電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）AI芯片的功率在算力需求迭代的基礎(chǔ)上，不斷提高，短短幾年間，英偉達(dá)的GPU從A100單個(gè)TDP 為300W（40GB）和400W（80GB），到目前GB300單芯片TDP高達(dá)1400W，這也給數(shù)據(jù)中心機(jī)架帶來了新的供電壓力。

而為了解決數(shù)據(jù)中心單機(jī)柜功率需求，今年英偉達(dá)開始大力推動(dòng)800V HVDC架構(gòu)，通過在數(shù)據(jù)中心內(nèi)升級(jí)高壓直流母線，減少AC/DC的轉(zhuǎn)換部分，降低損耗的同時(shí)，也能夠提高機(jī)架內(nèi)的空間利用率。800V HVDC架構(gòu)的具體細(xì)節(jié)可以看我們10月15日發(fā)布的《英偉達(dá)加速800V HVDC架構(gòu)落地，三家本土企業(yè)打入供應(yīng)鏈！》一文。

新的供電架構(gòu)帶來的是供應(yīng)鏈的重構(gòu)，英偉達(dá)公開了一系列包括芯片、電力系統(tǒng)組件、系統(tǒng)供應(yīng)商等合作伙伴名單，那么我們今天來看看目前這些廠商針對(duì)800V HVDC架構(gòu)推出了哪些解決方案和產(chǎn)品。

芯片供應(yīng)商

英偉達(dá)最新的供應(yīng)商名單為：ADI、萬國半導(dǎo)體（AOS）、EPC、英飛凌、英諾賽科、MPS、納微半導(dǎo)體（Navitas）、安森美半導(dǎo)體（onsemi）、Power Integrations、瑞薩電子（Renesas）、立锜科技（Richtek）、羅姆半導(dǎo)體（ROHM）、意法半導(dǎo)體、德州儀器

ADI：ADI在今年8月宣布支持800V DC數(shù)據(jù)中心架構(gòu)，其解決方案涵蓋機(jī)架級(jí)熱插拔保護(hù)、智能高壓轉(zhuǎn)換等多個(gè)領(lǐng)域，正助力數(shù)據(jù)中心向800 VDC架構(gòu)轉(zhuǎn)型。這些解決方案具備高可靠性與高能效，能夠滿足高負(fù)載AI工作任務(wù)的嚴(yán)苛需求。隨著NVIDIA將其平臺(tái)拓展至各大云服務(wù)提供商，ADI表示也在為相關(guān)底層基礎(chǔ)設(shè)施的研發(fā)提供支持，助力AI的持續(xù)發(fā)展。

ADI熱插拔控制器用于執(zhí)行接插板熱插拔時(shí)所需的各種管理功能，集成先進(jìn)的轉(zhuǎn)換器和放大器內(nèi)核，用于電源監(jiān)測(cè)和控制，并采用獲得專利的電路提供出色的±0.3%監(jiān)控精度。這些設(shè)備安全準(zhǔn)確地監(jiān)控典型服務(wù)器機(jī)架系統(tǒng)的電源使用情況，使操作人員能夠遠(yuǎn)程監(jiān)控各機(jī)架，從而節(jié)省電能并盡量減少系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間。

以ADI官網(wǎng)推薦的產(chǎn)品ADM1281為例，這款具有 PMBus 接口的熱插拔控制器和數(shù)字電源及能量監(jiān)視器，具有通過集成的12位ADC回讀電流、電壓、功率和溫度的功能，精度位±0.3%，可報(bào)告一段時(shí)間內(nèi)的電力和能源消耗；短路響應(yīng)時(shí)間為290納秒，電阻可編程5 mV至25 mV VSENSE 限流值。面向服務(wù)器、電力監(jiān)控、電信和數(shù)據(jù)通信設(shè)備等應(yīng)用。


