如何保持電源的完整性 淺談SSN產(chǎn)生原理

同步開(kāi)關(guān)噪聲（SSN）是指由于多個(gè)輸出同時(shí)發(fā)生翻轉(zhuǎn)而引起的感應(yīng)噪聲。

2020-09-14 標(biāo)簽：電源pcbMOS管 6.6k 0

開(kāi)關(guān)電源PCB布線原理圖分析

控制電路的調(diào)制輸出：模擬信號(hào)，不要在開(kāi)關(guān)管下走長(zhǎng)線，遠(yuǎn)離大電流的電源和地等區(qū)域。

2020-09-12 標(biāo)簽：MOS管控制電路電源模塊 4.4k 0

一種低功耗電源管理電路設(shè)計(jì)方案

系統(tǒng)斷電管理方案即為對(duì)整個(gè)系統(tǒng)電源進(jìn)行自動(dòng)控制，當(dāng)系統(tǒng)未測(cè)距時(shí)間超過(guò)10s，那整個(gè)系統(tǒng)的供電系統(tǒng)就會(huì)關(guān)閉，這樣整個(gè)系統(tǒng)消耗的電流幾乎為0mA（電源管理的...

2020-09-10 標(biāo)簽：mcu電源管理MOS管 8.9k 0

HIP4082電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分析

MOS管導(dǎo)通的實(shí)質(zhì)是對(duì)GS結(jié)電容充電，在上圖所示的原理圖我在G級(jí)串聯(lián)一個(gè)電阻是為了限制充電速度，防止充電過(guò)快產(chǎn)生震蕩。

2020-09-09 標(biāo)簽：二極管MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1.5萬(wàn) 1

MOS管和IGBT管有什么區(qū)別

在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路...

2020-09-09 標(biāo)簽：MOS管IGBT管 1.3萬(wàn) 0

深度解析MOS管的GS波形

對(duì)于咱們電源工程師來(lái)講，我們很多時(shí)候都在看波形，看輸入波形，MOS開(kāi)關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開(kāi)關(guān)GS波形為...

2020-09-09 標(biāo)簽：MOS管波形 1.8萬(wàn) 0

MOS管設(shè)計(jì)知識(shí)：傳輸管TG的原理及組合邏輯延時(shí)分析

由兩個(gè)鎖存器和中間一個(gè)存儲(chǔ)單元（一般是首尾相連的反相器）組成。鎖存器的鎖存時(shí)間相反，輸入端鎖存器打開(kāi)時(shí)存入數(shù)據(jù)，鎖存時(shí)讀出數(shù)據(jù)。

2020-09-07 標(biāo)簽：CMOSMOS管反相器 1.5萬(wàn) 0

基于BJT-PMOS的DC風(fēng)扇控制

內(nèi)部有4個(gè)線圈，兩兩串聯(lián)，一端接+12V，一端分別接DO/DOB。 根據(jù)hall-sensor感應(yīng)到的信號(hào)，output-driver控制兩個(gè)三極管（D...

2020-09-01 標(biāo)簽：MOS管風(fēng)扇開(kāi)關(guān)管 4k 0

三極管和MOS管的原理圖文分析

01?革命性硬件延續(xù)“夜視儀”傳統(tǒng)

2020-09-11 標(biāo)簽：三極管MOS管 7.6k 0

Z490主板中N層板+N相供電的作用是什么

第十代酷睿的桌面版處理器這些主板的宣傳中，有兩個(gè)特別強(qiáng)調(diào)的參數(shù)難免讓小伙伴有些犯暈，一個(gè)是很久沒(méi)見(jiàn)的6層板、10層板，一種是多到十幾相起步的供電，為啥Z...

2020-08-20 標(biāo)簽：pcbMOS管主板 4.2k 0

MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路案例分析

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...

2020-07-13 標(biāo)簽：MOSFETMOS管導(dǎo)通電阻 2.8k 0

MOS管散熱片接地與不接地對(duì)EMC的影響

在電子電路設(shè)計(jì)當(dāng)中很多情況下都要考慮EMC的問(wèn)題。在設(shè)計(jì)中使用MOS管時(shí)，在添加散熱片時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)一種比較糾結(jié)的情況。

2020-07-11 標(biāo)簽：MOS管emc 7.5k 0

CMOS集成電路設(shè)計(jì)中邏輯門(mén)電路分析

，對(duì)MOS管有較深理解的人都會(huì)知道，NMOS可以高效傳輸?shù)碗娖?，而PMOS可以高效傳輸高電平，兩者配合可以達(dá)到軌對(duì)軌輸出，而相反卻不可以（會(huì)有損耗），因...

2020-07-21 標(biāo)簽：邏輯門(mén)MOS管晶體管 9.4k 0

五大行業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用MOSFET電路原理圖——AOS mos管

2023-03-21 標(biāo)簽：MOSFETMOS管AOS 1.7k 0

基于MOS管實(shí)現(xiàn)的電源開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)

在設(shè)計(jì)時(shí)，只要增加一個(gè)電容（C1），一個(gè)電阻（R2），就可以實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)啟（soft start）功能。

2020-04-06 標(biāo)簽：三極管開(kāi)關(guān)電路MOS管 5.2萬(wàn) 0

淺談MOS管的高端驅(qū)動(dòng)和低端驅(qū)動(dòng)

MOS管相對(duì)于負(fù)載在電勢(shì)的低端，其中D通過(guò)負(fù)載接電源，S直接接地。對(duì)于NMOS，只有當(dāng)Vgs大于開(kāi)啟電壓時(shí)，MOS管才能導(dǎo)通。

2020-01-31 標(biāo)簽：MOS管PMOS 1.7萬(wàn) 0

MOS管方向的判斷方法

MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。MOSFET管是FET的一種，可以被制造為增強(qiáng)型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類...

2019-10-24 標(biāo)簽：MOS管電流控制器件 2.8萬(wàn) 0