GaN中游我們可以將其分為器件設(shè) 計、晶圓制造、封裝測試三個部分。 作為化合物半導(dǎo)體的一類，與SiC類似，全球產(chǎn)能普遍集中在IDM廠商上，不過相比于SiC，GaN在設(shè)計和制造環(huán)節(jié)正在往垂直分工的模式
2022-07-18 01:59:45
5405 NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 襯底上的同質(zhì)外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化鎵或垂直 GaN）。垂直 GaN 器件能夠以更高的頻率進行開關(guān)并在更高的電壓下工作，這將催生新一代更高效的功率器件。
2022-07-27 17:15:065194 
于2017年，專注于垂直GaN器件的研發(fā)和生產(chǎn)，成立以來獲得了紐約州合計超過1億美元的資助，并擁有一家晶圓廠。 ? 值得一提的是，NexGen去年還有多項重大進展，包括他們在年初宣布已開始發(fā)運首批700V和1200V垂直GaN器件的工程樣品，并且預(yù)計在2023年第三季度全面量產(chǎn)。在去年6月，NexGe
2024-02-07 00:08:008364 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近，又有國內(nèi)GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術(shù)。7月26日，宇騰科技在社交平臺上宣布公司自主研發(fā)生產(chǎn)的藍寶石基GaN功率器件工作電壓達到1200V，已進入
2024-07-31 01:06:004480 帶字庫的12864垂直卷動時為什么分成了兩屏
2013-04-25 08:59:39
應(yīng)用，實現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。（例如，5G通信電源整流器和服務(wù)器計算）GaN不斷突破新應(yīng)用的界限，并開始取代汽車、工業(yè)和可再生能源市場中傳統(tǒng)硅基電源解決方案。 圖1：硅設(shè)計與GaN設(shè)計的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
存儲。在兩級使用GaN和超過100 kHz的開關(guān)頻率極大地提高了當(dāng)前設(shè)計的效率。除了dc-dc轉(zhuǎn)換器，POL轉(zhuǎn)換器和逆變器之外，其他GaN應(yīng)用包括電機驅(qū)動器和D類大功率音頻放大器。突破性產(chǎn)品使用eGaN
2017-05-03 10:41:53
GaN為何這么火?原因是什么
2021-03-11 06:47:08
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問題：“JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）似乎沒把應(yīng)用條件納入到開關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
應(yīng)用的良好結(jié)合，將推動GaN器件在Class D功放中的快速發(fā)展，迎來GaN Class D技術(shù)的創(chuàng)新時代。
2023-06-25 15:59:21
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
已聽到我們的行業(yè)代言人宣布，“GaN將迎來黃金發(fā)展時間。”這一公告似乎在暗示，GaN已準(zhǔn)備好出現(xiàn)在廣大聽眾、用戶或為數(shù)眾多的應(yīng)用面前。這也表明，GaN技術(shù)已經(jīng)如此成熟，不能認為它是一個有問題的技術(shù)
2018-08-30 15:05:41
”就是把手機收起來的意思；最后，我們終于可以起飛了。我們的行業(yè)發(fā)言人已經(jīng)宣布，“GaN已經(jīng)為黃金時間做好了準(zhǔn)備?！边@個聲明似乎預(yù)示著GaN已經(jīng)為廣泛使用做好準(zhǔn)備，或者說在大量的應(yīng)用中，已經(jīng)可以使用GaN
2018-09-06 15:31:50
PD快充65W常用什么規(guī)格GaN
2021-12-26 19:57:19
為什么GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44?？隙ǖ卣f，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
HAL的主要作用是什么垂直噴錫有什么缺點？
2021-04-23 06:01:04
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
的關(guān)鍵技術(shù)部分——射頻功率器件也迎來了重大變化。目前基站功率放大器主要為LDMOS技術(shù)和GaAs技術(shù)。GaN PA由于具有帶寬更寬…
2022-11-08 07:37:24
,但有些指標(biāo)（如傳輸速率等方面）已超過CCD?！ ∮捎贑MOS具有諸多優(yōu)點，國內(nèi)外許多機構(gòu)已經(jīng)應(yīng)用CMOS圖像傳感器開發(fā)出眾多產(chǎn)品。 CMOS傳感器關(guān)鍵技術(shù)取得突破 CMOS傳感器的技術(shù)發(fā)展跟隨
2018-12-04 15:59:27
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
解決方案中，從而進一步突破了對常規(guī)功率密度預(yù)期的限值?；跀?shù)十年電源測試方面的專業(yè)知識，TI已經(jīng)對GaN進行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設(shè)計的生態(tài)系統(tǒng)。 GaN將在電源密集
