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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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MOSFET的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性小結(jié)
上一期中提到 當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時(shí),溝道中出現(xiàn)夾斷效應(yīng),溝道的長(zhǎng)度對(duì)略微減小。很多場(chǎng)景我們可以忽略這個(gè)長(zhǎng)度的變化,但是當(dāng)精度要求比較高...
由閾值電壓的公式可看出,閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān),所以在設(shè)計(jì)中把它當(dāng)成一個(gè)常數(shù)。 當(dāng)器件尺寸不斷縮小時(shí),此模型不再精確,閾值電壓與L、...
目前MOSFET仍是數(shù)字集成電路廣泛使用的器件,根據(jù)MOS管的靜態(tài)模型,以NMOS為例,分析其電流電壓特性。 器件部分涉及到很多半導(dǎo)體物理、器件物理相關(guān)...
眾所周知MOS是電壓型驅(qū)動(dòng),只有G極比S極高一個(gè)開啟電壓Vth之后,MOS才會(huì)導(dǎo)通(這里指NMOS)。
2023-02-10 標(biāo)簽:NMOS驅(qū)動(dòng)MOS 3.3k 0
模擬開關(guān)是電子開關(guān)的一種,為了導(dǎo)通(或隔離)模擬信號(hào)(包括電壓和電流信號(hào))以及支持模擬應(yīng)用(例如音頻和視頻數(shù)據(jù)傳輸)而設(shè)計(jì)的。需要注意跟負(fù)載開關(guān)做區(qū)分,...
2023-02-09 標(biāo)簽:NMOS模擬開關(guān)PMOS 3.6k 0
如下圖所示,左邊為NMOS,右邊為PMOS,由MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出,其襯底B與漏極D整好構(gòu)成一個(gè)PN結(jié),這個(gè)PN是由于MOS結(jié)構(gòu)天然而成的,如果將...
本文來自:ADI投稿 引言 處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會(huì)...
2023-02-01 標(biāo)簽:保護(hù)電路電池充電器電路設(shè)計(jì) 1.2k 0
二級(jí)運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)過程及電路仿真
運(yùn)算放大器采用圖1所示的電路結(jié)構(gòu),電路中的電流源均采用共源共柵結(jié)構(gòu),可以獲得較高的共模抑制比和電流復(fù)制精度。 其性能指標(biāo)為增益帶寬積GBW=100M...
2023-01-30 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器NMOS 2.0萬 0
為什么MOS管要并聯(lián)一個(gè)二極管?有什么用?
MOS管,是MOSFET的縮寫,全拼是Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,翻譯過來是金屬-...
上周討論了MOS管的Rdson和Vgs、Vds有怎樣的關(guān)系?,這個(gè)屬于比較細(xì)節(jié)的問題,在面試中基本不會(huì)遇到,但是今天討論的這個(gè)問題還是很有可能碰到的。
大家好,當(dāng)我說到MOS管的時(shí)候呢,你的腦子里可能是一團(tuán)糨糊的。
電源反接,會(huì)給電路造成損壞,電源反接是不可避免的。所以我們就需要給電路中加入保護(hù)電路,達(dá)到即使接反電源,也不會(huì)損壞的目的,下面介紹幾種常用防反接電路。
本章定性和定量分析MOS的電流IDS與柵源電壓VGS、漏源電壓VDS間的IV特性關(guān)系。NMOS的剖面結(jié)構(gòu)圖以及其電路符合如下圖所示,由柵極(G),漏極(...
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