創(chuàng)建UVM Driver

Driver的作用是從sequencer中獲得數(shù)據(jù)項(xiàng)，按照接口協(xié)議將數(shù)據(jù)項(xiàng)驅(qū)動(dòng)到總線上。UVM類(lèi)庫(kù)提供了uvm_driver基類(lèi)，所有的Driver類(lèi)都...

2023-05-30 標(biāo)簽：driverUVMTLM 1.2k 0

層次化的UVM TLM連接

TLM接口的使用將驗(yàn)證環(huán)境中的每個(gè)組件與其他組件隔離。驗(yàn)證環(huán)境實(shí)例化一個(gè)組件，并完成其ports/exports的連接，不需要進(jìn)一步了解驗(yàn)證組件具體的實(shí)現(xiàn)。

2023-05-29 標(biāo)簽：接口封裝UVM 1.2k 0

UVM Transaction-Level驗(yàn)證組件

如下圖所示，UVM中的TLM接口為組件之間Transaction的發(fā)送和接收提供了一套統(tǒng)一的通信方法。

2023-05-29 標(biāo)簽：發(fā)生器UVMTLM 1.2k 0

大氣壓化學(xué)氣相沉積（APCVD）在BC電池中的應(yīng)用：從激光摻雜到高溫?cái)U(kuò)散

BC電池是一種先進(jìn)的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)，通過(guò)在電池背面交替排列p型和n型摻雜區(qū)域，消除了正面的光學(xué)遮擋損失。本文提出了一種簡(jiǎn)化的、無(wú)需掩膜的摻雜工藝，通過(guò)調(diào)...

2025-03-05 標(biāo)簽：測(cè)量TLM電池 1.1k 0

數(shù)字IC驗(yàn)證之基本的TLM通信

提高驗(yàn)證生產(chǎn)力的關(guān)鍵之一就是在合適的**抽象層次**思考問(wèn)題和完成驗(yàn)證工作，為此UVM提供了 **事務(wù)級(jí)別（transaction level）** 的...

2023-06-25 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)UVMTLM 1.1k 0

介紹從一組可重用的驗(yàn)證組件中構(gòu)建測(cè)試平臺(tái)所需的步驟

本文介紹了從一組可重用的驗(yàn)證組件中構(gòu)建測(cè)試平臺(tái)所需的步驟。UVM促進(jìn)了重用，加速了測(cè)試平臺(tái)構(gòu)建的過(guò)程。

2023-06-13 標(biāo)簽：UVMTLM 911 0

液態(tài)金屬接觸電阻精確測(cè)量：傳輸線法（TLM）的新探索

液態(tài)金屬（如galinstan）因高導(dǎo)電性、可拉伸性及生物相容性，在柔性電子領(lǐng)域備受關(guān)注。然而，其與金屬電極間的接觸電阻（Rc）測(cè)量存在挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)傳輸線...

2025-07-22 標(biāo)簽：測(cè)量接觸電阻TLM 734 0

傳輸線法（TLM）優(yōu)化接觸電阻：實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管電氣性能優(yōu)化

本文通過(guò)傳輸線方法（TLM）研究了不同電極材料（Ti、Al、Ag）對(duì)非晶Si-Zn-Sn-O（a-SZTO）薄膜晶體管（TFT）電氣性能的影響，通過(guò)TL...

2025-07-22 標(biāo)簽：晶體管接觸電阻TLM 686 0

基于傳輸線法（TLM）的多晶 In?O?薄膜晶體管電阻分析及本征遷移率精準(zhǔn)測(cè)量

氧化物半導(dǎo)體（如In?O?）因其高電子遷移率（>10cm2/Vs）和低漏電流特性，成為下一代顯示技術(shù)和三維集成器件的理想候選材料。然而，傳統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)...

2025-09-29 標(biāo)簽：電阻TLM薄膜晶體管 345 0

半導(dǎo)體歐姆接觸工藝 | MoGe?P?實(shí)現(xiàn)超低接觸電阻的TLM驗(yàn)證

二維半導(dǎo)體因其原子級(jí)厚度和獨(dú)特電學(xué)性質(zhì)，成為后摩爾時(shí)代器件的核心材料。然而，金屬-半導(dǎo)體接觸電阻成為限制器件性能的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)二維半導(dǎo)體（如MoS?、...

2025-09-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體接觸電阻TLM 341 0

接觸電阻與TLM技術(shù)深度解密：從理論到實(shí)操，快速掌握精準(zhǔn)測(cè)量核心

Xfilm埃利測(cè)量專(zhuān)注于電阻/方阻及薄膜電阻檢測(cè)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)與技術(shù)突破，致力于為全球集成電路和光伏產(chǎn)業(yè)提供高精度、高效率的量檢測(cè)解決方案。公司以核心技...

2025-09-29 標(biāo)簽：測(cè)量接觸電阻TLM 340 0

基于改進(jìn)傳輸線法（TLM）的金屬 - 氧化鋅半導(dǎo)體界面電阻分析

傳輸線方法（TLM）作為常見(jiàn)的電阻測(cè)量技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件中溝道電阻與接觸電阻的提取。傳統(tǒng)的TLM模型基于理想歐姆接觸假設(shè)，忽略了界面缺陷、勢(shì)壘等...

2025-09-29 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體TLM 235 0

金屬-半導(dǎo)體接觸電阻測(cè)量的TLM標(biāo)準(zhǔn)化研究：模型優(yōu)化與精度提升

Xfilm埃利測(cè)量專(zhuān)注于電阻/方阻及薄膜電阻檢測(cè)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)與技術(shù)突破，致力于為全球集成電路和光伏產(chǎn)業(yè)提供高精度、高效率的量檢測(cè)解決方案。公司以核心技...

2025-09-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電阻測(cè)量TLM 221 0

基于四點(diǎn)探針和擴(kuò)展電阻模型的接觸電阻率快速表征方法

接觸電阻率（ρc）是評(píng)估兩種材料接觸性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)的傳輸長(zhǎng)度法（TLM）等方法在提取金屬電極與c-Si基底之間的ρc時(shí)需要較多的制造和測(cè)量步驟。而...

2025-09-29 標(biāo)簽：探針接觸電阻TLM 207 0

高精度TLM測(cè)量技術(shù)：在金屬-石墨烯接觸電阻表征中的應(yīng)用研究

石墨烯作為最具代表性的二維材料，憑借其卓越的電學(xué)性能在高性能電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大應(yīng)用潛力。然而，金屬-石墨烯接觸電阻問(wèn)題一直是制約其實(shí)際應(yīng)用的瓶頸。接...

2025-09-29 標(biāo)簽：石墨烯測(cè)量TLM 171 0

采用傳輸線法（TLM）探究有機(jī)薄膜晶體管的接觸電阻可靠性及變異性

有機(jī)薄膜晶體管（TFTs）的高頻性能受限于接觸電阻（RC），尤其是在短通道L1cm2（V?s）條件下。即使采用相同材料和工藝，接觸電阻仍存在顯著的批次間...

2025-09-29 標(biāo)簽：晶體管接觸電阻TLM 171 0

基于傳輸線模型（TLM）的特定接觸電阻率測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)化

金屬-半導(dǎo)體歐姆接觸的性能由特定接觸電阻率（ρ?）表征，其準(zhǔn)確測(cè)量對(duì)器件性能評(píng)估至關(guān)重要。傳輸線模型（TLM）方法，廣泛應(yīng)用于從納米級(jí)集成電路到毫米級(jí)光...

2025-10-23 標(biāo)簽：測(cè)量TLM電阻率 16 0