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      標簽　>　nand flash

      nand flash

      nand flash

      +關(guān)注6人關(guān)注

      Nand-flash存儲器是flash存儲器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。

      文章：220個 瀏覽：41369次 帖子：63個

      nand flash資訊

      SK海力士2024年第一季度將調(diào)整DRAM減產(chǎn)計劃

      盡管在2023年面臨存儲芯片市場下滑和價格下跌，SK海力士因應人工智能芯片需求的增長，尤其是高帶寬內(nèi)存（HBM）的激增，于去年12月成功超越競爭對手三星...

      2024-01-12 標簽：DRAM三星電子Nand flash 1.1k 0

      NAND Flash市場動態(tài)：需求擴大與價格漲勢

      　在2024年第一季度，NAND Flash及其相關(guān)產(chǎn)品的價格預計將呈現(xiàn)上漲趨勢。盡管面臨傳統(tǒng)淡季需求下降的情況，采購活動仍在持續(xù)擴大，以建立安全庫存水位。

      2024-01-11 標簽：智能手機SSDNand flash 1.7k 0

      2024年第一季度NAND Flash合同價格預計將上漲15%-20%

      2024年第一季度NAND Flash合同價格預計將上漲15%-20%

      供應商為了盡量減少損失，正在推高NAND Flash價格。

      2024-01-10 標簽：智能手機DRAM晶圓 1.4k 0

      存儲芯片價格過去2個月內(nèi)上漲約六至七成，2024年一季度是觀察重點

      存儲芯片漲價風潮進一步蔓延，這一次NOR Flash行業(yè)即將迎來拐點。摩根士丹利最新報告指出，2024年全球NOR Flash市場將從供過于求轉(zhuǎn)向供不應...

      2024-01-04 標簽：DDR4存儲芯片Nand flash 2.1k 0

      NAND芯片未來報價漲幅至少會達五成

      綜觀全球儲存型快閃記憶體（NAND Flash）市場排名，研調(diào)機構(gòu)Omdia報告顯示，三星以34.3%市占率位居龍頭，第二名是日商鎧俠（市占率19.5%...

      2024-01-04 標簽：芯片NAND存儲芯片 721 0

      半導體暴增20%，哪些賽道市場會開始回暖呢？

      半導體暴增20%，哪些賽道市場會開始回暖呢？

      今年的半導體可謂寒風瑟瑟，市場下滑的消息從年頭傳到年尾，半導體企業(yè)也疲于應對蕭瑟的市場環(huán)境，不斷傳出減產(chǎn)、虧損的消息。

      2024-01-04 標簽：半導體DRAM晶圓 1.1k 0

      存儲市場動態(tài)：DRAM價格大幅上漲在即

      隨著上游原廠醞釀提價，多家存儲器模塊業(yè)者已經(jīng)開始備貨，以應對潛在的市場變化。預計供應給OEM廠商的合約價將在二季度起全面反映DRAM的漲價趨勢。

      2024-01-03 標簽：DRAM存儲器DDR4 1.5k 0

      NAND芯片價格止跌回升，供應商尋求更大利潤

      全球儲存型快閃記憶體市場排名中，三星以34.3%的市占率居于領(lǐng)先地位。為達到盈利目標，NAND芯片供應商將持續(xù)拉抬報價。

      2024-01-02 標簽：NAND存儲芯片Nand flash 1.4k 0

      存儲芯片市場回暖 多項存儲產(chǎn)品歷經(jīng)兩年首次漲價

      據(jù)11月DRAM內(nèi)存大宗交易價格數(shù)據(jù)顯示，8GB DDR4的單價約為1.65美元，環(huán)比上漲11%。這是自2021年6月以來，該產(chǎn)品價格首次出現(xiàn)上漲。

      2023-12-25 標簽：DRAM存儲器DDR4 1.2k 0

      存儲芯片部分型號漲幅達50%

      從存儲芯片的市場表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）與NAND Flash（閃存存儲器）目前的價格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。

      2023-12-19 標簽：DRAM存儲芯片Nand flash 808 0

      英偉達HBM3e 驗證計劃2024 Q1完成

      英偉達HBM3e 驗證計劃2024 Q1完成

      HBM4 預計將于 2026 年推出，具有針對英偉達和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強規(guī)格和性能。在更高速度的推動下，HBM4 將標志著其最底部邏輯...

