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標(biāo)簽 > mos管

mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

文章:2184個(gè) 瀏覽:73755 帖子:1229個(gè)

mos管資訊

關(guān)于CMOS電路兩個(gè)普遍的特點(diǎn)

【1】直流工作點(diǎn)的確定依據(jù)其輸入的靜態(tài)電壓或靜態(tài)電流確定,換句話說,電路中各點(diǎn)的靜態(tài)電壓和電流都是可以計(jì)算出來的,因?yàn)槠潇o態(tài)電路各點(diǎn)的IV關(guān)系滿足基本的...

2020-07-08 標(biāo)簽:ICMOS管CMOS電路 2k 0

用指針式萬用表對(duì)MOS管進(jìn)行判別

用指針式萬用表對(duì)MOS管進(jìn)行判別

將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時(shí),則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因...

2020-07-08 標(biāo)簽:MOS管晶體管 4.1k 0

MOS管驅(qū)動(dòng)電路_單片機(jī)如何驅(qū)動(dòng)MOS管

MOS管驅(qū)動(dòng)電路_單片機(jī)如何驅(qū)動(dòng)MOS管

MOS管相比三極管來講,具有更低的導(dǎo)通內(nèi)阻,在驅(qū)動(dòng)大功率的負(fù)載時(shí),發(fā)熱量就會(huì)小很多。MOS管的驅(qū)動(dòng)與三極管有一個(gè)比較大的區(qū)別,MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的元件...

2020-06-26 標(biāo)簽:單片機(jī)MOS管 8.3萬 0

IGSS對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)漏電流的影響

dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力,越大越好。對(duì)系統(tǒng)來說,過高的dv/dt必然會(huì)帶來高的電壓尖峰,較差的EMI特性,不過該變化速率通過系統(tǒng)電路...

2020-06-05 標(biāo)簽:MOS管導(dǎo)通電阻 2.1萬 0

MOS管損壞之謎:雪崩壞?發(fā)熱壞?

MOS管損壞之謎:雪崩壞?發(fā)熱壞?

器件正常運(yùn)行時(shí)不發(fā)生的負(fù)載短路等引起的過電流,造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致破壞。另外,由于熱量不相配或開關(guān)頻率太高使芯片不能正常散熱時(shí),持續(xù)的發(fā)熱使溫度超出溝...

2020-06-04 標(biāo)簽:MOS管電感 4k 0

是什么原因?qū)е驴刂菩」β薀o刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞

是什么原因?qū)е驴刂菩」β薀o刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞

控制小功率無刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞,可能是什么原因呢?

2020-04-19 標(biāo)簽:MOS管無刷直流電機(jī) 9k 0

MOS管的封裝類型

在完成MOS管芯片在制作之后,需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼,這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用,同時(shí)還可為芯片提供電氣連接和...

2020-04-17 標(biāo)簽:封裝MOS管瑞薩 6.9k 0

關(guān)于BOOST電路中二極管的作用探討

關(guān)于BOOST電路中二極管的作用探討

【正文】 在電力電子中,最基本的BOOST電路圖如下: 圖1 BOOST電路圖 【注】圖中器件數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確,僅參考該電路拓?fù)?加入二極管的目的是為了防止形...

2020-04-03 標(biāo)簽:二極管MOS管Boost 8.7k 0

顯卡八爪魚MOS管詳解

經(jīng)過對(duì)顯卡整體的評(píng)估,索泰意識(shí)到圍繞著顯示核心和顯存動(dòng)腦筋是不會(huì)有理想結(jié)果的。因?yàn)檫@部分的設(shè)計(jì)只能按照芯片廠商的要求設(shè)計(jì),比如需要多少伏和多少安的供電。...

2020-04-04 標(biāo)簽:芯片MOS管顯卡 6.5k 0

用MOS管防止電源反接的原理?

用MOS管防止電源反接的原理?

正確連接時(shí):剛上電,MOS管的寄生二極管導(dǎo)通,所以S的電位大概就是0.6V,而G極的電位,是VBAT,VBAT-0.6V大于UGS的閥值開啟電壓,MOS...

