅(qū)動(dòng),輸出純凈的正弦波...
新品 | 670V TRENCHSTOP? IGBT7 PR7帶反并聯(lián)二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝
670VTRENCHSTOPIGBT7PR7帶反并聯(lián)二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝該產(chǎn)品專門針對(duì)RAC/CAC和HVAC等升壓PFC電路...
意法半導(dǎo)體STGAP3S系列電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器概述
意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1k 0
本輪融資由國(guó)科長(zhǎng)三角資本領(lǐng)投,同鑫資本和銀茂控股等跟投,本輪融資資金將主要用于新產(chǎn)線建設(shè)、新設(shè)備購(gòu)置以及新產(chǎn)品研發(fā),以全面提升翠展微在IGBT模塊領(lǐng)域的...
佳恩半導(dǎo)體IGBT項(xiàng)目科技成果達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平
日前,中科知慧(北京)科技成果評(píng)價(jià)有限公司組織專家,對(duì)青島佳恩半導(dǎo)體有限公司完成的“IGBT1200V40A 芯片的研究與應(yīng)用”項(xiàng)目科技成果進(jìn)行了評(píng)審。...
安世半導(dǎo)體650V IGBT網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)精彩回顧
為滿足越來(lái)越多的對(duì)穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先進(jìn)的載流子儲(chǔ)存溝柵場(chǎng)截止(FS)工藝,為工業(yè)應(yīng)用...
2025-01-06 標(biāo)簽:封裝IGBT安世半導(dǎo)體 884 0
新品 | 3300V,1200A IGBT4 IHV B模塊
3300V,1200AIGBT4IHVB模塊知名的IHVB3.3kV單開(kāi)關(guān)IGBT模塊經(jīng)過(guò)了重大改進(jìn),以滿足牽引和工業(yè)應(yīng)用(如中壓傳動(dòng)或HVDC)當(dāng)前和...
深度應(yīng)用在中等功率驅(qū)動(dòng)器領(lǐng)域的IGBT晶圓
中等功率驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用場(chǎng)景?包括各種工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域中對(duì)電機(jī)運(yùn)動(dòng)精度和效率要求較高的場(chǎng)合,如機(jī)床加工、自動(dòng)化生產(chǎn)線、物流運(yùn)輸?shù)取?/p>
全力推進(jìn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,實(shí)現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級(jí)和自主可控!
BASiC?基半股份一級(jí)代理商全力推進(jìn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,實(shí)現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級(jí)和自主可控! 為什么在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)...
長(zhǎng)周期認(rèn)證下的IGBT封裝:先發(fā)企業(yè)的優(yōu)勢(shì)與后來(lái)者的困境
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心組件,廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。然而,IGBT功率模塊的封裝技術(shù)卻面...
SiC市場(chǎng)激烈,萬(wàn)年芯在碳化硅領(lǐng)域的深耕與展望
2024年進(jìn)入尾聲,中國(guó)碳化硅(SiC)卻迎來(lái)一波“新陳代謝”:前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn);后有老玩家退場(chǎng)-世紀(jì)金光破產(chǎn)清算。碳化硅行業(yè)...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |