MOS管的基本知識(shí)：構(gòu)造、原理、電路設(shè)計(jì)

MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述。

2022-12-22 標(biāo)簽：MOS管晶體三極管開關(guān)管 3.7k 0

一文解析功率MOS管的五種損壞模式

在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。

2022-12-22 標(biāo)簽：MOS管 1.6k 0

三極管和MOS管作為開關(guān)管時(shí)如何選擇？

三極管和MOS管都是很常用的電子元器件，兩者都可以作為電子開關(guān)管使用，而且很多場(chǎng)合兩者都是可以互換使用的。三極管和MOS管作為開關(guān)管時(shí)，有很多相似之處，...

2022-12-22 標(biāo)簽：三極管MOS管開關(guān)管 2.7k 0

IGBT基礎(chǔ)知識(shí)、參數(shù)特性、驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

IGBT——絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，顧名思義，是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 ...

2022-12-22 標(biāo)簽：MOS管IGBT晶體管 1.0萬(wàn) 0

MOS管被擊穿的原因及解決方案?

MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件，對(duì)電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通，外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電，這個(gè)微小的電荷可以儲(chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。

2022-12-21 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.2萬(wàn) 0

電路分析：mos管開關(guān)電路

mos管的工作區(qū)域 從之前的文章中可以知道，mos管有三個(gè)工作區(qū)域： 截止區(qū)域 線性（歐姆）區(qū)域 飽和區(qū)域 當(dāng) VGS VTH時(shí)，mos管工作在截止區(qū)域...

2022-12-19 標(biāo)簽：CMOS開關(guān)電路MOS管 3.6萬(wàn) 0

為什么大家都用三極管來配合單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng)負(fù)載

上一篇推文中我們已經(jīng)說了，驅(qū)動(dòng)繼電器的時(shí)候，通常我們會(huì)采用三極管來配合單片機(jī)IO口。至于為什么不直接用單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng)，非得加個(gè)三極管，在上一篇推文中我...

2022-12-19 標(biāo)簽：三極管單片機(jī)MOS管 5.1k 0

MOS管加三個(gè)元件就組成BUCK電路，為何說難點(diǎn)在于電感？你怎么看

BUCK電路中最重要的器件是電容，二極管還是電感。

2022-12-19 標(biāo)簽：MOS管電感DC-DC 1.6k 0

元器件深入開發(fā)指南 | 阻容、電感、二極管與MOS管（文末領(lǐng)資料）

成長(zhǎng)計(jì)劃 元器件深入開發(fā)指南 工程師成長(zhǎng)計(jì)劃第十八期， 硬聲UP主：硬件工程師煉成之路 ，從工程師實(shí)戰(zhàn)的角度，深入電阻、電容、電感、二極管與MOS管的特...

2022-12-14 標(biāo)簽：二極管MOS管電感 2.7k 0

電路設(shè)計(jì)的重中之重的2個(gè)防反接電路

電源是電路能正常工作的重要條件，每個(gè)分立器件和芯片都需要電源供應(yīng)。

2022-12-13 標(biāo)簽：二極管電路設(shè)計(jì)MOS管 1.3k 0

設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)，mos管驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)、要求

mos管因?yàn)閮?nèi)阻低，開發(fā)速度低被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電路中。mos管往往根據(jù)電源IC和mos管的參數(shù)選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路。

2022-12-12 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.1萬(wàn) 2

場(chǎng)效應(yīng)管和三極管相同點(diǎn)、區(qū)別

場(chǎng)效應(yīng)管主要分兩個(gè)種類，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管我連見都沒有見過，更不要說應(yīng)用了，所以就不說了。金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管就是我們常...

2022-12-09 標(biāo)簽：三極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.3萬(wàn) 0

MOSFET-MOS管特性參數(shù)的理解

MOSFET-MOS管特性參數(shù)的理解

2022-12-09 標(biāo)簽：MOSFETMOS管特性參數(shù) 3.1k 0

電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)之MOSFET管開關(guān)電路

對(duì)于MOS管，我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中都會(huì)遇到，那么應(yīng)該如何設(shè)計(jì)一個(gè)MOS管的開關(guān)電路呢？

2022-12-08 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOSFET電路設(shè)計(jì) 3.4k 0

MOSFET與三極管的ON狀態(tài)區(qū)別

MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET...

2022-12-06 標(biāo)簽：三極管MOSFETMOS管 1.9k 0

如何判斷是否過流

設(shè)計(jì)的PCBA電路板，內(nèi)部有5V電源電路，除了給各個(gè)功能電路供電之外，比如MCU單片機(jī)供電、PM2.5傳感器供電、喇叭供電，還需要給外部電路供電。

2022-12-01 標(biāo)簽：安森美MOS管過流 1.8k 0

盤點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)管在電路中應(yīng)用

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 通常被認(rèn)為是一種晶體管，并用于模擬和數(shù)字電路。MOS管基礎(chǔ)請(qǐng)移步:MOS場(chǎng)效應(yīng)管基本知識(shí)。

2022-11-30 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 9.7k 0