mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

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開漏（open-drain）或開集電極（open-collector）輸出引腳由單個(gè)晶體管驅(qū)動(dòng)，將引腳拉到只有一個(gè)電壓（通常是接地）。當(dāng)輸出設(shè)備關(guān)閉時(shí)，...

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MOS管主副電源自動(dòng)切換的電路設(shè)計(jì)

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2024-04-17 標(biāo)簽：二極管電路圖 usb 2.8k 0

MOS管柵極前加100Ω電阻的作用是什么

功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)分布各種電感，例如圖中的L，它們與MOSFET的Cgd, Cge會(huì)形成諧振電路：對(duì)開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振，進(jìn)而引...

2024-04-16 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻電阻 MOSFET 1.3k 0

PFC頻繁炸機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路原理分析

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2024-04-15 標(biāo)簽：pcb MOS管驅(qū)動(dòng)電路 4.5k 0

MOS管為什么會(huì)冒煙燒毀？MOS燒管的案例2分享

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2024-04-12 標(biāo)簽：示波器 MOS管 NMOS 8.4k 0

MOS管柵極前加100Ω電阻原理分析

在MOSFET的柵極前增加一個(gè)電阻？ MOS管是電壓型控制器件，一般情況下MOS管的導(dǎo)通，只需要控制柵極的電壓超過其開啟閾值電壓即可，并不需要柵極電流。

2024-04-11 標(biāo)簽：電阻 MOSFET MOS管 2.9k 0

光電三極管的特性及結(jié)構(gòu)示意圖

光電三極管是一種半導(dǎo)體器件，能夠感應(yīng)光水平并根據(jù)其接收的光水平來改變?cè)诎l(fā)射極和集電極之間流動(dòng)的電流。顧名思義，光電三極管是一種晶體管，可以感應(yīng)光并改變晶...

2024-04-10 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管晶體管 3.5k 0

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那這兩張圖是完全等價(jià)的，我們可以看到MOS管是有三個(gè)端口，也就是有三個(gè)引腳，分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要，只要記住他...

2024-04-09 標(biāo)簽：MOS管 NMOS PWM 2.6k 0

深入解析MOS管的判別與導(dǎo)通條件

使用二級(jí)管,導(dǎo)通時(shí)會(huì)有壓降,會(huì)損失一些電壓。而使用MOS管做隔離，在正向?qū)〞r(shí)，在控制極加合適的電壓，可以讓MOS管飽和導(dǎo)通，這樣通過電流時(shí)幾乎不產(chǎn)生壓降。

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探索MOS管H橋電路與電機(jī)專用驅(qū)動(dòng)方案

電機(jī)，按照電流的屬性，可分為交流電機(jī)與直流電機(jī)兩大類。以直流電機(jī)為例，闡述說明如何在電路方案中控制電機(jī)。

2024-04-06 標(biāo)簽：MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng)直流無(wú)刷電機(jī) 3.8k 0

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2024-04-02 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻車載逆變器 2.7k 0

驅(qū)動(dòng)電路輸出模式的推挽與開漏輸出

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2024-04-06 標(biāo)簽：模擬電路上拉電阻場(chǎng)效應(yīng)管 4.8k 0

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2024-04-05 標(biāo)簽：三極管電路設(shè)計(jì)MOS管 2.1k 0

光伏儲(chǔ)能電池管理系統(tǒng)BMS充放電回路設(shè)計(jì)圖

完整的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng)主要由電池組、電池管理系統(tǒng)（BMS）、能量管理系統(tǒng)（EMS）、儲(chǔ)能變流器（PCS）以及其他電氣設(shè)備構(gòu)成。BMS（Battery Ma...

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當(dāng)單板啟動(dòng)時(shí)，SLP_S3會(huì)輸出3V3電平，此時(shí)Q14的ib=（3.3-0.7）/2K=1.3mA；按三極管處于放大區(qū)時(shí)hFE=100計(jì)算，ic=100...

2024-03-27 標(biāo)簽：三極管上拉電阻 MOS管 918 0

如何處理MOS管小電流發(fā)熱嚴(yán)重情況？

穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟，擊穿過程中，電流有逐步增大的特征，這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬，產(chǎn)生電流較大。另一方面，耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng)，使源襯底結(jié)正偏出...

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自舉電容初始化啟動(dòng)和充電受限問題分析

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2024-03-27 標(biāo)簽：電容器二極管 MOS管 3.2k 0

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