萬國半導(dǎo)體：AOS近日宣布其全線功率半導(dǎo)體解決方案助力NVIDIA最新發(fā)布的800伏直流架構(gòu)。AOS電源IC及分立器件產(chǎn)品線資深副總裁Ralph Monteiro表示：“作為高性能數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的核心供應(yīng)商，我們的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合，與采用800V直流架構(gòu)的新一代AI工廠的核心技術(shù)需求高度契合。目前我們正與NVIDIA展開深度合作，致力于為800V直流系統(tǒng)研發(fā)功率半導(dǎo)體解決方案——從初始的交流轉(zhuǎn)直流環(huán)節(jié)，到機(jī)柜內(nèi)的最終直流轉(zhuǎn)換階段，為新型配電模塊提供所需的高效能效與功率密度?！?br />
在高壓轉(zhuǎn)換場(chǎng)景應(yīng)用中，AOS公司的碳化硅器件（包括第三代AOM020V120X3與頂部散熱型AOGT020V120X2Q產(chǎn)品）具備卓越的耐壓表現(xiàn)與低損耗特性，可完美適配兩種創(chuàng)新架構(gòu)——既適用于邊柜供電方案（Sidecar方案），也能用在單極轉(zhuǎn)換方案（即SST方案），將13.8kV交流電網(wǎng)電力一步到位轉(zhuǎn)換為800V直流的顛覆性設(shè)計(jì)。

在服務(wù)器機(jī)柜高密度直流轉(zhuǎn)換方案上，AOS公司的650V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（如即將推出的AOGT035V65GA1）與100V氮化鎵器件（如AOFG018V10GA1），為800V直流電至GPU所需低壓的高密度轉(zhuǎn)換提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。這些器件的高頻開關(guān)特性使得轉(zhuǎn)換器體積更小、重量更輕，從而釋放寶貴空間以部署更多計(jì)算單元，同時(shí)顯著提升散熱效率。

在封裝技術(shù)上，AOS公司的80V、100V堆疊式MOSFET（如AOPL68801）與100V氮化鎵器件采用共用封裝設(shè)計(jì)，使設(shè)計(jì)人員能在LLC拓?fù)浯渭?jí)側(cè)及54V-12V總線變換器中靈活權(quán)衡成本與能效。其創(chuàng)新的堆疊封裝技術(shù)更為LLC次級(jí)側(cè)插座帶來了突破性的功率密度提升。

而針對(duì)54V至12V的轉(zhuǎn)換階段及后續(xù)AI SoC的降壓需求，AOS還提供支持多路輸出的16相控制器方案。該高性能解決方案通過精準(zhǔn)的相位控制實(shí)現(xiàn)能效優(yōu)化，為人工智能計(jì)算核心提供穩(wěn)定可靠的電力供應(yīng)。

EPC：EPC是一家氮化鎵解決方案商，在近日推出了面向AI數(shù)據(jù)中心800V直流配電系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換器，這是一款基于串聯(lián)輸出并聯(lián)（ISOP）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的低成本、超薄型 6 kW 800V 轉(zhuǎn) 12.5V 轉(zhuǎn)換器，采用了功率GaN解決方案。

在英偉達(dá)這次推出的800V HVDC架構(gòu)中，機(jī)房母線的800V DC是直接輸入到機(jī)構(gòu)內(nèi)，通過機(jī)柜內(nèi)的DC-DC直接降壓至12V。EPC該轉(zhuǎn)換器則完全符合該架構(gòu)的需求，同時(shí)得益于GaN功率器件帶來的高功率密度，該方案占用面積不足5000 mm²，高度僅 8 mm，非常適合空間受限的AI主板應(yīng)用。同時(shí)高效地將800V直流轉(zhuǎn)換為12.5V直流，靠近負(fù)載端供電，減少母線損耗并提升系統(tǒng)整體效率。

英飛凌：今年5月，英飛凌宣布與英偉達(dá)攜手開發(fā)采用集中式電源供電的800V高壓直流架構(gòu)所需的下一代電源系統(tǒng)。英飛凌表示，其在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擁有深厚的積淀和技術(shù)專長，能夠提供從電網(wǎng)到處理器核心的電源轉(zhuǎn)換解決方案，全面覆蓋硅、碳化硅和氮化鎵等所有相關(guān)的半導(dǎo)體材料。除了擴(kuò)展HVDC電源架構(gòu)，英飛凌亦將繼續(xù)通過涵蓋整個(gè)電源流程、基于所有相關(guān)半導(dǎo)體材料的廣泛產(chǎn)品組合，為超大規(guī)模計(jì)算和AI數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商的先進(jìn)DC-DC多相解決方案和中繼架構(gòu)提供支持。

最新的信息顯示，英飛凌和英偉達(dá)還正在AI服務(wù)器安全和服務(wù)方面進(jìn)行合作，例如熱插拔控制器功能，該功能使未來的服務(wù)器主板能夠在800 VDC電源架構(gòu)中運(yùn)行。近日英飛凌就推出了其48 V智能 eFuse 系列和用于 AI 數(shù)據(jù)中心 400 V 和 800 V 電源架構(gòu)的熱插拔控制器參考板。

