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SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法
首先,計算開通和關斷時間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計算。由于計算公式會因波形的形狀而...
往往內(nèi)核添加了一個功能,glibc要花很久才會用上。本來linux那邊為這個功能是否進入內(nèi)核已經(jīng)吵半天了,glibc這邊又要為是否使用這個內(nèi)核新特性再次...
MOS管基礎知識:輕松理解MOS管工作原理。MOS管是一種利用電場效應來控制其電流大小的半導體三端器件,很多特性和應用方向都與三極管類似。這種器件不僅體...
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關動作中,SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
SiC MOSFET:橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-低邊開關導通時的Gate-Source間電壓的動作
上一篇文章中,簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中柵極驅動電路的開關工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOS...
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