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標(biāo)簽 > 派恩杰
派恩杰半導(dǎo)體(杭州)有限公司成立于2018年9月,是第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)銷售企業(yè)(Fabless模式),持續(xù)專注于碳化硅和氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)研發(fā)與產(chǎn)品銷售。
派恩杰 Easy 3B 碳化硅模塊基于第三代半導(dǎo)體材料特性,具有高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度,在高壓性能、功率密
近日,派恩杰半導(dǎo)體順利斬獲歐洲頭部車企的量產(chǎn)訂單。這一重大跨越標(biāo)志著派恩杰在碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)品
派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性,專為高
第三代半導(dǎo)體功率器件企業(yè)派恩杰獲“2025尋找寧波最具投資價(jià)值企業(yè)”最具潛力獎(jiǎng)!
近日,寧波創(chuàng)投界一年一度的“尋找寧波最具投資價(jià)值企業(yè)”頒獎(jiǎng)活動(dòng)舉行。本屆活動(dòng)緊扣“科創(chuàng)”主題,錨定“新質(zhì)生產(chǎn)力”,聚焦高
2025-08-19 標(biāo)簽: 功率器件 第三代半導(dǎo)體 派恩杰 1103 0
派恩杰第四代碳化硅產(chǎn)品在AI基建的應(yīng)用
在 AI 基建中,碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性,成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸”
派恩杰發(fā)布第四代SiC MOSFET系列產(chǎn)品
近日,派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺(tái)下,5mm × 5
近日,全球最具影響力的國際化、專業(yè)化、規(guī)?;夥?huì)“SNEC第十八屆國際太陽能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)”圓滿閉幕。派
近日,某全球知名基礎(chǔ)設(shè)施解決方案服務(wù)商專家團(tuán)隊(duì)一行蒞臨我司參觀交流。此次到訪聚焦于關(guān)鍵電源保障、智能制造等方向,雙方圍繞
近日,PNJ(PNJunction)亮相PCIM Europe 2025,在德國紐倫堡迎來展會(huì)首日盛況。本屆展會(huì)聚焦電力
此前,2025年4月23日至5月2日,第二十一屆上海國際汽車工業(yè)展覽會(huì)(Auto Shanghai 2025)在國家會(huì)展
派恩杰半導(dǎo)體(杭州)有限公司成立于2018年9月,是第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)銷售企業(yè)(Fabless模式),持續(xù)專注于碳化硅和氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)研發(fā)與產(chǎn)品銷售。
派恩杰產(chǎn)品有SiC SBD,SiC MOS以及GaN HEMT等,廣泛應(yīng)用于服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心電源、新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電機(jī)、逆變器等場景和領(lǐng)域。成立僅6個(gè)月即完成第一款可兼容驅(qū)動(dòng)650V GaN功率器件;同年發(fā)布Gen3技術(shù)的1200V SiC MOS產(chǎn)品,技術(shù)指標(biāo)國內(nèi)領(lǐng)先;2020年公司推出650V、1700V SiC MOS產(chǎn)品,完成三大產(chǎn)品系列布局;2021年公司推出650V、1200V SiC SBD全陣容產(chǎn)品,豐富了650V、1200V、1700V SiC MOS產(chǎn)品線,將發(fā)布100余款不同型號(hào)功率器件。
基于環(huán)流系統(tǒng)的碳化硅功率器件可靠性研究
近日,在西安·曲江國際會(huì)議中心舉辦的2024中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國電源學(xué)會(huì)第二十七屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)(CPEEC & CPSSC 20...
正向浪涌能力是評(píng)價(jià)碳化硅二極管應(yīng)用和可靠性的一項(xiàng)重要參數(shù),為簡約表述,下文二極管皆指代碳化硅二極管。通常二極管廠家會(huì)對(duì)二極管進(jìn)行 10ms浪涌的測試。
2022-09-23 標(biāo)簽:直流電源二極管應(yīng)用派恩杰 1.3k 0
2022年開工第一天,派恩杰半導(dǎo)體在全球首推PD 快充的碳化硅應(yīng)用方案
派恩杰半導(dǎo)體在此65W USB PD快充方案中, 在不更改任何驅(qū)動(dòng)參數(shù)條件下與傳統(tǒng)硅功率器件650V/125mohm進(jìn)行性能比較, 在滿載條件下完整展現(xiàn)...
派恩杰 Easy 3B 碳化硅模塊基于第三代半導(dǎo)體材料特性,具有高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度,在高壓性能、功率密度、散熱效率及兼容性方面表現(xiàn)均衡...
近日,派恩杰半導(dǎo)體順利斬獲歐洲頭部車企的量產(chǎn)訂單。這一重大跨越標(biāo)志著派恩杰在碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)品質(zhì)量獲得國際頂尖車企的高度認(rèn)可,...
派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性,專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)...
第三代半導(dǎo)體功率器件企業(yè)派恩杰獲“2025尋找寧波最具投資價(jià)值企業(yè)”最具潛力獎(jiǎng)!
近日,寧波創(chuàng)投界一年一度的“尋找寧波最具投資價(jià)值企業(yè)”頒獎(jiǎng)活動(dòng)舉行。本屆活動(dòng)緊扣“科創(chuàng)”主題,錨定“新質(zhì)生產(chǎn)力”,聚焦高端裝備、芯片制造、數(shù)字經(jīng)濟(jì)、新材...
2025-08-19 標(biāo)簽:功率器件第三代半導(dǎo)體派恩杰 1.1k 0
派恩杰第四代碳化硅產(chǎn)品在AI基建的應(yīng)用
在 AI 基建中,碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性,成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數(shù)據(jù)中心的電源...
派恩杰發(fā)布第四代SiC MOSFET系列產(chǎn)品
近日,派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺(tái)下,5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS...
近日,全球最具影響力的國際化、專業(yè)化、規(guī)模化光伏盛會(huì)“SNEC第十八屆國際太陽能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)”圓滿閉幕。派恩杰半導(dǎo)體在【6.1H館 A15...
近日,某全球知名基礎(chǔ)設(shè)施解決方案服務(wù)商專家團(tuán)隊(duì)一行蒞臨我司參觀交流。此次到訪聚焦于關(guān)鍵電源保障、智能制造等方向,雙方圍繞行業(yè)發(fā)展趨勢、產(chǎn)品應(yīng)用落地及合作...
近日,PNJ(PNJunction)亮相PCIM Europe 2025,在德國紐倫堡迎來展會(huì)首日盛況。本屆展會(huì)聚焦電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源與能源...
此前,2025年4月23日至5月2日,第二十一屆上海國際汽車工業(yè)展覽會(huì)(Auto Shanghai 2025)在國家會(huì)展中心(上海)盛大舉行。本屆車展以...
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