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標簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管的開關(guān)損耗跟設(shè)計有直接的關(guān)系,縮短導(dǎo)通和關(guān)斷時間可有效降低開關(guān)損耗;最后,驅(qū)動MOS管的推挽電路很多都已集成在驅(qū)動芯片內(nèi)部,輸出能力很強,通常電...
2022-08-19 標簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 6.4k 0
從上圖可以看出沖擊電流很大,達23.0A,遠大于滿載工作電流(1A左右),板上電源設(shè)計指南要求是滿載工作電流的3~5倍,所以需要整改以達到板上電源要求,...
過快的充電會導(dǎo)致激烈的米勒震蕩,但過慢的充電雖減小了震蕩,但會延長開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。Mos開通過程源級和漏級間等效電阻相當于從無窮大電阻到阻值很小的...
如何利用STM32F0單片機PWM + ADC去控制有刷電機
讀取 ADC 的值,寫入 TIM 的 CCR 寄存器,觀察 PWM 占空比的變化。根據(jù)電機的特性,還可能需要改變 PWM 的周期。
NCP1400ASN50、NCP1402SN50、CS5171、TPS60110、TPS60111、MAX756、MAX777、MAX731、MAX77...
2022-08-15 標簽:電路圖MOS管升壓轉(zhuǎn)換器 8.5k 0
OC門,又稱集電極開路(漏極開路)與非門門電路,Open Collector(Open Drain)。
從應(yīng)用側(cè)出發(fā)來給大家介紹一下MOS管里面最常見的NMOS
對于這個高速的PWM波控制場景是致命的。當PWM波的周期接近于這個爬升時間時,這個波形就會失真。一般來說Cgs大小和Rds(on)是成反比的關(guān)系。Rds...
2022-08-12 標簽:場效應(yīng)管MOS管NMOS 3.6k 0
PMOS管做開關(guān)用,S極作電源輸入,D極作輸出,當Vsg大于閾值電壓,MOS管導(dǎo)通,一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小,毫歐級別,過幾安培的電流,壓降也才毫伏...
每一個MOS管都提供有三個電極:Gate柵極(表示為“G”)、Source源極(表示為“S”)、Drain漏極(表示為“D”)。接線時,對于N溝道的電源...
NMOS管的主回路電流方向為D—>S,導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差,如 5V(G電位比S電位高)。
把紅表筆接到MOS管的源極S;把黑表筆接到MOS管的漏極D,此時表針指示應(yīng)該為無窮大,如圖5-3所示。如果有歐姆指數(shù),說明被測管有漏電現(xiàn)象,此管不能用。
PDS760-13總功耗,包括二極管的傳導(dǎo)損耗和交流損耗。二極管在MOS管關(guān)斷期間續(xù)流,瞬時傳導(dǎo)損耗以關(guān)斷期間的輸出電流乘以二極管的正向電壓來計算。二極...
模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換器的基本原理與轉(zhuǎn)換過程解析
在一系列選定的瞬間對模擬信號進行取樣,然后再將這些取樣值轉(zhuǎn)換成輸出的數(shù)字量,并按一定的編碼形式給出轉(zhuǎn)換結(jié)果。整個A/D轉(zhuǎn)換過程大致可分為取樣、量化、編碼...
MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管,是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。
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