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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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瀚海微SD NAND應(yīng)用存儲(chǔ)功能描述 3 總線信號(hào)電壓和時(shí)序
母線信號(hào)電壓切換順序: 初始化順序電壓切換命令順序如下方圖所示, 初始化命令順序如圖所示UHS-I主機(jī)流程圖。 紅色和黃色框是初始化UHS-I卡的新程序...
瀚海微SD NAND應(yīng)用之SD協(xié)議系統(tǒng)功能和概念 1 基礎(chǔ)知識(shí)
針對(duì)目前使用的SDNAND?、SD卡、TF卡,簡(jiǎn)單介紹一下系統(tǒng)信息 標(biāo)準(zhǔn)容量SD存儲(chǔ)卡(SDSC):不超過2GB 高容量SD存儲(chǔ)卡(SDHC): 2GB...
瀚海微SD NAND應(yīng)用之SD協(xié)議物理層的規(guī)范
本文中的數(shù)字規(guī)則 十六進(jìn)制數(shù)字以小寫“h”后綴書寫,例如FFFFh和80h。 二進(jìn)制數(shù)用小寫“b”后綴書寫(例如,10b)。 大于四位數(shù)的二進(jìn)制數(shù)用一個(gè)...
三星電子存儲(chǔ)芯片價(jià)格大幅上調(diào),中國(guó)市場(chǎng)面臨挑戰(zhàn)與機(jī)遇
近日,三星電子宣布了一項(xiàng)重大市場(chǎng)決策,計(jì)劃在第三季度對(duì)其DRAM和NAND閃存存儲(chǔ)芯片進(jìn)行15%-20%的價(jià)格調(diào)整。這一舉措背后,是人工智能領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?..
三星和鎧俠持續(xù)加大對(duì)NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新
AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動(dòng)著存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的飛躍,其中,海量數(shù)據(jù)的激增對(duì)存儲(chǔ)容量與性能提出了更高要求,使得NAND Flash技術(shù)的重要性日益...
鎧俠產(chǎn)能利用率全面復(fù)蘇,218層NAND Flash即將量產(chǎn)
近期,日本NAND Flash領(lǐng)軍企業(yè)鎧俠(Kioxia)傳來振奮人心的消息。隨著全球AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展和市場(chǎng)需求的強(qiáng)勁反彈,該公司產(chǎn)能利用率在經(jīng)歷了一...
至訊創(chuàng)新量產(chǎn)業(yè)內(nèi)最小512Mb工業(yè)級(jí)NAND閃存芯片
近日,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片企業(yè)至訊創(chuàng)新科技(無錫)有限公司宣布了一項(xiàng)重要突破,成功量產(chǎn)了512Mb高可靠性工業(yè)級(jí)2D NAND閃存芯片。這款芯片的推出,不...
據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道,三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實(shí)現(xiàn)了重大突破,首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬(Mo)技術(shù)。這一創(chuàng)新標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體制造...
SD NAND、SPI NAND和eMMC的區(qū)別對(duì)比分析
SPI NAND、SD NAND和eMMC是三種不同類型的嵌入式存儲(chǔ)技術(shù),它們各自具有獨(dú)特的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。以下是這三種存儲(chǔ)技術(shù)的主要區(qū)別:
2024-07-02 標(biāo)簽:mcuNAND存儲(chǔ)技術(shù) 3.6k 0
消息稱三星客戶已包下V8-NAND 2025年產(chǎn)能
在人工智能(AI)技術(shù)日新月異的今天,數(shù)據(jù)中心對(duì)大容量固態(tài)硬盤(SSD)的需求呈現(xiàn)出前所未有的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。業(yè)內(nèi)最新消息顯示,由于NAND閃存供應(yīng)可能在下半...
鎧俠瞄準(zhǔn)2027年:挑戰(zhàn)1000層堆疊的3D NAND閃存新高度
在全球半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,日本知名存儲(chǔ)芯片制造商鎧俠(Kioxia)展現(xiàn)了其雄心壯志和堅(jiān)定決心。在結(jié)束了長(zhǎng)達(dá)20個(gè)月的NAND閃存減產(chǎn)計(jì)劃后,鎧俠的...
預(yù)期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊,而此前鎧俠計(jì)劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3...
今日看點(diǎn)丨曝三星計(jì)劃Q3對(duì)DRAM、NAND漲價(jià)15%~20%;傳蘋果將大砍一半產(chǎn)線員工
1. 傳三星計(jì)劃Q3 對(duì)DRAM 、NAND 漲價(jià)15%~20% ,現(xiàn)已通報(bào)客戶 ? 6月26日,多家媒體報(bào)道稱,三星計(jì)劃于第三季度把動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(D...
美光232層NAND產(chǎn)品支持設(shè)備更加智能化
時(shí)光飛逝,又是一年畢業(yè)季,是每個(gè)莘莘學(xué)子踏入職場(chǎng)的開始。作為創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍者,多年來,美光始終致力于推廣 STEM 教育與人才培養(yǎng)...
SSD主控芯片格局已定?一家國(guó)內(nèi)企業(yè)躋身全球第二,主控江湖劍指PCIe5.0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)前不久,在新“國(guó)九條”后,首家過會(huì)的IPO項(xiàng)目花落科創(chuàng)板擬上市企業(yè)聯(lián)蕓科技。目前聯(lián)蕓科技提交的上交所科創(chuàng)板IPO注冊(cè)生效,...
鎧俠結(jié)束NAND閃存減產(chǎn),工廠開工率已恢復(fù)至100%
隨著存儲(chǔ)器市場(chǎng)的逐步復(fù)蘇,日本半導(dǎo)體巨頭鎧俠(Kioxia)已正式結(jié)束其NAND閃存減產(chǎn)策略。這一戰(zhàn)略調(diào)整基于市場(chǎng)需求增長(zhǎng)和公司財(cái)務(wù)狀況的改善。
存儲(chǔ)芯片廠商鎧俠結(jié)束減產(chǎn),生產(chǎn)線全面恢復(fù)
近日,日本存儲(chǔ)芯片 廠商鎧俠控股(Kioxia Holdings,原東芝存儲(chǔ)器)宣布時(shí)隔1年零8個(gè)月后正式解除減產(chǎn)措施。這一決定標(biāo)志著公司對(duì)市場(chǎng)需求的積...
鎧俠結(jié)束減產(chǎn),獲新銀行貸款助力市場(chǎng)復(fù)蘇
近日,日本內(nèi)存芯片巨頭鎧俠(Kioxia)宣布結(jié)束長(zhǎng)達(dá)20個(gè)月的減產(chǎn)策略,這一轉(zhuǎn)變標(biāo)志著市場(chǎng)對(duì)NAND閃存需求的復(fù)蘇。為了支持其業(yè)務(wù)增長(zhǎng),鎧俠成功獲得了...
近日,據(jù)日本媒體報(bào)道,知名半導(dǎo)體企業(yè)鎧俠(Kioxia)已成功將其位于日本三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND閃存工廠的生產(chǎn)線開工率提升至100%。...
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