      2023-11-28 標簽：存儲芯片Nand flash英偉達 935 0

      DDR3芯片價格短線急漲近一成？

      法人指出，標準型DRAM與NAND芯片目前都由三星、SK海力士、美光等國際大廠主導，臺廠在芯片制造端無法與其抗衡，僅模組廠有望以低價庫存優(yōu)勢搭上DRAM...

      2023-11-22 標簽：DDR3AI芯片制造 717 0

      存儲行業(yè)價格漲勢能延續(xù)多久？

      四季度手機DRAM合約價季度漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash中，eMMC、UFS四季度合約價漲幅約10~15%。

      2023-10-31 標簽：DRAM存儲器存儲芯片 610 0

      為什么Nor Flash可以實現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？

      為什么Nor Flash可以實現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲器是一種常用的非易失性存儲器，廣泛應用于各種電子設(shè)備中。它們的價...

      2023-10-29 標簽：XIP技術(shù)Nand flashNOR flash 2k 0

      全面漲價 NAND Flash晶圓的漲幅有望領(lǐng)跑

      全面漲價 NAND Flash晶圓的漲幅有望領(lǐng)跑

      據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應商嚴格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季度合約價全面起漲，漲幅約8~13%。

      2023-10-22 標簽：晶圓存儲芯片Nand flash 1.4k 0

      存儲芯片普漲行情能走多遠？

      存儲芯片普漲行情能走多遠？

      競爭格局方面，在DRAM領(lǐng)域，三星、SK海力士和美光三大廠商2023年市場占有率合計已超過95%，基本上在該領(lǐng)域形成了絕對的壟斷優(yōu)勢。國內(nèi)DRAM晶圓廠...

      2023-10-19 標簽：芯片集成電路存儲芯片 1.1k 0

      存儲芯片將迎接曙光 現(xiàn)貨全線漲價！

      市場研究機構(gòu) TrendForce 日前報告也指出，近期 NAND Flash 現(xiàn)貨市場顆粒報價受到晶圓合約價成功拉漲消息帶動，部分品項出現(xiàn)較積極詢價需求。

      2023-09-21 標簽：晶圓存儲芯片Nand flash 742 0

      三星內(nèi)存芯片最高漲20%

      9月12日，據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》報導，三星電子近期與客戶（谷歌等手機制造商）簽署了內(nèi)存芯片供應協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價格較現(xiàn)有合同價格上調(diào)10%...

      2023-09-14 標簽：DRAMSSD存儲芯片 815 0

      存儲芯片迎來利好消息！一些客戶已接受30%的漲價

      市場研究機構(gòu)TrendForce日前報告也指出，近期NAND Flash現(xiàn)貨市場顆粒報價受到晶圓合約價成功拉漲消息帶動，部分品項出現(xiàn)較積極詢價需求。

      2023-09-07 標簽：存儲器存儲芯片Nand flash 1k 0

      晶圓現(xiàn)貨市場的短期飆升 有晶圓合約成功漲價10%

      晶圓現(xiàn)貨市場的短期飆升 有晶圓合約成功漲價10%

      近期，受晶圓合約價格成功上漲的推動，NAND Flash芯片現(xiàn)貨市場部分產(chǎn)品的詢價活躍度有所上升。TrendForce報告稱，這一增長主要源于8月底 N...

      2023-09-04 標簽：NAND晶圓SSD 725 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        海思
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        +關(guān)注
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        K60
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        +關(guān)注
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      • 步進驅(qū)動器
        步進驅(qū)動器
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        步進驅(qū)動器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機構(gòu)。當步進驅(qū)動器接收到一個脈沖信號，它就驅(qū)動步進電機按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動一個固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運行的?？梢酝ㄟ^控制脈沖個數(shù)來控制角位移量，從而達到準確定位的目的；同時可以通過控制脈沖頻率來控制電機轉(zhuǎn)動的速度和加速度，從而達到調(diào)速和定位的目的。
      • CD4046
        CD4046
        +關(guān)注
        cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
      • COMSOL
        COMSOL
        +關(guān)注
        COMSOL集團是全球多物理場建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導者。憑借創(chuàng)新的團隊、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學家們可以通過模擬，賦予設(shè)計理念以生命。
      • 加速度傳感器
        加速度傳感器
        +關(guān)注
        加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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        聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
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        ESP8266
        +關(guān)注
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        TMS320F28335
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      Marke_Chen jf_56846646 jf_16754549 jf_45705991 馳騁_298011575 jf_67111957 半畝方塘_502

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