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接觸電阻與TLM技術(shù)深度解密：從理論到實(shí)操，快速掌握精準(zhǔn)測量核心
Xfilm埃利測量專注于電阻/方阻及薄膜電阻檢測領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)與技術(shù)突破，致力于為全球集成電路和光伏產(chǎn)業(yè)提供高精度、高效率的量檢測解決方案。公司以核心技...
高精度TLM測量技術(shù)：在金屬-石墨烯接觸電阻表征中的應(yīng)用研究
石墨烯作為最具代表性的二維材料，憑借其卓越的電學(xué)性能在高性能電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大應(yīng)用潛力。然而，金屬-石墨烯接觸電阻問題一直是制約其實(shí)際應(yīng)用的瓶頸。接...
金屬-半導(dǎo)體接觸電阻測量的TLM標(biāo)準(zhǔn)化研究：模型優(yōu)化與精度提升
Xfilm埃利測量專注于電阻/方阻及薄膜電阻檢測領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)與技術(shù)突破，致力于為全球集成電路和光伏產(chǎn)業(yè)提供高精度、高效率的量檢測解決方案。公司以核心技...
采用傳輸線法（TLM）探究有機(jī)薄膜晶體管的接觸電阻可靠性及變異性
有機(jī)薄膜晶體管（TFTs）的高頻性能受限于接觸電阻（RC），尤其是在短通道L1cm2（V?s）條件下。即使采用相同材料和工藝，接觸電阻仍存在顯著的批次間...
基于四點(diǎn)探針和擴(kuò)展電阻模型的接觸電阻率快速表征方法
接觸電阻率（ρc）是評估兩種材料接觸性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)的傳輸長度法（TLM）等方法在提取金屬電極與c-Si基底之間的ρc時(shí)需要較多的制造和測量步驟。而...
半導(dǎo)體歐姆接觸工藝 | MoGe?P?實(shí)現(xiàn)超低接觸電阻的TLM驗(yàn)證
二維半導(dǎo)體因其原子級厚度和獨(dú)特電學(xué)性質(zhì)，成為后摩爾時(shí)代器件的核心材料。然而，金屬-半導(dǎo)體接觸電阻成為限制器件性能的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)二維半導(dǎo)體（如MoS?、...
基于改進(jìn)傳輸線法（TLM）的金屬 - 氧化鋅半導(dǎo)體界面電阻分析
傳輸線方法（TLM）作為常見的電阻測量技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件中溝道電阻與接觸電阻的提取。傳統(tǒng)的TLM模型基于理想歐姆接觸假設(shè)，忽略了界面缺陷、勢壘等...
基于傳輸線法（TLM）的多晶 In?O?薄膜晶體管電阻分析及本征遷移率精準(zhǔn)測量
氧化物半導(dǎo)體（如In?O?）因其高電子遷移率（>10cm2/Vs）和低漏電流特性，成為下一代顯示技術(shù)和三維集成器件的理想候選材料。然而，傳統(tǒng)場效應(yīng)...
傳輸線法（TLM）優(yōu)化接觸電阻：實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管電氣性能優(yōu)化
本文通過傳輸線方法（TLM）研究了不同電極材料（Ti、Al、Ag）對非晶Si-Zn-Sn-O（a-SZTO）薄膜晶體管（TFT）電氣性能的影響，通過TL...
液態(tài)金屬接觸電阻精確測量：傳輸線法（TLM）的新探索
液態(tài)金屬（如galinstan）因高導(dǎo)電性、可拉伸性及生物相容性，在柔性電子領(lǐng)域備受關(guān)注。然而，其與金屬電極間的接觸電阻（Rc）測量存在挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)傳輸線...
大氣壓化學(xué)氣相沉積（APCVD）在BC電池中的應(yīng)用：從激光摻雜到高溫?cái)U(kuò)散
BC電池是一種先進(jìn)的太陽能電池結(jié)構(gòu)，通過在電池背面交替排列p型和n型摻雜區(qū)域，消除了正面的光學(xué)遮擋損失。本文提出了一種簡化的、無需掩膜的摻雜工藝，通過調(diào)...
UVM中的phase，按照其是否消耗仿真時(shí)間（$time打印出的時(shí)間）的特性，可以分成兩大類
SystemC TLM中的接口 在SystemC TLM中，接口是一個(gè)C++的抽象類。抽象類中的所有方法都是用“=0”標(biāo)識(shí)表示的純虛函數(shù)。C++不允許創(chuàng)...
SoC電子系統(tǒng)級設(shè)計(jì)OSCI TLM抽象模型
當(dāng)前，OSCI TLM1.0抽象模型在工業(yè)界的SoC電子系統(tǒng)級設(shè)計(jì)中已得到廣泛應(yīng)用，如早期的軟硬件集成、系統(tǒng)性能分析、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、功能驗(yàn)證等。但隨著抽象層...
（1）OCP-IP TLM抽象模型 OCP-IP（Open Core Protocol International Partnership）是推動(dòng)IP核...
軟硬件聯(lián)合仿真在確保高效云解決方案的質(zhì)量、降低風(fēng)險(xiǎn)、節(jié)省時(shí)間和成本方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2023-10-16 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)RTLTLM 1.5k 0
Observer Pattern：對象之間定義一個(gè)一對多的依賴關(guān)系，當(dāng)一個(gè)對象改變的時(shí)候，所有依賴對象都會(huì)自動(dòng)收到通知。
在使用UVM搭建環(huán)境時(shí)，遇到問題時(shí)，調(diào)試方式有千千萬萬，但很有必要了解下UVM庫提供了哪些內(nèi)建的調(diào)試手段，可以少走彎路，大大提升效率，而不是瘋狂加各種打印消息。
提高驗(yàn)證生產(chǎn)力的關(guān)鍵之一就是在合適的**抽象層次**思考問題和完成驗(yàn)證工作，為此UVM提供了 **事務(wù)級別（transaction level）** 的...
2023-06-25 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)UVMTLM 1.1k 0
TLM2.0在2009年成為OSCI標(biāo)準(zhǔn)，主要用于構(gòu)造總線系統(tǒng)的SystemC模型。
2023-06-25 標(biāo)簽：UVMTLMTCPIP協(xié)議 3.8k 0
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