mos

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MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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mos技術(shù)

IGBT的基礎(chǔ)知識(shí)

　　IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 IGBT 2.3k 0

基于Verilog的開(kāi)關(guān)級(jí)建模

開(kāi)關(guān)級(jí)建模是比門(mén)級(jí)建模更為低級(jí)抽象層次上的設(shè)計(jì)。在極少數(shù)情況下，設(shè)計(jì)者可能會(huì)選擇使用晶體管作為設(shè)計(jì)的底層模塊。隨著電路設(shè)計(jì)復(fù)雜度及相關(guān)先進(jìn)工具的出現(xiàn)，以...

2023-03-30 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)信號(hào) 2.3k 0

FP6296內(nèi)置MOS異步DC升壓芯片，單雙節(jié)鋰電池輸入，最高12V輸出

2023-08-14 標(biāo)簽：芯片 MOS 2.2k 0

IU5706 12V升36V大功率同步升壓控制器IC解決方案

深圳市永阜康科技有限公司現(xiàn)在大力推廣一顆外置MOS，36V輸出大功率同步升壓控制器-IU5706. 4.5V 到30V寬范圍輸入，適用于不同類(lèi)型的電池及...

2023-08-08 標(biāo)簽：電阻器 MOS 升壓控制器 2.2k 0

什么原因?qū)е滦」β薀o(wú)刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞

什么原因?qū)е驴刂菩」β薀o(wú)刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞呢？若能夠提供詳細(xì)電路圖及各元器件的型號(hào)（比如MOS管型號(hào)等）更好，由于沒(méi)電路圖，下面對(duì)這部分設(shè)計(jì)MO...

2023-02-15 標(biāo)簽：小功率 MOS 無(wú)刷直流電機(jī) 2.2k 0

廣電計(jì)量|功率場(chǎng)效應(yīng)管過(guò)壓失效機(jī)理及典型特征分析

失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過(guò)電失效，分為過(guò)壓失效及過(guò)流失效的兩種失效模式。對(duì)于以功率器件為代表的EOS過(guò)電失效樣品，其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面...

2024-09-18 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS 失效機(jī)理 2.2k 0

晶體管開(kāi)關(guān)電路計(jì)算實(shí)例(二)

引言：開(kāi)路集電極開(kāi)關(guān)和開(kāi)路發(fā)射極開(kāi)關(guān)也叫負(fù)載串聯(lián)型開(kāi)關(guān)，前者是負(fù)載串聯(lián)在集電極，后者是負(fù)載串聯(lián)在發(fā)射極。負(fù)載串聯(lián)型開(kāi)關(guān)使用更加廣泛，可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS...

2023-06-01 標(biāo)簽：led 開(kāi)關(guān)電路晶體管 2.2k 0

用最簡(jiǎn)單的方式帶你了解 MOS 管的七大封裝類(lèi)型！

在制作 MOS 管之后，需要給 MOS 管芯片加上一個(gè)外殼，這就是 MOS 管封裝。MOS 管封裝不僅起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用，同時(shí)還可以為芯片提供電...

2023-09-11 標(biāo)簽：封裝 MOS 2.2k 0

如何實(shí)現(xiàn)一種輸入沖擊電流抑制電路設(shè)計(jì)？

在開(kāi)關(guān)電源的輸入端存在容量較大的電容，由于電容兩端電壓不能突變的特性，設(shè)備接通瞬間電容相當(dāng)于短路，這就導(dǎo)致開(kāi)關(guān)電源輸入回路在接通瞬間有很大的沖擊電流，當(dāng)...

2023-08-25 標(biāo)簽：電源電路電路圖 2.2k 0

森國(guó)科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)

繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品，相較...

2023-07-20 標(biāo)簽：MOSFET MOS 體二極管 2.2k 1

如何用分立器件搭建BMS中采集模塊

現(xiàn)如隨著B(niǎo)MS的行業(yè)的日漸成熟今各大IC公司推出各種各樣的AFE芯片集成了電壓、電流、溫度采樣，通信傳輸，MOS控制，自檢診斷等大量功能極大方便了我們搭...

2023-03-10 標(biāo)簽：mcu AFE 分立器件 2.2k 0

詳細(xì)說(shuō)明功率放大器有哪些類(lèi)型

在前面的文章中，金譽(yù)半導(dǎo)體有講過(guò)，功率放大器（簡(jiǎn)稱：功放）（Power Amplifier）“功率放大器”，顧名思義，是將“功率”放大的放大器。進(jìn)入微弱...

2023-01-11 標(biāo)簽：放大器功率放大器功放 2.2k 0

一種大電荷處理能力紅外探測(cè)器讀出電路像素設(shè)計(jì)

讀出電路將紅外探測(cè)器二極管激發(fā)產(chǎn)生的光電子收集、積分成為電壓信號(hào)并按序讀出，使其變成后端系統(tǒng)可讀的電信號(hào)，是紅外焦平面探測(cè)器的重要組成部分。

2024-01-09 標(biāo)簽：二極管 MOS 紅外探測(cè)器 2.2k 0

多晶硅柵工藝的制造流程

與亞微米工藝類(lèi)似，多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極，柵極的作用是控制器件的關(guān)閉或者導(dǎo)通。淀積的多晶硅是未摻雜的，它是通過(guò)后續(xù)的源漏離子注入進(jìn)...

2024-11-07 標(biāo)簽：晶圓工藝 MOS 2.1k 0

如何用MOS管實(shí)現(xiàn)防反接電路以及降壓電路呢？

在我們?nèi)粘４蚪坏赖碾娮赢a(chǎn)品中，基本上所有的電子元件都是用的直流電，因此當(dāng)我們的電源線插反時(shí)，極易容易燒壞電子產(chǎn)品。

2023-09-26 標(biāo)簽：MOS管降壓電路輸出電壓 2.1k 0

MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比：中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE，幫助客戶理解這...

2025-07-07 標(biāo)簽：MOSFET IGBT MOS 2.1k 0

MOS場(chǎng)效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識(shí)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流，MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極絕緣，沒(méi)有電流。

2023-08-17 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 2.1k 1

mos是電壓驅(qū)動(dòng)還是電流驅(qū)動(dòng)的

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件，其導(dǎo)電狀態(tài)主要受柵極電壓的控制。它具有許多優(yōu)點(diǎn)，如高輸入阻抗、低功耗...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOS 電子電路半導(dǎo)體器件 2.1k 0

常見(jiàn)的二極管、三極管、MOS封裝類(lèi)型

二極管常見(jiàn)的封裝類(lèi)型，DO-15、DO-27、SOD-323、SOD-723等，相信大家都很熟悉。

2023-08-31 標(biāo)簽：集成電路三極管二極管 2.1k 0

MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)有哪些？

MOSFET的全稱為：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常稱之為，金屬-氧化層-...

2022-12-28 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 MOS 2.1k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的?？梢酝ㄟ^(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無(wú)線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒(méi)有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
SDK

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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
基站測(cè)試

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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
靜電防護(hù)

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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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