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NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。

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nmos技術(shù)

4種常用的防反接電路

不管你是做什么電子產(chǎn)品，電源供電是必不可少的，今天給大家分享幾種常用的防反接電路，在我們工作中可能用的到。所謂防反接，就是正插時(shí)設(shè)備正常工作，反插時(shí)，...

2024-11-27 標(biāo)簽：二極管 NMOS 防反接電路 6.5k 0

浮柵晶體管的組成結(jié)構(gòu)以及原理

浮柵晶體管主要是應(yīng)用于于非易失性存儲(chǔ)器之中，比如nand flash中的基本單元，本文介紹了浮柵晶體管的組成結(jié)構(gòu)以及原理。 ? ? 上圖就是浮柵晶體管大...

2024-11-24 標(biāo)簽：NMOS 晶體管 3.7k 0

PMOS與NMOS的防反保護(hù)電路差異探討

簡單的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，我們會(huì)使用NMOS來作防反電路，原因是成本較低。 PMOS一般會(huì)放置在電路的高邊，NMOS則是在低邊放置。兩者的功能類似。不過，...

2024-11-19 標(biāo)簽：保護(hù)電路 NMOS PMOS 2.1k 0

電平轉(zhuǎn)換電路的實(shí)現(xiàn)原理及電路圖分享

5V和3.3V是單片機(jī)系統(tǒng)中常見的電平，對(duì)于IIC和SPI等輸傳輸協(xié)議，芯片和芯片之間存在高低電平定義范圍不一致的問題，所以需要電平轉(zhuǎn)換電路來保證這些芯...

2024-11-13 標(biāo)簽：NMOS 電平轉(zhuǎn)換 3k 0

NMOS型和PMOS型LDO的工作原理

實(shí)際常見的電源應(yīng)用有DCDC和LDO兩種，與DCDC電路不同的是，LDO輸出晶體管的工作狀態(tài)是線性工作模式，并非開關(guān)模式。

2024-10-28 標(biāo)簽：ldo NMOS 晶體管 3.2k 0

干貨分享：Air700ECQ的硬件設(shè)計(jì)，第一部分

?# 一、緒論 Air700ECQ是一款基于移芯EC716E平臺(tái)設(shè)計(jì)的LTE Cat 1無線通信模組。支持移動(dòng)雙模FDD-LTE/TDD-LTE的4G遠(yuǎn)...

2024-10-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)傳輸 NMOS LTE 1.8k 0

為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實(shí)現(xiàn)

高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的，開關(guān)相對(duì)于負(fù)載處于高電位，如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換，就是低側(cè)開關(guān)。

2024-10-08 標(biāo)簽：開關(guān)負(fù)載 MOS管 4.1k 0

NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們在多個(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特...

2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NMOS 晶體管 8.7k 0

柵介質(zhì)層的發(fā)展和挑戰(zhàn)

隨著集成電路工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成電路器件的特征尺寸不斷按比例縮小，工作電壓不斷降低。...

2024-08-02 標(biāo)簽：集成電路 MOS管 NMOS 3.2k 0

多晶硅柵耗盡效應(yīng)簡述

當(dāng)柵與襯底之間存在壓差時(shí)，它們之間存在電場，靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲，并且電荷耗盡，從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會(huì)在多晶...

2024-08-02 標(biāo)簽：多晶硅靜電 NMOS 6.4k 0

應(yīng)力記憶技術(shù)介紹

應(yīng)力記憶技術(shù)（Stress Memorization Technique, SMT），是一種利用覆蓋層Si3N4單軸張應(yīng)力提高90nm 及以下工藝制程中...

2024-07-29 標(biāo)簽：NMOS smt 工藝流程 3.7k 0

源漏嵌入SiC應(yīng)變技術(shù)簡介

源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過外延生長技術(shù)在源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料，利用硅和碳晶格常數(shù)...

2024-07-25 標(biāo)簽：NMOS SiC 晶格 2k 0

場效應(yīng)管怎樣調(diào)節(jié)電流

場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）在電路中調(diào)節(jié)電流的方式主要通過控制其柵極（Gate）電壓來實(shí)現(xiàn)。以下將詳細(xì)闡述場效...

