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標(biāo)簽 > nmos

nmos

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NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。

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nmos技術(shù)

一文詳解MOS管的工作原理

一文詳解MOS管的工作原理

mos管是一種具有絕緣柵的FET,其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明mos管是為了克服 FET 中存在的缺點(diǎn),如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以...

2023-05-16 標(biāo)簽:模擬電路MOS管NMOS 1.3萬(wàn) 1

幾種常用的防反接電路

幾種常用的防反接電路

描述:采用二極管進(jìn)行保護(hù),電路簡(jiǎn)單,成本低,占用空間少,但是二極管PN結(jié)在導(dǎo)通時(shí),會(huì)存在一定的壓降,一般在0.5V左右(主要根據(jù)選型的二極管參數(shù)決定)

2023-05-08 標(biāo)簽:二極管usbMOS管 5.1k 1

詳解MOS管的基本原理和工作特性

詳解MOS管的基本原理和工作特性

都說(shuō)酒是穿腸藥,色是刮骨刀,那么在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,咱門的MOS管大哥,便是傳統(tǒng)真空管電子以及分離式固態(tài)射頻電路的 意大利炮 ,正逐步用他那無(wú)與倫比的性能...

2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFETMOS管NMOS 5.3k 0

MOS管的工作狀態(tài)以及NMOS管的I/V特性曲線

MOS管的工作狀態(tài)以及NMOS管的I/V特性曲線

根據(jù)上一篇對(duì)CMOS工作原理的分析,我們可以將MOS管的工作狀態(tài)分為以下4個(gè)區(qū)域,以NMOS為例。

2023-04-25 標(biāo)簽:三極管MOS管NMOS 4.4萬(wàn) 0

NMOS場(chǎng)效應(yīng)管/PMOS場(chǎng)效應(yīng)管防反保護(hù)解析

NMOS場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時(shí)候,R1、R...

2023-04-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管NMOS控制電路 2.7k 0

NMOS晶體管線性區(qū)導(dǎo)通電阻詳解

NMOS晶體管線性區(qū)導(dǎo)通電阻詳解

NMOS晶體管工作在線性區(qū)時(shí),漏源兩端的溝道存在阻性連接,以下文字對(duì)這種阻性連接進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。

2023-04-17 標(biāo)簽:電流NMOS電壓 5.2k 0

基于CMOS的非門、與非門、或非門設(shè)計(jì)

利用CMOS設(shè)計(jì)電路需先自行學(xué)習(xí)NMOS和PMOS的基本原理。

2023-04-11 標(biāo)簽:CMOSNMOS非門 1.4萬(wàn) 0

Class-AB輸出級(jí)電路淺析

Class-AB輸出級(jí)電路淺析

采用Class-AB輸出級(jí)設(shè)計(jì)的運(yùn)放可在較低的靜態(tài)電流下實(shí)現(xiàn)軌對(duì)軌輸出,推挽的輸出方式使得其在大信號(hào)建立時(shí)的電流不受靜態(tài)電流的限制,可以實(shí)現(xiàn)更好的壓擺率...

2023-04-10 標(biāo)簽:電路NMOS運(yùn)放 1.4萬(wàn) 0

芯片功耗的IR分析

低功耗設(shè)計(jì)的重要性,從下圖可窺一斑,隨著工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)演化,45nm工藝的動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗相比90nm工藝分別增加到了2倍、6.5倍。

2023-04-04 標(biāo)簽:NMOS低功耗設(shè)計(jì)漏電流 5.2k 0

淺談芯片低功耗的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

眾所周知,隨著芯片越來(lái)越大,功能越來(lái)越豐富,以及移動(dòng)市場(chǎng)的切實(shí)需求,低功耗的芯片設(shè)計(jì),越來(lái)越受到推崇。這里,結(jié)合多年的低功耗設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),把一些理念和方法,...

2023-03-31 標(biāo)簽:芯片NMOS低功耗 4.4k 0

一文講透MOS管,從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用

一文講透MOS管,從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用

MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。

2023-03-28 標(biāo)簽:二極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.2萬(wàn) 0

三極管和MOS管驅(qū)動(dòng)電路的正確用法

三極管和MOS管驅(qū)動(dòng)電路的正確用法

MOS管是電壓控制電流器件,用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。 有P溝道MOS管(簡(jiǎn)稱PMOS)和N溝道MOS管(簡(jiǎn)稱NMOS),符號(hào)如下(此處只討論...

2023-03-28 標(biāo)簽:三極管MOS管NMOS 10k 0

NMOS與PMOS管的原理及選型

如上圖MOS管符號(hào),要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。

2023-03-28 標(biāo)簽:二極管MOS管NMOS 2.9萬(wàn) 0

詳解低功耗設(shè)計(jì)

詳解低功耗設(shè)計(jì)

功耗越低,同等電量下電子產(chǎn)品工作時(shí)間越長(zhǎng),便攜性設(shè)備的電池容量和體積設(shè)計(jì)的困難度也會(huì)降低。例如,手機(jī)越做越薄,性能還不受影響,就是因?yàn)榈凸脑O(shè)計(jì)發(fā)揮了至...

2023-03-26 標(biāo)簽:CMOSNMOS低功耗 3.3k 0

MOS管的基本認(rèn)識(shí)

不論N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的: 要么都由S指向D,要么都有D指向S。

2023-03-24 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管NMOS 1.2k 0

正確使用三極管和MOS管

正確使用三極管和MOS管

三極管是電流控制器件,用基極電流的變化控制集電極電流的變化。 有NPN型三極管和PNP型三極管兩種。

2023-03-14 標(biāo)簽:三極管MOS管NMOS 1.9k 0

一鍵開關(guān)機(jī)電路的工作原理及電路圖講解

一鍵開關(guān)機(jī)電路的工作原理及電路圖講解

  今天給大家講解一款廣泛應(yīng)用于智能硬件產(chǎn)品中的一鍵開關(guān)機(jī)電路。首先,我們先定義需要實(shí)現(xiàn)的功能:長(zhǎng)按開機(jī)、長(zhǎng)按關(guān)機(jī)、短按功能切換。接下來(lái)我們就對(duì)照如下電...

2023-03-13 標(biāo)簽:電路圖NMOSPMOS 2.3萬(wàn) 1

開關(guān)管的特性及使用注意事項(xiàng)

開關(guān)管的特性及使用注意事項(xiàng)

上期我們講解了開關(guān)電源中的DC-AC類,也就是逆變器的原理。

2023-03-10 標(biāo)簽:開關(guān)電源NMOS逆變器 3.5k 0

淺談NMOS的作用

淺談NMOS的作用

說(shuō)明:主要存在于單獨(dú)MOS中,這三種叫法意思都一樣。本文以NMOS來(lái)說(shuō)明。

2023-03-10 標(biāo)簽:NMOSMOS電子開關(guān) 6.2k 0

NMOS型和PMOS型的穩(wěn)壓電路講解

NMOS型和PMOS型的穩(wěn)壓電路講解

NMOS型和PMOS型的穩(wěn)壓電路如下圖所示。

2023-03-10 標(biāo)簽:串聯(lián)NMOS管腳 7.9k 0

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酒醒微涼 你眼睛好漂亮 Alondra

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