標(biāo)簽 > nand閃存
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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
適用于 LTE 頻段 42 的 SkyB 用于 FDD/TDD LTE (Tx 波 用于 FDD/TDD LTE 的五頻功率 高功率 ( 22 dBm) 802.11 4.9-5.9 GHz SPDT 開關(guān), 750 至 770 MHz 線性功率放大 1710-1950 MHz 可變增益放大 814-849 MHz 高線性度、有源偏 699 至 748 MHz 高線性度、有 1.710-1.785 GHz 高線性度 1850-1915 MHz 高線性度、有 40 MHz 至 1 GHz 寬帶 75
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