2024-07-23 標(biāo)簽：電流場效應(yīng)管 NMOS 3.5k 0

場效應(yīng)管的電流方向怎么判斷

場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）的電流方向判斷，主要依據(jù)其類型（N溝道或P溝道）以及源極（S）、漏極（D）和柵極（...

2024-07-23 標(biāo)簽：電流場效應(yīng)管 NMOS 6k 0

DCDC 高端 NMOS 的自舉秘訣

NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈極到S極，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾極到G極，導(dǎo)通條件為VSG有一...

2024-06-24 標(biāo)簽：NMOS 自舉 DCDC 2.1k 0

NMOS、PMOS、CMOS的結(jié)構(gòu)

在集成電路和微電子領(lǐng)域中，MOS（Metal-Oxide-Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管是一種基本的電子元件，根據(jù)其導(dǎo)電溝道的類型...

2024-05-28 標(biāo)簽：集成電路 CMOS NMOS 1.4萬 0

CMOS與NMOS技術(shù)的區(qū)別差異

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）和NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）作為兩種重要的半導(dǎo)體技術(shù)，各自在電子領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作...

2024-05-22 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體 NMOS 5.3k 0

MOS管的具體應(yīng)用電路

電路設(shè)計(jì)時(shí)，不同的子系統(tǒng)之間無可避免的需要數(shù)字信號(hào)傳遞，不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間，數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致，故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路；

2024-04-27 標(biāo)簽：放大電路 MOS管 NMOS 2.8k 0

MOS管為什么會(huì)冒煙燒毀？MOS燒管的案例2分享

當(dāng)VGS小于一定的電壓值，DS極就會(huì)導(dǎo)通，適合用于S極接正電源的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng)，但由于其導(dǎo)通電阻大、價(jià)格貴、替換...

2024-04-12 標(biāo)簽：示波器 MOS管 NMOS 8.3k 0

NMOS LDO原理概括 NMOS LDO原理詳細(xì)分析

NMOS LDO詳細(xì)工作原理見圖2-17，圖中是NMOS的輸出特性曲線，讓我們結(jié)合圖2-16圖2-17分析。假設(shè)一開始LDO工作狀態(tài)在A點(diǎn)，當(dāng)負(fù)載電流突...

2024-06-17 標(biāo)簽：ldo NMOS 7.1萬 0

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掃地機(jī)器人，又稱自動(dòng)打掃機(jī)、智能吸塵、機(jī)器人吸塵器等，是智能家用電器的一種，能憑借一定的人工智能，自動(dòng)在房間內(nèi)完成地板清理工作。
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單片機(jī)最小系統(tǒng)，或者稱為最小應(yīng)用系統(tǒng)，是指用最少的元件組成的單片機(jī)可以工作的系統(tǒng)，一般包括電源，晶振，復(fù)位電路三部分。
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虛擬現(xiàn)實(shí)游戲，英文名“Virtual reality game”，只要打開電腦，帶上虛擬現(xiàn)實(shí)頭盔，就可以讓你進(jìn)入一個(gè)可交互的虛擬現(xiàn)場場景中，不僅可以虛擬當(dāng)前場景，也可以虛擬過去和未來。
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3D打印（3DP）即快速成型技術(shù)的一種，它是一種以數(shù)字模型文件為基礎(chǔ)，運(yùn)用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料，通過逐層打印的方式來構(gòu)造物體的技術(shù)。
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可編程邏輯控制器是種專門為在工業(yè)環(huán)境下應(yīng)用而設(shè)計(jì)的數(shù)字運(yùn)算操作電子系統(tǒng)。它采用一種可編程的存儲(chǔ)器，在其內(nèi)部存儲(chǔ)執(zhí)行邏輯運(yùn)算、順序控制、定時(shí)、計(jì)數(shù)和算術(shù)運(yùn)算等操作的指令，通過數(shù)字式或模擬式的輸入輸出來控制各種類型的機(jī)械設(shè)備或生產(chǎn)過程。
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太陽能路燈是采用晶體硅太陽能電池供電，免維護(hù)閥控式密封蓄電池（膠體電池）儲(chǔ)存電能，超高亮LED燈具作為光源，并由智能化充放電控制器控制，用于代替?zhèn)鹘y(tǒng)公用電力照明的路燈。
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CAE是用計(jì)算機(jī)輔助求解復(fù)雜工程和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、剛度、屈曲穩(wěn)定性、動(dòng)力響應(yīng)、熱傳導(dǎo)、三維多體接觸、彈塑性等力學(xué)性能的分析計(jì)算以及結(jié)構(gòu)性能的優(yōu)化設(shè)計(jì)等問題的一種近似數(shù)值分析方法。
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智能裝備，指具有感知、分析、推理、決策、控制功能的制造裝備，它是先進(jìn)制造技術(shù)、信息技術(shù)和智能技術(shù)的集成和深度融合。中國重點(diǎn)推進(jìn)高檔數(shù)控機(jī)床與基礎(chǔ)制造裝備，自動(dòng)化成套生產(chǎn)線，智能控制系統(tǒng)，精密和智能儀器儀表與試驗(yàn)設(shè)備，關(guān)鍵基礎(chǔ)零部件、元器件及通用部件，智能專用裝備的發(fā)展。
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3D成像

