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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

聊一聊IC領(lǐng)域中的SRAM

在IC領(lǐng)域，SRAM（Static Random-Access Memory）是一種靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲器。“靜態(tài)”是相對于動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）...

2023-03-21 標(biāo)簽：DRAM IC 存儲器 3.2k 0

基于非易失性存儲器的高可靠性存儲游戲數(shù)據(jù)方案

處理財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)的電子系統(tǒng)需要高度的可靠性，賭場游戲機(jī)也不例外。這些機(jī)器存儲和/或訪問敏感的個人和財(cái)務(wù)信息，包括玩家數(shù)據(jù)和金額。玩家還可以調(diào)取補(bǔ)償資金和存儲...

2021-01-12 標(biāo)簽：mcu 存儲器嵌入式系統(tǒng) 3.2k 0

SRAM的結(jié)構(gòu)框圖

2009-12-04 標(biāo)簽：SRAM 3.2k 0

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例

使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行這些代碼。

2011-09-28 標(biāo)簽：Flash SRAM 觸發(fā)中斷 3.1k 0

深入淺出玩轉(zhuǎn)FPGA視頻：SRAM讀寫實(shí)驗(yàn)

SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大...

2019-12-17 標(biāo)簽：fpga sram 內(nèi)存 3.1k 0

關(guān)于SRAM存儲容量及基本特點(diǎn)

通常我們將存儲容量表示為：字?jǐn)?shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構(gòu)成一個字，一共有64個字。這個概念要相當(dāng)熟悉，后面理解題目很有用。

2024-01-09 標(biāo)簽：放大器 DRAM 存儲器 3.1k 0

EC SRAM映射到CPU Memory空間的共享內(nèi)存設(shè)計(jì)

ShareMemory，顧名思義就是共享內(nèi)存。這個概念在很多計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中都存在，本文特指 EC SRAM 映射到 CPU Memory 空間的共享內(nèi)存設(shè)計(jì)。

2023-11-18 標(biāo)簽：arm cpu sram 3k 0

非易失性SRAM中的低溫?cái)?shù)據(jù)保留

本文消除了對低溫電池性能的任何擔(dān)憂。本文詳細(xì)介紹了在極端低溫環(huán)境條件下可靠支持非易失性存儲器（SRAM）所需的電流特性。

2023-01-16 標(biāo)簽：電源存儲器 sram 2.9k 0

FPGA如何估算分析功耗

FPGA的功耗由4部分組成：上電功耗、配置功耗、靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗。一般的FPGA都具有這4種功耗，但是Actel Flash FPGA由于掉電數(shù)據(jù)不丟...

2024-07-18 標(biāo)簽：FPGA sram 晶體管 2.9k 0

使用SRAM來代指對SRAM和PSRAM芯片的支持

使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動SRAM

2023-09-18 標(biāo)簽：芯片存儲器 sram 2.8k 0

實(shí)現(xiàn)可編程邏輯電路的三種主要技術(shù)

實(shí)現(xiàn)可編程邏輯電路可以選擇三種主要的技術(shù)，它們有兩種主要的特性:是否可重新編程以及是否易失。我們將介紹三種主要的器件，它們是支持可編程電路的技術(shù)基礎(chǔ): ...

2022-09-08 標(biāo)簽：邏輯電路 sram 晶體管 2.8k 0

采用FPGA安全存儲器的加密認(rèn)證系統(tǒng)設(shè)計(jì)

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，高速 FPGA運(yùn)行時(shí)需將其配置數(shù)據(jù)加載到內(nèi)部SRAM 中，改變SDRAM 里面的數(shù)據(jù)，從而使FPGA實(shí)現(xiàn)不同的功能，即所謂的可重...

2018-10-07 標(biāo)簽：fpga 存儲器 sram 2.8k 0

BJ-EPM240學(xué)習(xí)板：SRAM讀寫實(shí)驗(yàn)

SRAM是靜態(tài)存儲方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。

2019-12-24 標(biāo)簽：fpga 存儲 sram 2.8k 0

關(guān)于存儲技術(shù)涉及的專業(yè)名詞介紹及各存儲器的區(qū)別

RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM SRAM DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random access memory(隨機(jī)存取...

2018-07-10 標(biāo)簽：閃存 dram 存儲器 2.8k 0

通過CPLD進(jìn)行接口連接和編程控制的大容量、高速度FIFO設(shè)計(jì)

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2018-07-26 標(biāo)簽：cpld dram sram 2.8k 0

PY32F030系列微控制器產(chǎn)品特性介紹

PY32F030 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+內(nèi)核，寬電壓工作范圍的 MCU。

2022-10-28 標(biāo)簽：微控制器單片機(jī)存儲器 2.7k 0

對SRAM工藝的FPGA進(jìn)行加密的方法淺析

由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流，進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此，在關(guān)鍵...

2018-11-20 標(biāo)簽：FPGA SRAM 2.7k 0

GD32F4的TCMSRAM（緊耦合SRAM）該如何使用？

如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從...

2024-02-24 標(biāo)簽：單片機(jī)sram GD32 2.7k 0

我們常用存儲器知道有哪些嘛

存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。

2023-03-30 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 sram 2.7k 0

淺析STM32F0系列中斷向量映射問題如何解決

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2023-02-02 標(biāo)簽：單片機(jī)sram 編譯器 2.7k 0

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