2018-09-11 14:04:25
GaN技術(shù)融入到電源解決方案中，從而進一步突破了對常規(guī)功率密度預(yù)期的限值。基于數(shù)十年電源測試方面的專業(yè)知識，TI已經(jīng)對GaN進行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
我想使用 swipeContainer。它只能水平滑動。可以垂直滑動嗎？
2023-01-13 06:45:15
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html關(guān)鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
晶體學(xué)和濕蝕刻的性質(zhì)? 濕的在基于KOH的化學(xué)中，GaN 的化學(xué)蝕刻具有高度的各向異性，能夠形成垂直和光滑的多面納米結(jié)構(gòu)。文章全部詳情，請加V獲?。篽lknch / xzl1019? 我們 可以
2021-07-08 13:09:52
已經(jīng)報道了具有低至 4±6 nm 的 rms 粗糙度的表面。濕法蝕刻也已被證明用于蝕刻氮化鎵，蝕刻具有設(shè)備成本相對較低、表面損傷小等優(yōu)點，但目前還沒有找到生產(chǎn)光滑垂直側(cè)壁的方法。還報道了 GaN 的解理
2021-07-07 10:24:07
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會這樣
2019-07-31 07:54:41
鎵(Ga) 是一種化學(xué)元素，原子序數(shù)為31。鎵在自然界中不存在游離態(tài)，而是鋅和鋁生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)品。GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)（如下圖所示）呈六
2019-08-01 07:24:28
什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
圖像生成對抗生成網(wǎng)絡(luò)ganHello there! This is my story of making a GAN that would generate images of cars
2021-08-31 06:48:41
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
描述基于 PCB 的特斯拉線圈 GaN 版
2022-07-01 08:37:14
天線是什么？天線的環(huán)境設(shè)計要求有哪些？天線設(shè)計問題如何去突破？
2021-07-11 06:18:58
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負載，結(jié)果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關(guān)問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
作為一項相對較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進行
2019-07-31 06:44:26
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
換能器的輸出怎么測水平和垂直的
2015-10-20 17:50:24
GAN的數(shù)學(xué)推導(dǎo)和案例應(yīng)用
2020-04-13 09:34:52
智能設(shè)備突破尺寸桎梏
2021-01-12 07:59:22
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因為當(dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
。 GaN等突破性技術(shù)的長期影響是顯著的：較低的功率損耗意味著我們不需要很多新發(fā)電廠來滿足日益增長的電力需求。更高的功率密度意味著更多的集成。電池供電電路(例如電動車輛、無人機和機器人中的電路)可以
2018-11-20 10:56:25
X-GaN晶體管在Vds尖峰電壓額定值為750V（1微秒）時獲得認證。垂直場依賴擊穿也在相同的1kV范圍內(nèi); 松下柵極驅(qū)動器IC 松下于2016年底為希望使用GiT快速部署解決方案的開發(fā)人員推出了自己
2023-02-27 15:53:50
示波器垂直量測量出現(xiàn)偏差的原因是什么？如何減小示波器垂直量測量偏差？
2021-05-08 09:48:06
示波器的垂直噪聲從哪里來？示波器垂直噪聲會帶來什么影響？
2021-05-10 06:08:48
創(chuàng)新，目前在GaN微波射頻領(lǐng)域已取得顯著成效，在軍事國防領(lǐng)域和民用通信領(lǐng)域兩個領(lǐng)域進行突破，打造了中電科13所、中電科55所、zhongxing通信、大唐移動等重點企業(yè)以及China移動、China聯(lián)通等大客戶。
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計是當(dāng)前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過去，PA 設(shè)計以大致的起點開始并運用大量
2018-08-04 14:55:07
利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:34
