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標簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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為什么要用gmId設(shè)計方法呢?什么是gmid設(shè)計方法呢?
假設(shè)知道了Id,Vgs-vth,但發(fā)現(xiàn),廠家給的工藝文件里,并沒有直接給出un和Cox的值,還是沒有辦法計算出管子的W和L值。
一些電池供電的設(shè)備,工控類的一些現(xiàn)場終端設(shè)備等,在設(shè)計時都會有一個供電接口,對于這些需要直流供電的設(shè)備,在設(shè)計時一定需要考慮到其電源接反的情況,否則一但...
在汽車電子領(lǐng)域,MOS管的應用非常廣泛。其中大部分是用作開關(guān)管的,從電源到各類型的功率驅(qū)動,都少不了MOS管的身影。今天我們來簡單介紹一下汽車電子中,M...
我們確定了Buck拓撲中器件的的參數(shù),如圖一示,接下來分析一下Nmos管NO和OFF時電路的狀態(tài),當N管導通時,S端的電壓為30V,而Vgs閾值電壓是3...
A/D轉(zhuǎn)換器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理
為了保證能從取樣信號將原來的被取樣信號恢復,必須滿足:取樣頻率大于等于2倍的輸入模擬信號的最高頻率分量的頻率。
2022-08-30 標簽:轉(zhuǎn)換器MOS管A/D 2.0萬 0
上面的電路對EMC的影響可想而知,輸入端的濾波器都在這里;防雷擊的壓敏;防止沖擊電流的電阻R102(配合繼電器減小損耗);關(guān)鍵的慮差模X電容以及和電感配...
作為一名硬件工程師,自然經(jīng)常與各種芯片打交道,可能有的同學對芯片的內(nèi)部并不是很了解,不少同學在應用新的芯片時直接翻到Datasheet的應用頁面,按照推...
硬件工程師的很多項目是在洞洞板上完成的,但有存在不小心將電源正負極接反的現(xiàn)象,導致很多電子元器件都燒毀,甚至整塊板子都廢掉,還得再焊接一塊,不知道有什么...
通常我們的電子產(chǎn)品,為防止用戶將正負極接反,會對接口做防反接保護。比如接口做成梯形或者開個缺口,反了不容易插進,但你真的永遠不知道你的產(chǎn)品用戶是萌妹紙還...
介紹GPIO的定義和GPIO不同模式間的區(qū)別與實現(xiàn)方式
GPIO全稱General Purpose Input Output 即通用輸入/輸出,其實GPIO的本質(zhì)就是芯片的一個引腳,通常在ARM中所有的I/O...
在硬件設(shè)計中,關(guān)于電路保護的部分是保證系統(tǒng)可靠性的重要一環(huán),電路保護的設(shè)計具體也包括很多方面,比如:防反設(shè)計,過流保護,過壓保護,欠壓保護,過熱保護等,...
如圖,MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs,Cgd,Cds。因為寄生電容的存在,所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程。
MOS管是電子制造的基本元件,但面對不同封裝、不同特性、不同品牌的MOS管時,該如何抉擇?有沒有省心、省力的遴選方法?
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
從t1時刻開始,MOS進入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性:Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導,只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后,而此時又處于...
在我們實際的應用當中最流行和最常見的電子器件就是常見的雙極結(jié)晶體管BJT和MOS管。雖然BJT和MOS管是最流行最常見的元器件,但是在一些相對較高電流的...
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