sram

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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

存儲(chǔ)芯片是指集成電路中用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的芯片，它可以存儲(chǔ)數(shù)字信號(hào)，包括二進(jìn)制碼、字符、圖像、聲音等信息。存儲(chǔ)芯片廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相...

2023-06-02 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)sram 1.8萬 0

微控制器的FSMC到底是咋回事？(下）

摘要：上一篇文章我們具體講解了FSMC的原理配置，這一章主要是關(guān)于使用FSMC的SRAM初始化流程，以及使用STM32CubeMX對(duì)FSMC進(jìn)行配置。

2023-05-14 標(biāo)簽：微控制器寄存器 sram 3.5k 0

這些新型存儲(chǔ)，有機(jī)會(huì)嗎？

在高層次上，計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)有幾個(gè)關(guān)鍵組件：CPU（由計(jì)算核心和互連組成）、內(nèi)存（由高速緩存、主內(nèi)存和硬盤驅(qū)動(dòng)器組成）以及輸入和輸出硬件。雖然架構(gòu)的所有部...

2023-05-10 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 cpu sram 1.1k 0

使用低功耗組件的高功率非電池供電系統(tǒng)如何有益

Microchip在Microchip PolarFire SoC和基于SRAM的競爭性FPGA SoC上實(shí)現(xiàn)了相同的設(shè)計(jì)。在這兩款器件上，使用供應(yīng)商特...

2023-05-06 標(biāo)簽：fpga sram soc 1.1k 0

怎樣設(shè)計(jì)一個(gè)同步FIFO？（3）

我們說這個(gè)結(jié)構(gòu)之所以使得FIFO的輸出Q在讀完SRAM之后保持穩(wěn)定，其實(shí)需要SRAM本身可以保持RDATA在讀操作之后的多個(gè)周期保持穩(wěn)定。即SRAM本身...

2023-05-04 標(biāo)簽：sram fifo 1k 0

怎樣設(shè)計(jì)一個(gè)同步FIFO？（2）

開始往下讀之前，老李先問一個(gè)問題，假如現(xiàn)在讓你設(shè)計(jì)一個(gè)深度為N的基于2port SRAM的同步FIFO，請問至少需要多大的SRAM？假設(shè)SRAM的位寬...

2023-05-04 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)sram fifo 1.6k 0

從Cache驗(yàn)證參考模型對(duì)比來談復(fù)雜度權(quán)衡

總體而言，在驗(yàn)證L1 cache system （L1SYS）的過程中，L1SYS的機(jī)構(gòu)被拆分為多個(gè)模塊，包括shadow command buffer...

2023-04-28 標(biāo)簽：sram Cache mesh技術(shù) 2.2k 0

淺談存儲(chǔ)芯片分類及主要市場格局

3D NAND, 即立體堆疊技術(shù)，如果把2D NAND看成平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積成倍擴(kuò)增，理論上可以無限堆疊，可以擺脫對(duì)先進(jìn)制...

2023-04-06 標(biāo)簽：sram 存儲(chǔ)芯片只讀存儲(chǔ)器 5.9k 0

多晶硅蝕刻工藝講解

下圖顯示了Intel的第6代晶體管（6T）SRAM尺寸縮小時(shí)間表，以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖...

2023-04-03 標(biāo)簽：多晶硅 MOSFET sram 6.4k 0

電路mcu是什么 MCU主板構(gòu)造

存儲(chǔ)器：存儲(chǔ)器是MCU主板的重要組成部分，用于存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)。主板上通常包括閃存、SRAM、EEPROM等存儲(chǔ)器。

2023-04-01 標(biāo)簽：人機(jī)交互 mcu 存儲(chǔ)器 8.8k 0

科普Register file和SRAM

前兩期，我們分別對(duì)OTP和MTP，RAM和ROM進(jìn)行了比較。這一次，我們來談?wù)凪emory Compiler，以及通過它生成的Register file...

2023-03-31 標(biāo)簽：sram 內(nèi)存 Memory 1.6萬 0

我們常用存儲(chǔ)器知道有哪些嘛

存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲(chǔ)器，一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。

2023-03-30 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 2.7k 0

到底什么是SRAM

在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM。RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。但是這些數(shù)據(jù)并不是像用袋子盛米那么簡單，更像是圖...

2023-03-30 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 cpu sram 6.2k 0

如何區(qū)分SRAM與DRAM

今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。

2023-03-30 標(biāo)簽：cpu sram RAM 1.4k 0

單片機(jī)的接口有哪些單片機(jī)接口方式單片機(jī)輸出輸入端口是怎么設(shè)置的

存儲(chǔ)器接口：例如閃存、SRAM、EEPROM等，可以用于存儲(chǔ)程序代碼、變量數(shù)據(jù)等信息。電源管理接口：例如模擬電壓調(diào)節(jié)器（AVR）、直流/直流轉(zhuǎn)換器（...

2023-03-29 標(biāo)簽：單片機(jī)控制系統(tǒng)存儲(chǔ)器 1.8萬 0

科普：Register file和SRAM

Memory Compiler由供應(yīng)商提供，往往是不通用的，界面也不盡相同。同一個(gè)廠商的不同工藝下，Memory Compiler不同。相同工藝，不同廠...

2023-03-28 標(biāo)簽：ROM sram 編譯器 10k 0

STM32如何通過FSMC點(diǎn)亮LCD

FSMC是Flexible static memory controller（可變靜態(tài)存儲(chǔ)控制器）的簡稱，是STM32系列采用的一種新型的存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)...

2023-03-23 標(biāo)簽：lcd 存儲(chǔ)器 sram 6k 0

SRAM存儲(chǔ)器的工作原理

SRAM也是易失性存儲(chǔ)器，但是，與DRAM相比，只要設(shè)備連接到電源，信息就被存儲(chǔ)，一旦設(shè)備斷開電源，就會(huì)失去信息。這個(gè)設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多，...

2023-03-21 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 1.1萬 0

聊一聊IC領(lǐng)域中的SRAM

在IC領(lǐng)域，SRAM（Static Random-Access Memory）是一種靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器?！办o態(tài)”是相對(duì)于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）...

2023-03-21 標(biāo)簽：DRAM IC 存儲(chǔ)器 3.2k 0

簡述FPGA執(zhí)行方式

FPGA是一種數(shù)字集成電路芯片，名稱為“現(xiàn)場可編程邏輯門陣列”FPGA的一項(xiàng)重要特點(diǎn)是其可編程特性，即用戶可通過程序指定FPGA實(shí)現(xiàn)某一特定數(shù)字電路，F(xiàn)...

2023-03-21 標(biāo)簽：fpga sram 集成電路芯片 998 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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