29 TI正在設(shè)計基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計劃和相關(guān)的應(yīng)用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵（GaN）的材料屬性可使電源開關(guān)具有令人興奮且具有突破性的全新特性—功率GaN。高電子遷移晶體管（HEMT）。
2016-04-25 14:16:153131 如今國產(chǎn)處理器性能已經(jīng)不弱于國外處理器，中國芯片終于迎來了“芯突破”，到2020年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進水平的差距逐步縮小，保持現(xiàn)有20%的發(fā)展速度，必將成為美國的最大競爭對手。
2018-01-22 15:30:052094 創(chuàng)造力一直被認為是人類智能與人工智能最大的差別之一。然而隨著技術(shù)的發(fā)展，近年來人工智能在具有“創(chuàng)造性”的工作中不斷突破。之前微軟小冰寫詩，已經(jīng)讓大家驚嘆計算機在文字創(chuàng)作上的大幅提升，如今微軟亞洲
2018-04-03 09:54:494112 浙江大學(xué)近期首次報道了沒有電流折疊（即沒有動態(tài)導(dǎo)通電阻降低）的垂直GaN功率整流器（GaN-on-GaN）。這款功率整流器即使在從高反向應(yīng)力偏置切換到500V后也僅需200ns，性能也超過了目前最先進的硅（GaN-on-Si）器件上的橫向氮化鎵。
2018-10-26 17:28:515696 近年來，由于氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積，GaN已被RF工業(yè)大量采用。
2019-07-01 15:13:352554 
在4月8日晚間的華為春季新品發(fā)布會上，期待已久的華為P40系列國行版終于發(fā)布，與此同時，華為還帶來了一款充電器新品，功率65W。這款充電器屬于 GaN（氮化鎵）類型，支持雙口超級快充（Type-A
2020-07-16 15:24:451324 GaN技術(shù)突破了硅基IGBT和SiC等現(xiàn)有技術(shù)的諸多局限，可為各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用帶來直接和間接的性能效益。在電動車領(lǐng)域，GaN技術(shù)可直接降低功率損耗，從而為汽車實現(xiàn)更長的行駛里程。同時，更高效的功率
2020-09-18 16:19:173197 人工智能和機器學(xué)習(xí)已經(jīng)成為科技行業(yè)的熱門話題，而想要讓它們變得更加智能就必須要提供更多的數(shù)據(jù)進行訓(xùn)練。NVIDIA 研究部門旗下的生成對抗網(wǎng)絡(luò)（GAN）近日迎來一個新的里程碑，即便是在非常小的數(shù)據(jù)集
2020-12-09 16:59:391695 華為正式發(fā)布鴻蒙OS2.0手機版，雖然是Beta版，這是一個十分重要的信號，將決定著全球三大系統(tǒng)鼎立的局面，也關(guān)系著國產(chǎn)OS崛起的步伐。華為鴻蒙OS迎來的巨大突破，即將帶領(lǐng)著國內(nèi)自研OS迅速崛起，期待這一幕能夠盡快到來，或許這也是一場激烈的競爭即將開始。
2020-12-17 11:51:342626 依托先進的半導(dǎo)體器件仿真設(shè)計平臺，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團隊實現(xiàn)了擊穿電壓為420 V的GaN基準(zhǔn)垂直肖特基功率二極管的設(shè)計方案（SFP-SBD：具有側(cè)壁場板的GaN基準(zhǔn)垂直肖特基功率二極管
2021-07-14 16:46:551608 器件都是基于碳化硅的(SiC) 或氮化鎵 (GaN)。盡管迄今為止它在低壓應(yīng)用（大約 650 V 及以下）方面取得了成功，但最成熟的 GaN 基功率器件高電子遷移率晶體管 (HEMT) 并不適用于中壓（大致定義為 1.2 至 20 kV） ) 應(yīng)用，包括電動汽車傳動系統(tǒng)和許多電網(wǎng)應(yīng)用。這
2022-07-29 10:35:012053 
GaN 是一種高帶隙材料，與硅相比，它允許器件在更高的溫度下運行并承受更高的電壓。此外，GaN 更高的介電擊穿允許構(gòu)建更薄且因此電阻更低的器件。較低的特性 R DS(on)導(dǎo)致具有較低電容的較小器件。垂直 GaN 器件能夠以更高的頻率進行開關(guān)并在更高的電壓下運行。
2022-08-08 10:04:592118 
CEO進一步指出，產(chǎn)品樣品制造的完成鞏固了 Odyssey 作為功率應(yīng)用垂直 GaN 技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。它需要我們的重要知識產(chǎn)權(quán)來制造適用于客戶用例的產(chǎn)品。
2023-01-11 09:55:541038 依托先進的半導(dǎo)體器件仿真設(shè)計平臺，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團隊實現(xiàn)了擊穿電壓為420 V的GaN基準(zhǔn)垂直肖特基功率二極管的設(shè)計方案（SFP-SBD：具有側(cè)壁場板的GaN
基準(zhǔn)垂直肖特基功率
2023-02-27 15:50:384 由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:215204 
