一家基于專有的氮化鎵（“GaN”）加工技術開發(fā)創(chuàng)新型高壓功率開關元件的半導體器件公司Odyssey Semiconductor Technologies, Inc今天宣布，公司的垂直GaN產品樣品制作完成，并于 2023 年第一季度開始向客戶發(fā)貨。

該公司的首席執(zhí)行官評論道：“我們積壓的客戶一直在熱切地等待這些垂直 GaN 產品樣品。我很自豪地報告說，制造已按計劃于 2022 年第四季度完成，現(xiàn)在正在準備樣品，以便在本季度晚些時候運送給客戶?！薄拔覀儗⑴c這些初始客戶密切合作，以獲得有關他們產品功能的寶貴反饋。我們希望在 2023 年第二季度末與客戶達成產品開發(fā)協(xié)議?！彼又f。

CEO進一步指出，產品樣品制造的完成鞏固了 Odyssey 作為功率應用垂直 GaN 技術領導者的地位。它需要我們的重要知識產權來制造適用于客戶用例的產品。展望未來，Odyssey 繼續(xù)開發(fā)和保護所需的 IP，并將通過與主要客戶合作獲得更多優(yōu)勢，這些客戶將提供更多見解以確保產品成功。

據報道，Odyssey 的垂直 GaN 方法將比碳化硅或橫向 GaN 提供比硅更大的商業(yè)優(yōu)勢。垂直 GaN 在競爭技術無法達到的性能和成本水平上比碳化硅 (SiC) 具有 10 倍的優(yōu)勢。

報道指出，650 伏部分是當今更大的市場，預計將以 20% 的復合年增長率增長。1200 伏產品細分市場預計將以 63% 的復合年增長率更快地增長，并將在本十年的下半年成為更大的市場。根據法國市場研究公司 Yole Group 的數(shù)據，到 2027 年，650 伏和 1200 伏功率設備市場預計將超過 50 億美元，復合年增長率為 40%。

從報道可以看到，Odyssey Semiconductor Technologies, Inc開發(fā)了一項專有技術，旨在讓 GaN 取代 SiC 作為新興的高壓功率開關半導體材料。公司總部位于紐約州伊薩卡，擁有并經營一個 10,000 平方英尺的半導體晶圓制造設施，配備 1,000 級和 10,000 級潔凈空間以及用于先進半導體開發(fā)和生產的工具。Odyssey Semiconductor 還提供世界一流的半導體器件開發(fā)和代工服務。

審核編輯 ：李倩