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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

采用基于字的檢測方法對單向雙端口SRAM進(jìn)行測試

單向雙端口SRAM是一種專用的存儲器，它具有獨立的寫地址總線和讀地址總線，不僅可以實現(xiàn)單端口的讀寫，還可以對不同地址的存儲單元進(jìn)行同時讀寫操作，提高了S...

2020-08-03 標(biāo)簽：測試 sram 總線 1.7k 0

Altera ACEX 1K系列CPLD器件的三種配置方法的比較

ACEX 1K系列器件是Altera公司推出的新型CPLD產(chǎn)品。該器件基于SRAM，結(jié)合查找表（LUT）和嵌入式陣列塊（EAB）提供了高密度結(jié)構(gòu)，可提供...

2020-07-22 標(biāo)簽：cpld 嵌入式 sram 3.4k 0

FPGA設(shè)計的安全性和技術(shù)保護(hù)的應(yīng)用設(shè)計

與開發(fā)成本很高的ASIC相比，F(xiàn)PGA可重復(fù)編程的性能正受到系統(tǒng)設(shè)計者的青睞。此外， FPGA的性能和功能也越來越強大，包括32位軟處理器、SERDES...

2020-07-20 標(biāo)簽：fpga 存儲 sram 2.1k 0

FPGA和其他可編程邏輯IC 的不同之處在于哪

　　FPGA是一種集成電路，包含許多（64至10，000多個）相同的邏輯單元，可以將它們視為標(biāo)準(zhǔn)組件。每個邏輯單元可以獨立承擔(dān)一組有限的個性中的任何一個...

2020-07-13 標(biāo)簽：fpga sram 晶體管 1.6k 0

采用5管單元的SRAM結(jié)構(gòu)實現(xiàn)CPLD可編程電路的設(shè)計

顯然，設(shè)計基于SRAM編程技術(shù)的CPLD可以很好解決上述應(yīng)用問題。CPLD的設(shè)計和實現(xiàn)的關(guān)鍵問題是核心可編程電路結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)。因此，本文主要探討針對CPL...

2020-04-25 標(biāo)簽：fpga cpld sram 2.4k 0

FPGA與CPLD到底有什么區(qū)別

FPGA（Field Programmable Gates Array 現(xiàn)場可編程門陣列，內(nèi)部結(jié)構(gòu)為門陣列構(gòu)成靜態(tài)存儲器（SRAM）。該SRAM可構(gòu)成函...

2020-05-05 標(biāo)簽：FPGA CPLD SRAM 2.7萬 0

利用MAX114與SRAM及CPLD器件實現(xiàn)EPP模式數(shù)據(jù)采集接口的設(shè)計

數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，通過微機(jī)COM端口的RS-232串行通訊及通過微機(jī)并行端口的并行通訊具有開發(fā)使用方便的特點，前者可與工作于11.0592MHz晶振下的8...

2020-04-08 標(biāo)簽：cpld sram 數(shù)據(jù)采集 1.1k 0

FPGA配置模式選擇 FPGA上電加載時序介紹

常見的配置芯片有EPCS 芯片（EPCS4、EPCS8、EPCS16、EPCS64、EPCS128），還有通用的串行 SPI FLASH 芯片如 M2...

2020-04-06 標(biāo)簽：sram FPGA芯片 5k 0

單粒子翻轉(zhuǎn)引起SRAM型FPGA的故障機(jī)理闡述

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的高速發(fā)展，大規(guī)模集成電路變得更加復(fù)雜，開發(fā)周期變得更長。FPGA由于具備可編程性，其廣泛應(yīng)用可以降低電路的開發(fā)成本。然而，單粒子翻轉(zhuǎn)（S...

2020-01-26 標(biāo)簽：fpga sram 7.8k 0

一種基于SRAM型FPGA的實時容錯自修復(fù)系統(tǒng)設(shè)計概述

隨著航天技術(shù)的發(fā)展，空間任務(wù)日益復(fù)雜化、多樣化，未來航天系統(tǒng)對處理器的性能要求越來越高。在一些航天設(shè)備如星載 ATP 等系統(tǒng)的電子模塊設(shè)計中，基于 SR...

2019-11-19 標(biāo)簽：fpga sram 1.4k 0

STM32單片機(jī)位帶操作的原理解析

位操作代碼在sys.h文件中，實現(xiàn)對STM32各個IO口的位操作，包括讀入和輸出。當(dāng)然在這些函數(shù)調(diào)用之前，必須先進(jìn)行IO口時鐘的使能和IO口功能定義。

2019-10-18 標(biāo)簽：sram IO口 STM32單片機(jī) 1.0萬 0

UMC采用0.13微米工藝生產(chǎn)的銅SRAM代工鑄造技術(shù)

加利福尼亞州圣塔克拉拉 - 臺灣聯(lián)合微電子公司今天宣布已經(jīng)生產(chǎn)出功能齊全的產(chǎn)品2兆位SRAM器件采用0.13微米邏輯工藝技術(shù)，具有銅互連功能。

2019-08-13 標(biāo)簽：sram PCB打樣華強PCB 3.6k 0

BJ-EPM240學(xué)習(xí)板：SRAM讀寫實驗

SRAM是靜態(tài)存儲方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。

2019-12-24 標(biāo)簽：fpga 存儲 sram 2.8k 0

FPGA配置方式的特點與區(qū)別(1)

FPGA的配置方式有以下幾種，JTAG，AS，PS，AP，F(xiàn)PP等幾種。

2019-11-25 標(biāo)簽：fpga 存儲器 sram 5.8k 0

FPGA視頻教程：BJ-EPM240學(xué)習(xí)板-SRAM讀寫實驗

SRAM主要用于二級高速緩存（Level2 Cache）。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他...

2019-12-12 標(biāo)簽：fpga cpu sram 2.6k 0

深入淺出玩轉(zhuǎn)FPGA視頻：SRAM讀寫實驗

SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大...

2019-12-17 標(biāo)簽：fpga sram 內(nèi)存 3.1k 0

你知道在5nm節(jié)點上， STT－MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果？

研究機(jī)構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文，該研究表明，在5nm節(jié)點上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢比非易失性和較小的空間占用...

2019-04-22 標(biāo)簽：sram RM 1.6k 0

FPGA是什么FPGA芯片的特點工作原理和編程技術(shù)等等資料詳解

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及新興產(chǎn)業(yè)的需要，F(xiàn)PGA的作用逐漸突顯。相比于CPU、GPU，F(xiàn)PGA并不為大眾所熟知。那什么是FPGA？它有什么特點？又是如何...

2019-01-27 標(biāo)簽：FPGA ASIC SRAM 1.7萬 0

STM32單片機(jī)FSMC模塊的應(yīng)用

1.與非總線復(fù)用的16位SRAM接口 FSMC配置 SRAM存儲器和NOR閃存存儲器共用相同的FSMC存儲塊，所用的協(xié)議依不同的存儲器類型而...

2019-01-14 標(biāo)簽：sram stm32單片機(jī)fsmc模塊 3.4k 0

基于SRAM的FPGA的問世標(biāo)志著現(xiàn)代可重構(gòu)技術(shù)的開端

由于數(shù)字邏輯系統(tǒng)功能復(fù)雜化的需求，單片系統(tǒng)的芯片正朝著超大規(guī)模、高密度的方向發(fā)展。對于一個大規(guī)模的數(shù)字系統(tǒng)而言，系統(tǒng)規(guī)模是基于各種邏輯功能模塊的組合。但...

2019-01-02 標(biāo)簽：FPGA SRAM 1.2k 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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