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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(2)
上一節(jié)的分析中,僅考慮了PIN1,而未考慮PIN2。PIN1與MOS結(jié)構(gòu)相連接,而PIN2則與基區(qū)相連接。
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(1)
分析IGBT,一般可以采用兩種模型,一種是簡化的“PIN+MOS”模型,一種是更切合實際的“PNP+MOS”模型,前者邏輯分析簡單
按施敏教授的觀點,半導(dǎo)體器件有四個最基本的結(jié)構(gòu)單元:金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合,比如BJT由...
MOS結(jié)構(gòu)加上一對背靠背的PN結(jié),就構(gòu)成一個MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時半導(dǎo)體表面不是反型的,此時由于PN結(jié)的反向截止效果,源漏之間不會導(dǎo)通。...
金屬-絕緣體(氧化層)-半導(dǎo)體構(gòu)成MOS結(jié)構(gòu),金屬作為柵極,當(dāng)柵極零偏時,理想情況下半導(dǎo)體能帶是平的,意味著半導(dǎo)體內(nèi)沒有凈電荷存在。
IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個pn結(jié),在正向?qū)〞r,背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴,使得N-區(qū)的電阻率急劇減?。措妼?dǎo)調(diào)制效應(yīng))。
淺析IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—Rds(on)
在推導(dǎo)MOS的IV特性時,我們通過建立了電阻R和電壓V之間的關(guān)系,從而消除歐姆定律中的電阻R,得到電流與電壓之間的關(guān)系,但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。
不間斷電源(UPS)是一種將蓄電池與主機相連接,將直流電轉(zhuǎn)換成市電的系統(tǒng)設(shè)備,主要是為了在市電故障時能夠為計算機網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)或其他電力電子設(shè)備提供可靠和連續(xù)的電能。
南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案
功率密度的大幅提升離不開第三代半導(dǎo)體的助力,氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,它可在更高的頻率下運行,且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...
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