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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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NMOS與PMOS經(jīng)典電源開(kāi)關(guān)電路的深入解析
NMOS低邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)地的導(dǎo)通,PMOS作為高邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)電源的導(dǎo)通。
2024-04-10 標(biāo)簽:NMOS電源開(kāi)關(guān)PMOS 1.2萬(wàn) 0
電源開(kāi)關(guān)電路-NMOS和PMOS區(qū)別
NMOS和PMOS都是MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管的重要類型,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)和功能上有一些關(guān)鍵的區(qū)別。
2024-04-09 標(biāo)簽:NMOS電源開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.3萬(wàn) 0
MOS管功能特性與實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景解析
那這兩張圖是完全等價(jià)的,我們可以看到MOS管是有三個(gè)端口,也就是有三個(gè)引腳,分別是GATE、DRAIN和SOURCE。至于為啥這么叫并不重要,只要記住他...
淺析CMOS電路的靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗
CMOS電路功耗主要由動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗組成,動(dòng)態(tài)功耗又分為開(kāi)關(guān)功耗、短路功耗兩部分
當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí),MCU IO檢測(cè)到0,但是當(dāng)時(shí)開(kāi)關(guān)開(kāi)啟時(shí),IO引腳處于floating狀態(tài),容易受干擾而處于未知狀態(tài)。 這時(shí)可以在IO口上加一個(gè)電阻...
一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
看了一眼這個(gè)電路,我感覺(jué)有問(wèn)題,MOS管應(yīng)該不會(huì)導(dǎo)通,就跟同事講了,同事說(shuō)這個(gè)電路是之前用過(guò)的,認(rèn)為沒(méi)有問(wèn)題,于是就上電了。
可靠性測(cè)試中,如何減少HCI和電遷移的測(cè)試時(shí)間?
許多可靠性“磨損”測(cè)試監(jiān)測(cè)的是一個(gè)性能參數(shù),該參數(shù)隨著對(duì)數(shù)變化的時(shí)間長(zhǎng)度而穩(wěn)步下降。
為什么GaN被譽(yù)為下一個(gè)主要半導(dǎo)體材料?
擁有能夠在高頻下高功率運(yùn)行的半導(dǎo)體固然很好,但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢(shì),但有一個(gè)主要缺點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了其在眾多應(yīng)用中替代硅的能力:缺乏 P -類型。
2024-02-29 標(biāo)簽:CMOSNMOS半導(dǎo)體材料 891 0
由于此結(jié)構(gòu)畫出的電路圖有點(diǎn)兒像印第安人的圖騰柱,所以叫圖騰柱式輸出(也叫圖騰式輸出)。
2024-01-30 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源NMOS推挽電路 1.4萬(wàn) 2
BUCK電路原理和信號(hào)轉(zhuǎn)變過(guò)程原理
Buck降壓芯片是一種集成電路,用于實(shí)現(xiàn)Buck電路的功能。市場(chǎng)上有許多廠商提供各種不同型號(hào)和規(guī)格的Buck降壓芯片。以下是一些常見(jiàn)的Buck降壓芯片品...
英特爾、三星和臺(tái)積電公布下一代晶體管進(jìn)展
英特爾是三者中最早演示 CFET 的,早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。這一次,英特爾報(bào)告了圍繞 CFET 制造的最簡(jiǎn)單電路(inve...
NMOS和PMOS是常見(jiàn)的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的兩種類型,它們?cè)陔娮悠骷衅鸬讲煌淖饔?。NMOS和PMOS的符號(hào)和電路結(jié)構(gòu)差異...
2023-12-18 標(biāo)簽:電路NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.2萬(wàn) 0
我們從最簡(jiǎn)單的電路開(kāi)始一點(diǎn)一點(diǎn)分析,先定義一下輸入阻抗的計(jì)算過(guò)程。我們可以粗略的把負(fù)載作為一個(gè)黑盒子來(lái)對(duì)待,所謂的輸入阻抗,就是計(jì)算輸入到這個(gè)黑盒子的電...
今天逛立創(chuàng)開(kāi)源硬件平臺(tái),看到了一個(gè)開(kāi)源的便攜式電烙鐵,也是用快充供電的,然后想到前兩天分析的正點(diǎn)原子的電烙鐵,來(lái)看看這個(gè)方案的原理圖。
基于0.18μm CMOS工藝的高響應(yīng)度太赫茲探測(cè)器線陣
探測(cè)器陣列由3個(gè)太赫茲像素線性排列,每個(gè)像素由帶交叉耦合電容的源極差分驅(qū)動(dòng)自混頻功率探測(cè)電路、高增益片上環(huán)形差分天線和集成電壓放大器組成。各像素單元的輸...
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