英飛凌的智能 eFuse IC 系列XDP730、XDP720 和 XDP721/22 是當(dāng)前 AI 數(shù)據(jù)中心 48 V 供電系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。它們集成了一系列產(chǎn)品，包括數(shù)字保護(hù)控制器、OptiMOS? FET、柵極驅(qū)動(dòng)器和電流傳感器。電子保險(xiǎn)絲支持熱插拔，能夠在系統(tǒng)仍通電和運(yùn)行時(shí)將 IT 和電源設(shè)備連接到直流總線或斷開連接。

在 400 V 和 800 V 的高電壓系統(tǒng)中，熱插拔因其高能耗而變得更加困難，英飛凌推出了針對(duì)未來 400 V / 800 V 機(jī)架架構(gòu)優(yōu)化的 REF_XDP701_4800 熱插拔控制器參考設(shè)計(jì)，結(jié)合英飛凌的 1200 V CoolSiC? JFET?技術(shù)，數(shù)字熱插拔控制器允許在線性模式下控制器件，從而使電源系統(tǒng)安全可靠地運(yùn)行，數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商可以在800 VDC架構(gòu)中更換服務(wù)器板，而其他服務(wù)器則繼續(xù)在同一機(jī)架中運(yùn)行，降低了停機(jī)風(fēng)險(xiǎn)并實(shí)現(xiàn)了服務(wù)器機(jī)架的安全維護(hù)。

英諾賽科：作為英偉達(dá)800V HVDC芯片端唯一的中國供應(yīng)商，英諾賽科表示公司是唯一實(shí)現(xiàn)1200V至15V氮化鎵量產(chǎn)的公司，可提供從800V到1V的全鏈路解決方案。這使英諾賽科成為唯一有能力為所有轉(zhuǎn)換階段提供全GaN功率解決方案的供應(yīng)商，從容應(yīng)對(duì)未來架構(gòu)為滿足更高功率需求的演變。

在800V輸入側(cè)，英諾賽科氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）相比在每個(gè)開關(guān)半周期內(nèi)可降低80%的驅(qū)動(dòng)損耗和50%的開關(guān)損耗，從而實(shí)現(xiàn)整體功耗降低10%。

在54V輸出端，僅需16顆英諾賽科氮化鎵器件即可實(shí)現(xiàn)與32顆硅MOSFET相同的導(dǎo)通損耗，不僅將功率密度提升一倍，還使驅(qū)動(dòng)損耗降低90%。

與現(xiàn)有機(jī)架架構(gòu)中的硅MOSFET相比，800 VDC的低壓電源轉(zhuǎn)換階段采用氮化鎵材料可將開關(guān)損耗降低70%，并在相同體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)功率輸出提升40%，大幅提升功率密度。

基于氮化鎵的低壓功率級(jí)可擴(kuò)展以支持更高功率的GPU型號(hào)，其動(dòng)態(tài)響應(yīng)得到提升，同時(shí)降低了電路板上的電容成本。

納微半導(dǎo)體：納微半導(dǎo)體通過收購GeneSiC，構(gòu)建了完整的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品線。在800V DC架構(gòu)中，納微半導(dǎo)體表示GeneSiC?專有的溝槽輔助平面碳化硅MOSFET技術(shù)是實(shí)現(xiàn)高效可靠新一代固態(tài)變壓器（SST）設(shè)計(jì) 的關(guān)鍵技術(shù)。這項(xiàng)基礎(chǔ)技術(shù)還推動(dòng)了電力設(shè)備的全面布局，涵蓋2300V、3300V和6500V的商用解決方案，以及針對(duì)10kV高壓等級(jí)的尖端研發(fā)項(xiàng)目。

最近納微半導(dǎo)體推出的100V氮化鎵FET產(chǎn)品，采用先進(jìn)雙面散熱封裝，具備卓越的能效、功率密度與熱性能。該系列產(chǎn)品專為54V輸出級(jí)的同步整流FET或中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）
初級(jí)級(jí)優(yōu)化設(shè)計(jì)（GPU電源板上的DC-DC變換級(jí)），其中超高密度和熱管理對(duì)于滿足下一代AI計(jì)算平臺(tái)的需求至關(guān)重要。100V氮化鎵FET通過與PSMC的新戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，采用200毫米GaN-on-Si工藝制造，實(shí)現(xiàn)了可擴(kuò)展的高產(chǎn)量生產(chǎn)。