2020-04-04 標(biāo)簽:二極管MOS管電位 6.3k 0

MOS管拆裝流程

MOS管屬于帶膠芯片。撬下來時(shí)需要對(duì)主板進(jìn)行除膠。除膠的時(shí)候要小心不能太大力度。不然會(huì)掉點(diǎn)。除膠用鑷子尖去輕輕刮就好了?;蛘哂眯笨诘哆M(jìn)行刮膠。把主板焊盤...

2020-04-04 標(biāo)簽:芯片MOS管 6.5k 0

MOS管如何精準(zhǔn)的控制電路電流

MOS管如何精準(zhǔn)的控制電路電流

MOS管是電壓控制器件,也就是需要使用電壓控制G腳來實(shí)現(xiàn)對(duì)管子電流的控制。市面上最常見的是增強(qiáng)型N溝通MOS管,廠家可以用一個(gè)電壓來控制G的電壓,MOS...

2020-04-04 標(biāo)簽:電流MOS管電壓控制 1.0萬 0

分析MOS管驅(qū)動(dòng)電流的三個(gè)竅門

以一個(gè)實(shí)際MOS管為例,看DATASHEET里有條TotalGateCharge曲線。該曲線先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開通(密勒效應(yīng))假定...

2020-04-04 標(biāo)簽:MOS管算法驅(qū)動(dòng)電流 9.4k 0

用萬用表去檢測MOS管好壞的方法

選用管子型號(hào)為IRF640,如上圖所示,一般在判斷好壞的時(shí)候先對(duì)MOS管放電(三極管就不需要,之所以需要放電是和他的工作原理有關(guān),這里就不多說了),放電...

2020-04-04 標(biāo)簽:三極管MOS管柵極 2.6萬 0

MOS管和三極管在功能上的區(qū)別

這個(gè)觸摸燈電路如下,圖的右下角也說明了這個(gè)電路操作過程,如果用手同時(shí)觸摸MOS管的G極(柵極)和電源正極,那么LED燈就會(huì)發(fā)光,即使手松開燈也繼續(xù)亮,至...

2020-04-04 標(biāo)簽:電源三極管MOS管 1.0萬 0

三極管和MOS管控制區(qū)別

三極管和MOS管控制區(qū)別

而MOS管就不一樣了,MOS管是電壓型驅(qū)動(dòng),其驅(qū)動(dòng)電壓必須高于其死區(qū)電壓Ugs的最小值才能導(dǎo)通,不同型號(hào)的MOS管其導(dǎo)通的Ugs最小值是不同的,一般為3...

2020-04-04 標(biāo)簽:三極管MOS管 5.5萬 2

三極管與MOS管加下拉電阻作用

三極管與MOS管加下拉電阻作用

極管一般應(yīng)用于開關(guān)電路、信號(hào)放大電路、電平轉(zhuǎn)換電路等,而MOS管多用于放大電路、開關(guān)電路,有時(shí)候兩者可以起到同樣的效果,例如在小負(fù)載的開關(guān)電路當(dāng)中。

2020-04-04 標(biāo)簽:三極管放大電路MOS管 9k 0

MOS管的選型及測量

MOS管的選型及測量

從圖中需要注意的是,MOS管是電壓控制型器件,是電壓控制電流大小的器件,穩(wěn)定工作在恒流區(qū),其也是半導(dǎo)體材料制成,那元器件好壞怎么測量?

2020-04-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 3.4k 0

mos管飽和區(qū)電流公式及MOS的其他三個(gè)區(qū)域解析

mos管飽和區(qū)電流公式及MOS的其他三個(gè)區(qū)域解析

轉(zhuǎn)移特性曲線可以從輸出特性曲線。上用作圖的方法求得。例如在圖3( a)中作Ubs=6V的垂直線,將其與各條曲線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的i、Us值在ib- Uss 坐...

2020-04-04 標(biāo)簽:電流MOS管晶體管 12.2萬 0

為什么MOS管飽和區(qū)溝道夾斷了還有電流?

為什么MOS管飽和區(qū)溝道夾斷了還有電流?

MOS管就像開關(guān)。柵極(G)決定源極(S)到漏極(D)是通還是不通。以NMOS為例,圖1中綠色代表(N型)富電子區(qū)域,黃色代表(P型)富空穴區(qū)域。P型和...

2020-04-02 標(biāo)簽:電流MOS管漏極 2.5萬 2

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