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3D成像是靠人兩眼的視覺差產(chǎn)生的。人的兩眼（瞳孔）之間一般會(huì)有8厘米左右的距離。要讓人看到3D影像，就必須讓左眼和右眼看到不同的影像，使兩副畫面產(chǎn)生一定差距，也就是模擬實(shí)際人眼觀看時(shí)的情況。3D的立體感覺就是如此由來的。
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仿生機(jī)器人是指模仿生物、從事生物特點(diǎn)工作的機(jī)器人。目前在西方國家，機(jī)械寵物十分流行，另外，仿麻雀機(jī)器人可以擔(dān)任環(huán)境監(jiān)測的任務(wù)，具有廣闊的開發(fā)前景。二十一世紀(jì)人類將進(jìn)入老齡化社會(huì)，發(fā)展“仿人機(jī)器人”將彌補(bǔ)年輕勞動(dòng)力的嚴(yán)重不足，解決老齡化社會(huì)的家庭服務(wù)和醫(yī)療等社會(huì)問題，并能開辟新的產(chǎn)業(yè)，創(chuàng)造新的就業(yè)機(jī)會(huì)?！?
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能源互聯(lián)網(wǎng)可理解是綜合運(yùn)用先進(jìn)的電力電子技術(shù)，信息技術(shù)和智能管理技術(shù)，將大量由分布式能量采集裝置，分布式能量儲(chǔ)存裝置和各種類型負(fù)載構(gòu)成的新型電力網(wǎng)絡(luò)、石油網(wǎng)絡(luò)、天然氣網(wǎng)絡(luò)等能源節(jié)點(diǎn)互聯(lián)起來，以實(shí)現(xiàn)能量雙向流動(dòng)的能量對(duì)等交換與共享網(wǎng)絡(luò)。
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培養(yǎng)箱，是指溫度可控的，主要用于培養(yǎng)微生物、植物和動(dòng)物細(xì)胞的箱體裝置，有的具有制冷和加熱的雙向調(diào)溫系統(tǒng)，是生物、農(nóng)業(yè)、醫(yī)藥、環(huán)保等科研部門的基本實(shí)驗(yàn)設(shè)備，廣泛應(yīng)用于恒溫培養(yǎng)、恒溫反應(yīng)等試驗(yàn)。
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北京發(fā)那科機(jī)電有限公司是由北京機(jī)床研究所與日本FANUC公司于1992年共同組建的合資公司，專門從事機(jī)床數(shù)控裝置的生產(chǎn)、銷售與維修。注冊資金1130萬美元，美國GE-Fanuc和北京實(shí)創(chuàng)開發(fā)總公司各參股10%，中外雙方股比各占50%。
紫金橋

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新松

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新松機(jī)器人自動(dòng)化股份有限公司（以下簡稱“新松”）成立于2000年，隸屬中國科學(xué)院，是一家以機(jī)器人技術(shù)為核心的高科技上市公司。作為國家機(jī)器人產(chǎn)業(yè)化基地，新松擁有完整的機(jī)器人產(chǎn)品線及工業(yè)4.0整體解決方案。
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