納微半導(dǎo)體還推出了一種高功率密度的10 kW直流-直流解決方案，可在全磚塊尺寸（61mm×116mm×12mm）內(nèi)將800V直流轉(zhuǎn)換為50V直流，包括輔助電源和控制。該方案采用三級(jí)半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器，作為直流變壓器（DCX）運(yùn)行。初級(jí)側(cè)的三級(jí)拓?fù)渫ㄟ^交替切換接地、半輸入電壓和全輸入電壓來降低電壓需求，從而提高系統(tǒng)效率。LLC采用兩個(gè)電感器和一個(gè)電容器作為諧振轉(zhuǎn)換器，利用軟開關(guān)技術(shù)實(shí)現(xiàn)最高效率。這使得平面磁體能夠提供最大集成度和最高開關(guān)頻率。同步整流級(jí)激活100V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，提供低導(dǎo)通路徑并支持最高頻率。兩個(gè)SR氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并聯(lián)以提高系統(tǒng)功率密度。

安森美：安森美表示其智能電源產(chǎn)品組合通過在供電全環(huán)節(jié)提供高能效、高密度電源轉(zhuǎn)換技術(shù)（從變電站的高壓交流/直流轉(zhuǎn)換，到處理器級(jí)的精準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)），為下一代AI數(shù)據(jù)中心發(fā)揮關(guān)鍵作用。

從現(xiàn)有的400V系統(tǒng)（普遍采用650V/750V器件）升級(jí)至800V系統(tǒng)，其關(guān)鍵瓶頸在于高壓器件——如1200V SiC MOSFET與JFET的成熟度。安森美利用數(shù)十年來在硅與碳化硅（SiC）技術(shù)方面的創(chuàng)新，為固態(tài)變壓器、電源單元、800VDC配電及核心供電提供業(yè)界領(lǐng)先的解決方案，所有這些方案都集成了智能監(jiān)測(cè)與控制功能。這種技術(shù)能力的廣度和深度使安森美成為少數(shù)能以可擴(kuò)展、可實(shí)際落地的設(shè)計(jì)滿足現(xiàn)代AI基礎(chǔ)設(shè)施嚴(yán)苛供電需求的公司之一。

PI：PI在800VDC AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)中提供的核心方案是基于1250V/1700V PowiGaN HEMT共源共柵開關(guān)，提供“主功率變換 + 輔助電源”的全場(chǎng)景解決方案，比如用1250V PowiGaN單管構(gòu)建半橋LLC，僅需2個(gè)驅(qū)動(dòng)器（1個(gè)隔離式）和1個(gè)偏置電源，拓?fù)鋸?fù)雜度大幅降低。既解決傳統(tǒng)堆疊650V GaN的拓?fù)鋸?fù)雜問題，又突破1200V SiC的高頻效率瓶頸，同時(shí)滿足高可靠性與高功率密度需求。

PI表示，憑借Power Integrations專有的PowiGaN技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)額定耐壓超過1200V的高可靠性GaN HEMT。這些業(yè)界首創(chuàng)的1250V GaN開關(guān)可以幫助設(shè)計(jì)人員為NVIDIA 800 VDC AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)構(gòu)建高功率密度、高效率的電源，與使用1200V SiC的解決方案或使用650V GaN的堆疊拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)相比，性能有顯著提升。

瑞薩：瑞薩800V方案的核心硬件是第四代SuperGaN?耗盡型平臺(tái)（TP65H030G4P系列）。30mΩ導(dǎo)通電阻、4V閾值電壓與14%晶粒面積縮減，使單顆FET在800V母線環(huán)境下仍保持較低開關(guān)損耗；共源共柵結(jié)構(gòu)兼容傳統(tǒng)硅驅(qū)動(dòng)器，客戶無需更換柵極驅(qū)動(dòng)IP，即可在1-10kW圖騰柱PFC、雙向DC-DC或LLC-DCX拓?fù)渲锌焖賹?dǎo)入。實(shí)測(cè)4.2kW參考設(shè)計(jì)峰值效率99.2%，功率密度120W/in3，散熱器重量減輕300g，單臺(tái)服務(wù)器電源可節(jié)省8.5美元BOM成本。

