mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

解鎖 MOS 管：溫度估算不再燒腦

溫度是影響MOSFET壽命的關(guān)鍵要素之一，為防止過熱導(dǎo)致的MOS失效，使用前進(jìn)行簡(jiǎn)單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過程中產(chǎn)生的各種損...

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lGBT與mos管主要區(qū)別在哪

LGBT（Light Emitting Bipolar Transistor）是一種發(fā)光二極管與雙極型晶體管的結(jié)合體。它具有高亮度、高效率、低功耗和長(zhǎng)壽...

2024-08-07 標(biāo)簽：MOS管晶體管數(shù)字電路 3.5k 0

開關(guān)管是mos管還是IGBT管

開關(guān)管既是mos管也是IGBT管。開關(guān)管是一種電子器件，用于控制電流的開關(guān)。在電子電路中，開關(guān)管起著至關(guān)重要的作用。一、開關(guān)管的基本概念 1.1 定義...

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MOS管的損耗與哪些因素

MOS管的損耗是一個(gè)復(fù)雜而重要的議題，它涉及到多個(gè)因素，包括MOS管本身的物理特性、電路設(shè)計(jì)、工作條件以及外部環(huán)境等。

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占空比對(duì)電源效率的影響

占空比（Duty Ratio或Duty Cycle）是指在一個(gè)脈沖循環(huán)內(nèi)，通電時(shí)間（或有效時(shí)間）相對(duì)于總時(shí)間所占的比例。在電子學(xué)和通信領(lǐng)域，占空比是一個(gè)...

2024-08-07 標(biāo)簽：MOS管占空比電源效率 3.7k 0

開關(guān)電源MOS管的主要損耗

開關(guān)電源中的MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管...

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MOS管和驅(qū)動(dòng)芯片的選型

MOS管和驅(qū)動(dòng)芯片的選型是電子工程設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，它們直接影響電路的性能、穩(wěn)定性和可靠性。以下將詳細(xì)闡述MOS管和驅(qū)動(dòng)芯片的選型過程，包括需考慮的關(guān)鍵...

2024-08-06 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)芯片額定電流 4.7k 0

分立器件在智能美妝化妝鏡上的應(yīng)用

愛美之心，人皆有之。隨著智能時(shí)代來臨，帶點(diǎn)AI的智能化妝鏡更有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。近日，在某國外網(wǎng)站上，賣火了的產(chǎn)品，它集補(bǔ)光、高清顯示和AI功能于一身，美妝神...

2024-08-05 標(biāo)簽：MOS管分立器件合科泰 909 0

柵介質(zhì)層的發(fā)展和挑戰(zhàn)

隨著集成電路工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成電路器件的特征尺寸不斷按比例縮小，工作電壓不斷降低。...

2024-08-02 標(biāo)簽：集成電路 MOS管 NMOS 3.2k 0

合科泰MOS管PDFN5X6的特性和應(yīng)用

MOS管通常具有非常強(qiáng)大的電壓電流調(diào)節(jié)能力，但是具有小型封裝，散熱還很好，性能也表現(xiàn)強(qiáng)大的MOS管是不多的，客戶需要這樣的MOS管。

2024-08-01 標(biāo)簽：芯片 MOS管合科泰 1.7k 0

mos管耐壓是如何測(cè)試

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率器件，其耐壓性能是其重要參數(shù)之一。 MOSFET耐壓測(cè)試的重要性 MOSFE...

2024-08-01 標(biāo)簽：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 4.4k 0

高頻加熱mos管的電壓范圍

高頻加熱MOS管，即高頻感應(yīng)加熱用MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是...

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mos管的vth和什么有關(guān)

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子器件中的半導(dǎo)體器件，其工作原理是通過改變柵極電壓來控制漏極和源極之間的電流。在MOSFE...

2024-07-31 標(biāo)簽：MOS管電子器件半導(dǎo)體器件 5.9k 0

溫度對(duì)MOS管壽命的影響

溫度對(duì)MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）壽命的影響是一個(gè)復(fù)雜而重要的議題，它不僅關(guān)系到電子產(chǎn)品的性能穩(wěn)定性，還直接影響到產(chǎn)品的使用壽命和可靠性。以...

2024-07-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 4.6k 0

三極管和MOS管作為開關(guān)器件時(shí)的區(qū)別

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三極管和MOS管的溫度特性

在電子器件中，溫度特性是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)，它直接關(guān)系到器件的工作穩(wěn)定性、可靠性以及整體電路的性能。三極管（BJT）和MOS管（Metal-Oxide-...

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MOS管和IGBT管的辨別

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和IGBT（...

2024-07-26 標(biāo)簽：MOS管晶體管 IGBT管 7.9k 0

MOS管在車載逆變器中的應(yīng)用

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在車載逆變器中的應(yīng)用方案，是汽車電子領(lǐng)域中的一個(gè)重要研究課題。車載逆變器作為將汽車電池的直流電轉(zhuǎn)換為交流電以供車...

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2024-07-24 標(biāo)簽：MOS管 PCS 儲(chǔ)能變流器 1.4k 0

增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)解析

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2024-07-24 標(biāo)簽：MOS管晶體管增強(qiáng)型 3.4k 0

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