近日，由深圳大學(xué)和深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院組成的科研團隊，研發(fā)出了“基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘二極管“，并以“Vertical GaN
2023-06-13 14:10:351989 
2035年，60歲及以上老年人口將突破4億，智能家居適老化迎來發(fā)展
2023-01-31 10:44:231378 
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:252049 
本文轉(zhuǎn)載自《商學(xué)院》雜志，作者：石丹 原標(biāo)題：歡迎來到“垂直增長”時代 全球科技創(chuàng)新浪潮重塑產(chǎn)業(yè)未來，企業(yè)將如何馭潮而進？《商學(xué)院》雜志專訪微軟全球資深副總裁張祺博士，他認為，AI 和大模型正在極大
2023-09-15 00:10:031049 
重點摘要 GaN Systems第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。 以業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit
2023-09-28 09:28:32777 使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。
2023-10-20 09:59:401814 
GaN的驅(qū)動電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個突破？GaN驅(qū)動電路有哪些設(shè)計技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的電子遷移率和能力，因此在功率電子領(lǐng)域有著廣泛
2023-11-07 10:21:441504 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:541437 
NexGen認為，將垂直氮化鎵逆變器驅(qū)動系統(tǒng)引入電動汽車市場可以幫助汽車制造商提高續(xù)航里程、減輕重量并提高系統(tǒng)可靠性。
2024-01-17 10:36:041095 目前，以傳統(tǒng)半導(dǎo)體硅（Si）為主要材料的半導(dǎo)體器件仍然主導(dǎo)著電力電子功率元件。
2024-01-25 11:04:511617 
該文獻進一步透露，實現(xiàn)這一器件所采用的氮化鎵外延材料結(jié)構(gòu)包括：1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。
2024-01-25 11:30:10766 
在新一代電力電子技術(shù)領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)因其出色的抗輻射能力和卓越的電氣性能，已成為太空任務(wù)的革命性突破的關(guān)鍵。氮化鎵 (GaN) 技術(shù)已成為天基系統(tǒng)的游戲規(guī)則改變者，與傳統(tǒng)硅 MOSFET 相比，它具有卓越的耐輻射能力和無與倫比的電氣性能。
2024-02-26 17:23:14985 
橫向排列，并被限制在氮化鎵內(nèi)部，但靠近表面在垂直器件中，電場均勻地分布在GaN內(nèi)。因此，垂直器件可以在不增加芯片尺寸的情況下提高擊穿電壓。在這兩種幾何結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)GaN的全部潛力的一個主要障礙是器件工作溫度。在工作條件下，GaN功
2024-06-04 10:24:41822 
隨著全球?qū)Ω咝茈娏鉀Q方案的需求日益增加，氮化鎵(GaN)技術(shù)正在成為功率電子產(chǎn)業(yè)的一大亮點。近期，英飛凌和德州儀器等行業(yè)巨頭對GaN技術(shù)的投入不斷加大，標(biāo)志著功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展即將迎來新一輪
2024-08-15 10:39:24941 
PI近日宣布推出1700V氮化鎵(GaN)開關(guān)IC，這一技術(shù)突破有哪些亮點?它將如何影響高壓氮化鎵市場? 近日，Power Integrations(以下簡稱PI)宣布推出InnoMux?-2系列單
2024-11-15 11:09:55834 
垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:52715 
近日，日本豐田合成株式會社宣布了一項重大技術(shù)突破：成功開發(fā)出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。
2025-01-23 16:46:06858 隨著DeepSeek這類通用大模型的普及，接下來會迎來更加精細化的垂直行業(yè)模型，那么哪些垂直行業(yè)會率先受益？以下是DeepSeek的整理預(yù)測，供大家參考。
2025-02-10 15:44:38853 尺寸小得多、工作頻率高得多的AlN/GaN HEMT。 該團隊的突破涉及原位鈍化和使用選擇性刻蝕工藝添加再生長重摻雜n型接觸。 AlN/GaN HEMT是一類極具前景的晶體管，可用于射頻和功率器件
2025-06-12 15:44:37285 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）今年一月，電子發(fā)燒友網(wǎng)曾報道專注于垂直GaN器件的美國GaN IDM初創(chuàng)公司NexGen Power Systems破產(chǎn)倒閉；而在今年3月，另一家位于美國紐約州的垂直
2024-04-06 00:04:004755 
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