為了兼顧“高壓輸送”與“低壓負(fù)載”兩端，瑞薩提出“48V-800V可堆?！奔軜?gòu)：機(jī)柜背板先以800V匯集UPS或光伏直流，再通過1:4 LLC-DCX模塊把母線降到192V中間軌，最后以非隔離48V DCX給GPU/CPU供電；每一級(jí)轉(zhuǎn)換效率≥98%，整機(jī)柜PUE可降至1.08以下。LLC-DCX采用GaN初級(jí)+硅MOSFET次級(jí)，利用零電壓開關(guān)（ZVS）與磁集成變壓器，將開關(guān)頻率推高至500kHz，功率密度提升2.5倍，同時(shí)保持<2ms的掉電保持時(shí)間，滿足鉑金級(jí)UPS規(guī)范。

瑞薩在800V生態(tài)中還提供“FET+驅(qū)動(dòng)+控制器”一站式BOM：REXFET?系列900V/650V GaN FET、ISL8182/ISL8183數(shù)字控制器、以及低邊/半橋驅(qū)動(dòng)器，全部通過雙源生產(chǎn)與AEC-Q101認(rèn)證，可在-55°C~175°C區(qū)間長期運(yùn)行。針對(duì)AI服務(wù)器10-15年生命周期的可靠性要求，瑞薩在封裝層面引入頂部散熱TOLT與底部散熱TOLL選項(xiàng)，結(jié)-殼熱阻分別降至0.8K/W與0.6K/W；同時(shí)提供IMON/TMON模擬輸出，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)電流與結(jié)溫監(jiān)測(cè)，方便BMC進(jìn)行預(yù)測(cè)性維護(hù)。

羅姆：羅姆的Si MOSFET代表產(chǎn)品“RY7P250BM”被全球云平臺(tái)企業(yè)認(rèn)證為推薦器件。該產(chǎn)品作為一款為 AI服務(wù)器必備的熱插拔電路專門設(shè)計(jì)的48V電源系統(tǒng)用100V功率MOSFET，以8080的小型封裝實(shí)現(xiàn)業(yè)界超寬的SOA(安全工作區(qū))，并實(shí)現(xiàn)僅1.86mΩ的超低導(dǎo)通電阻。在要求高密度和高可用性的云平臺(tái)中，有助于降低電力損耗并提升系統(tǒng)的可靠性。

SiC元器件的優(yōu)勢(shì)在于可降低工業(yè)等領(lǐng)域中高電壓、大電流應(yīng)用的損耗。英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)旨在為功率超過1MW的服務(wù)器機(jī)架供電，這對(duì)于推進(jìn)其大規(guī)模部署計(jì)劃也起著至關(guān)重要的作用。這一新型基礎(chǔ)設(shè)施的核心在于可將電網(wǎng)的13.8kV交流電直接轉(zhuǎn)換為800V的直流電。而傳統(tǒng)的54V機(jī)架電源系統(tǒng)除了受物理空間限制(要滿足小型化需求)外，還存在銅材使用量大、電力轉(zhuǎn)換損耗高等問題。

羅姆的SiC MOSFET在高電壓、大功率環(huán)境下可發(fā)揮出卓越性能，不僅能通過降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗來提高效率，還以超小體積實(shí)現(xiàn)了滿足高密度系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求的高可靠性。這些特性恰好與英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)所追求“減少銅材使用量”、“將能量損耗最小化”以及“簡化數(shù)據(jù)中心整體的電力轉(zhuǎn)換”等需求相契合。

另外，作為對(duì)SiC產(chǎn)品的補(bǔ)充，羅姆同時(shí)還積極推進(jìn)GaN技術(shù)研發(fā)，現(xiàn)已推出EcoGaN?系列產(chǎn)品，包括150V和650V耐壓的GaN HEMT、柵極驅(qū)動(dòng)器以及集成了這些器件的Power Stage IC。SiC在高電壓、大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色，而GaN則在100V~650V電壓范圍內(nèi)性能優(yōu)異，具有出色的介電擊穿強(qiáng)度、低導(dǎo)通電阻以及超高速開關(guān)特性。此外，在羅姆自有的Nano Pulse Control?技術(shù)的加持下，其開關(guān)性能得到進(jìn)一步提升，脈沖寬度可縮短至最低2ns。這些產(chǎn)品充分滿足AI數(shù)據(jù)中心追求小型化和高效率電源系統(tǒng)的需求。

