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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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PMOS過(guò)壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)
適用于24V系統(tǒng),本文旨在給出24V系統(tǒng)中l(wèi)oaddunp保護(hù)電壓小于46V的器件的VBAT供電方案。
為解決汽車電源線上可能存在的各種脈沖干擾,行業(yè)協(xié)會(huì)和主要汽車制造商已經(jīng)制定了相關(guān)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)來(lái)模擬電源線的瞬態(tài)脈沖。
MCU內(nèi)部的I/O結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)能力
經(jīng)常會(huì)聽到MCU某I/O的驅(qū)動(dòng)能力是xxmA,那么到底什么是驅(qū)動(dòng)能力呢?如果某IO的驅(qū)動(dòng)能力是5mA,它就輸出不了超過(guò)5mA的電流了嗎?為什么IO的驅(qū)動(dòng)...
低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用設(shè)計(jì)指南
本文通過(guò)分析低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的等效電路來(lái)計(jì)算如何合理的選取RGATE電阻的阻值,既要保持MOS管的良好開關(guān)性能,還要有效抑制振鈴的產(chǎn)生。
傳統(tǒng) PMOS 防反保護(hù)電路及主要缺點(diǎn)
汽車電源系統(tǒng)常在極為惡劣的環(huán)境下運(yùn)行,數(shù)以百計(jì)的負(fù)載掛在汽車電池上,需要同時(shí)確定負(fù)載狀態(tài)的汽車電池可能面臨極大的挑戰(zhàn)。當(dāng)負(fù)載處于不同工作條件和潛在故障狀...
2023-08-24 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器保護(hù)電路電源線 3k 0
接錯(cuò)電源正負(fù)極電路冒煙了,如何避免這種尷尬?
硬件工程師的很多項(xiàng)目是在洞洞板上完成的,但有存在不小心將電源正負(fù)極接反的現(xiàn)象,導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀,甚至整塊板子都廢掉,還得再焊接一塊,不知道有什么...
基于邏輯門的構(gòu)成解釋如何完成任意邏輯的管級(jí)電路設(shè)計(jì)
明白上述原因后,就可以理解輸出的高電平由上管決定,低電平由下管決定。為了保證在某一時(shí)刻,輸出只能為高電平或低電平,需要結(jié)合上下管,即當(dāng)上管導(dǎo)通時(shí),下管必...
2022-12-13 標(biāo)簽:電流電路設(shè)計(jì)邏輯門 2.9k 0
電路設(shè)計(jì)時(shí),不同的子系統(tǒng)之間無(wú)可避免的需要數(shù)字信號(hào)傳遞,不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間,數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致,故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路;
MOS管主副電源自動(dòng)切換的電路設(shè)計(jì)
當(dāng)VUSB斷開后,PMOS的G端的電壓(5V)由電阻R1下拉到GND,此時(shí)PMOS導(dǎo)通,VCC由VBAT(為鋰電池)供電。
NMOS場(chǎng)效應(yīng)管/PMOS場(chǎng)效應(yīng)管防反保護(hù)解析
NMOS場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時(shí)候,R1、R...
2023-04-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管NMOS控制電路 2.7k 0
負(fù)載串聯(lián)型開關(guān)相比于上節(jié)講到的接地型和跟隨型開關(guān),使用更加廣泛,無(wú)論是輕負(fù)載還是重負(fù)載,電路幾乎沒(méi)有額外電流損耗。
PMOS LDO線性穩(wěn)壓器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
當(dāng)輸出電壓增大時(shí),F(xiàn)B增大,放大器輸出電壓增加,PMOS管的G極電壓增大,Usg減小,PMOS的輸出電流和電壓較小,形成了一個(gè)負(fù)反饋系統(tǒng)。
今天分享一個(gè)PMOS的電路設(shè)計(jì),詳細(xì)了解下各個(gè)元器件在電路中起到的作用。
2025-07-21 標(biāo)簽:三極管電路設(shè)計(jì)開關(guān)管 2.6k 0
Vt roll-off核心是(同一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)下面)閾值電壓與柵長(zhǎng)之間的關(guān)系。當(dāng)溝道長(zhǎng)度比較長(zhǎng)的時(shí)候,Vt值是比較穩(wěn)定的。隨著溝道長(zhǎng)度的減小,閾值電壓會(huì)下...
PMOS從導(dǎo)通到關(guān)斷時(shí),PMOS的阻抗會(huì)從接近0(導(dǎo)通),再到電阻無(wú)窮大(斷開),這里會(huì)有一段過(guò)程,而PMOS會(huì)存在一定的阻值,負(fù)載也非恒定電阻。
今天在群里看到了一張圖,是TI的一個(gè)40V~400V非隔離型的高端電流檢測(cè)方案的一個(gè)原理框圖,這個(gè)圖里,比較有意思的一點(diǎn)就是巧妙的利用了穩(wěn)壓二極管改...
2023-12-06 標(biāo)簽:二極管運(yùn)算放大器穩(wěn)壓二極管 2.5k 0
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