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      vds技術(shù)

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      2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET柵極SiC 1k 0

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      2022-12-26 標(biāo)簽：MOS管可變電阻VDS 1.7萬 0

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      本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。

      2022-12-05 標(biāo)簽：MOSFETSiCVDS 1.5k 0

      為什么要用gmId設(shè)計方法呢？什么是gmid設(shè)計方法呢？

      假設(shè)知道了Id,Vgs-vth，但發(fā)現(xiàn)，廠家給的工藝文件里，并沒有直接給出un和Cox的值，還是沒有辦法計算出管子的W和L值。

      2022-09-05 標(biāo)簽：MOS管PSPICEVDS 1.6萬 0

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      2021-05-02 標(biāo)簽：MOSFET電容電壓 4.3k 0

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      2019-04-26 標(biāo)簽：LinuxVDS 1.8k 0

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        華星光電
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        Mobileye
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