除功率器件外，羅姆還推出搭載第4代SiC芯片的頂部散熱型HSDIP20等高輸出功率SiC模塊產(chǎn)品。這些 1200V SiC模塊已面向LLC方式的AC-DC轉(zhuǎn)換器和一次DC-DC轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)高效率、高密度的電力轉(zhuǎn)換，適用于800V輸配電系統(tǒng)等兆瓦級(jí)AI工廠。

意法半導(dǎo)體：最近英偉達(dá)宣布已完成對(duì)意法半導(dǎo)體（ST）12kW配電概念驗(yàn)證板的設(shè)計(jì)驗(yàn)證測(cè)試，這一成果標(biāo)志著該項(xiàng)目正式邁入生產(chǎn)驗(yàn)證測(cè)試階段。

意法半導(dǎo)體是英偉達(dá)新推出的800V機(jī)架配電開發(fā)計(jì)劃中的重要合作伙伴。雙方合作的核心原因是意法半導(dǎo)體研發(fā)的高功率密度電力傳輸板（PBD）。這款傳輸板采用小型化設(shè)計(jì)，卻能承載12kW的功率。依托碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）功率芯片技術(shù)的最新突破、STGAP硅基嵌入式電隔離專利，以及先進(jìn)的模擬數(shù)字信號(hào)處理能力，意法半導(dǎo)體正推動(dòng)數(shù)據(jù)中心行業(yè)邁入新時(shí)代。借助這款電力傳輸板，英偉達(dá)得以縮減線纜體積、提升系統(tǒng)效率。此次合作實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的一項(xiàng)重要突破：ST首次達(dá)成12kW電能持續(xù)輸出，且能效超過98%；在輸出電壓為50V時(shí)，功率密度更是突破2600W/in3。

為應(yīng)對(duì)800V機(jī)架的固有挑戰(zhàn)，同時(shí)滿足計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的帶電插拔要求，意法半導(dǎo)體將解決方案分為兩部分：帶電插拔保護(hù)電路與電能功率轉(zhuǎn)換器。其中，帶電插拔保護(hù)電路采用意法半導(dǎo)體的1200V碳化硅（SiC）器件與電隔離型BCD（BIPOLAR-CMOS-DMOS）控制器。

解決方案的第二部分是DC-DC轉(zhuǎn)換器，其功能是將整個(gè)機(jī)架的800V電壓轉(zhuǎn)換為單臺(tái)服務(wù)器所需的50V電壓。為在極小的機(jī)位空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)這一轉(zhuǎn)換，意法半導(dǎo)體在原邊采用650V氮化鎵（GaN）晶體管堆疊式半橋架構(gòu)，搭配STGAP電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。

在副邊設(shè)計(jì)中，意法半導(dǎo)體采用100V低壓氮化鎵（GaN）晶體管、低壓柵極驅(qū)動(dòng)器及STM32G4微控制器。



德州儀器：在今年5月，TI就宣布與英偉達(dá)合作開發(fā)用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器 800V 高壓直流 (HVDC) 配電系統(tǒng)的電源管理和傳感技術(shù)。而在最近，TI也推出新的設(shè)計(jì)資源和電源管理芯片，面向數(shù)據(jù)中心電源管理架構(gòu)從 12V 到 48V 再到 800VDC的擴(kuò)展。

其中包括30kW AI 服務(wù)器電源單元參考設(shè)計(jì)，為了支持嚴(yán)格的 AI 工作負(fù)載要求，TI 的雙級(jí)電源參考設(shè)計(jì)使用三相三電平飛跨電容器功率因數(shù)校正轉(zhuǎn)換器，并與雙 Δ-Δ 三相電感器-電感器-電容器轉(zhuǎn)換器搭配使用。該電源可配置為單路 800V 輸出，電源或多路獨(dú)立輸出。

在雙相智能功率級(jí)產(chǎn)品上，TI 的CSD965203B是市場(chǎng)上峰值功率密度較高的功率級(jí)，每相峰值電流為 100A，并將兩個(gè)功率相位集成于 5mm x 5mm 的四方扁平無引線封裝中。該器件使設(shè)計(jì)人員能夠在較小的印刷電路板面積上增加相位計(jì)數(shù)和功率輸送，從而提高效率和性能。

