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標簽 > GaN
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analog devices方案:在LTspice仿真中使用GaN FET模型
近年來,工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性,能夠在較高開關頻率...
PI技術白皮書 1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI數(shù)據(jù)中心架構中的應用
白皮書?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢,展示了其經(jīng)過實際應用驗證的可靠性以及滿足800...
2025-10-14 標簽:PI數(shù)據(jù)中心SiC 395 0
TMS320F280038C-Q1微控制器數(shù)據(jù)手冊總結
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設計,包...
自從氮化鎵(GaN)器件問世以來,憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導體的多項關鍵優(yōu)勢,GaN 被廣泛認為是快速充電與工業(yè)電源應用領域中的變革性技術。
2025-10-21 標簽:氮化鎵GaN電源系統(tǒng) 202 0
SiC+GaN成核心!一文匯總英偉達800V HVDC認證廠商解決方案
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)AI芯片的功率在算力需求迭代的基礎上,不斷提高,短短幾年間,英偉達的GPU從A100單個TDP 為300W(40GB)和4...
Power Integrations發(fā)布新技術白皮書,深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術
該公司正在與英偉達(NVIDIA)合作開發(fā)800VDC供電架構;新發(fā)布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術相較于650V GaN和1200V S...
納芯微與聯(lián)合電子、英諾賽科簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日,蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡稱:納芯微)、聯(lián)合汽車電子有限公司(以下簡稱:聯(lián)合電子)與英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱:英諾賽科)...
近日,亞洲電力電子領域年度盛會 ——PCIM Asia Shanghai 2025,在上海新國際博覽中心盛大啟幕。
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在智能化時代,電機應用需求走向高效率、高功率密度、快動態(tài)響應。而GaN功率芯片具備低開關損耗、高頻等特性,在電機應用中,低...
第三代700V GaN上市!英諾賽科上半年營收大增43.4%,機器人和數(shù)據(jù)中心應用破局
8月28日,英諾賽科發(fā)布2025年半年報,英諾賽科營收達到5.53億元,比去年同期增長43.4%;毛利達到3780萬元,從上年的同期虧損轉為盈利;毛利率...
2025-09-14 標簽:機器人數(shù)據(jù)中心GaN 8.1k 0
9月4日,第十三屆半導體設備與核心部件及材料展在無錫太湖國際博覽中心隆重開幕。本次展會以“半導體嘉年華”為主題,匯聚了全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈上下游眾多企業(yè),共...
型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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GS61008P-MR | 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
獲取價格
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