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nand

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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。

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nand資訊

瀚海微SD NAND應(yīng)用存儲(chǔ)功能描述 3 總線信號(hào)電壓和時(shí)序

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2024-07-23 標(biāo)簽:NAND總線時(shí)序 858 0

瀚海微SD NAND應(yīng)用之SD協(xié)議系統(tǒng)功能和概念 1 基礎(chǔ)知識(shí)

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2024-07-19 標(biāo)簽:NANDSD 1.3k 0

瀚海微SD NAND應(yīng)用之SD協(xié)議物理層的規(guī)范

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本文中的數(shù)字規(guī)則 十六進(jìn)制數(shù)字以小寫“h”后綴書寫,例如FFFFh和80h。 二進(jìn)制數(shù)用小寫“b”后綴書寫(例如,10b)。 大于四位數(shù)的二進(jìn)制數(shù)用一個(gè)...

2024-07-18 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)卡SD 781 0

三星電子存儲(chǔ)芯片價(jià)格大幅上調(diào),中國(guó)市場(chǎng)面臨挑戰(zhàn)與機(jī)遇

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2024-07-18 標(biāo)簽:NAND三星電子存儲(chǔ)芯片 1.1k 0

三星和鎧俠持續(xù)加大對(duì)NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新

AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動(dòng)著存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的飛躍,其中,海量數(shù)據(jù)的激增對(duì)存儲(chǔ)容量與性能提出了更高要求,使得NAND Flash技術(shù)的重要性日益...

2024-07-05 標(biāo)簽:NANDFlaShqlc 1.3k 0

鎧俠產(chǎn)能利用率全面復(fù)蘇,218層NAND Flash即將量產(chǎn)

近期,日本NAND Flash領(lǐng)軍企業(yè)鎧俠(Kioxia)傳來振奮人心的消息。隨著全球AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展和市場(chǎng)需求的強(qiáng)勁反彈,該公司產(chǎn)能利用率在經(jīng)歷了一...

2024-07-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體NANDFlaSh 1.1k 0

至訊創(chuàng)新量產(chǎn)業(yè)內(nèi)最小512Mb工業(yè)級(jí)NAND閃存芯片

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2024-07-04 標(biāo)簽:NAND閃存芯片存儲(chǔ)芯片 1.1k 0

三星第9代V-NAND采用鉬金屬布線技術(shù)

據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道,三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實(shí)現(xiàn)了重大突破,首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬(Mo)技術(shù)。這一創(chuàng)新標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體制造...

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鎧俠結(jié)束NAND閃存減產(chǎn),工廠開工率已恢復(fù)至100%

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存儲(chǔ)芯片廠商鎧俠結(jié)束減產(chǎn),生產(chǎn)線全面恢復(fù)

近日,日本存儲(chǔ)芯片 廠商鎧俠控股(Kioxia Holdings,原東芝存儲(chǔ)器)宣布時(shí)隔1年零8個(gè)月后正式解除減產(chǎn)措施。這一決定標(biāo)志著公司對(duì)市場(chǎng)需求的積...

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鎧俠結(jié)束減產(chǎn),獲新銀行貸款助力市場(chǎng)復(fù)蘇

近日,日本內(nèi)存芯片巨頭鎧俠(Kioxia)宣布結(jié)束長(zhǎng)達(dá)20個(gè)月的減產(chǎn)策略,這一轉(zhuǎn)變標(biāo)志著市場(chǎng)對(duì)NAND閃存需求的復(fù)蘇。為了支持其業(yè)務(wù)增長(zhǎng),鎧俠成功獲得了...

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鎧俠NAND閃存生產(chǎn)恢復(fù)

近日,據(jù)日本媒體報(bào)道,知名半導(dǎo)體企業(yè)鎧俠(Kioxia)已成功將其位于日本三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND閃存工廠的生產(chǎn)線開工率提升至100%。...

2024-06-18 標(biāo)簽:閃存NAND鎧俠 1.1k 0

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