TI還推出了用于橫向電力輸送的雙相智能電源模塊CSDM65295，在緊湊的 9mm x 10mm x 5mm 封裝中提供高達(dá) 180A 的峰值輸出電流，幫助工程師在兼顧熱管理的情況下提高數(shù)據(jù)中心的功率密度。該模塊集成了兩個(gè)功率級(jí)和兩個(gè)電感器，具有跨電感電壓調(diào)節(jié) (TLVR) 選項(xiàng)，可保持高效率和可靠運(yùn)行。

在中間母線變流器中TI提供了基于GaN的LMM104RM0 轉(zhuǎn)換器模塊，能夠以四分之一磚型 (58.4mm x 36.8mm) 的外形尺寸提供高達(dá)1.6kW 的輸出功率，具備超過 97.5% 的輸入到輸出功率轉(zhuǎn)換效率和高輕負(fù)載效率，可實(shí)現(xiàn)多個(gè)模塊之間的有源電流共享。

電力系統(tǒng)組件供應(yīng)商

英偉達(dá)最新的供應(yīng)商名單為：貿(mào)聯(lián)（BizLink）、臺(tái)達(dá)電子、偉創(chuàng)力（Flex）、通用電氣弗諾瓦（GE Vernova）、Lead Wealth（比亞迪電子控股）、光寶科技、麥格米特電氣。

臺(tái)達(dá)電子：COMPUTEX 2025上臺(tái)達(dá)展出了最新的HVDC高壓直流方案，包括列間電源系統(tǒng)：因應(yīng)GPU高運(yùn)算用電，支援未來AI平臺(tái)系統(tǒng)，系統(tǒng)功率達(dá)800kW，輸出可達(dá)800VDC，搭配電池與電容模組，整機(jī)效率高達(dá)98%。

高壓直流機(jī)架式電源：2OU 180kW及1OU 72kW AC-DC機(jī)架式電源可支援三相電源415VAC至 480VAC交流輸入電壓，并輸出800VDC直流電，能源轉(zhuǎn)換效率高達(dá)98%；另有90kW DC-DC機(jī)架式電源，可進(jìn)一步降壓至50VDC。

機(jī)架式高功率電容模組：內(nèi)建超級(jí)電容，可因應(yīng)GPU快速運(yùn)算時(shí)的動(dòng)態(tài)負(fù)載變化，進(jìn)行即時(shí)充放電。若遇到電網(wǎng)突然斷電的情況，能提供15秒/20kW電力輸出作為備援電力，避免數(shù)據(jù)流失。

e-Fuse模組：配置于HVDC架構(gòu)中的PDU/CBU/BBU/DC機(jī)架式電源，具備電壓、電流異常與過溫保護(hù)功能，并支持熱交換過程中的安全斷開與緩啟動(dòng)，相較于傳統(tǒng)機(jī)械式繼電器，反應(yīng)速度超過千倍，且更加安全。

液冷／高壓直流氣冷匯流排：新推出的核芯液冷匯流排和高壓直流氣冷匯流排，分別支援50VDC/8000A及800VDC/1000A以上的功率傳遞，確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。

HVDC高壓直流機(jī)柜風(fēng)扇墻：高壓直流驅(qū)動(dòng)氣冷散熱設(shè)計(jì)，提供高功率、高性能風(fēng)扇墻設(shè)計(jì)，維護(hù)系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。

臺(tái)達(dá)還展示了800V HVDC 電源系統(tǒng)與固態(tài)變壓器（SST）原型機(jī)，顛覆傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心的 “多階降壓” 邏輯，其 SST 支持 10-34.5kV 中壓輸入，可直接將電網(wǎng)電力轉(zhuǎn)換為 800V DC，省去傳統(tǒng)架構(gòu)中的工頻變壓器與 415V AC 母線環(huán)節(jié)，系統(tǒng)效率提升 5%。

麥格米特：在2025年英偉達(dá)GTC大會(huì)上，麥格米特展示出800V Sider car rack方案，單柜功率570KW，內(nèi)含19個(gè)800V直流輸出的30kW PSU以及19個(gè)電容模組（Capacitor module）。同時(shí)采用SiC 器件實(shí)現(xiàn) 98% 轉(zhuǎn)換效率，功率密度達(dá) 640W/in3，僅需 8U 空間即可滿足 1MW 機(jī)架的供電需求，較傳統(tǒng)方案釋放 80% 的機(jī)架空間。該模塊已通過 NVIDIA 兼容性測(cè)試，可與 Kyber 機(jī)架無縫集成，預(yù)計(jì) 2026 年進(jìn)入量產(chǎn)階段。