縮減硅工藝的可怕競(jìng)爭(zhēng)，最近又難倒了一位參賽選手。格羅方德（GlobalFoundries）今日宣布，它將無(wú)限期地暫停 7nm LP 工藝的開(kāi)發(fā)，以便將資源轉(zhuǎn)移到更加專(zhuān)業(yè)的 14nm 和 12nm
2018-08-28 09:24:20
4418 已經(jīng)完成，現(xiàn)在可以為客戶(hù)提供樣品。通過(guò)在其基于極紫外（EUV）的工藝產(chǎn)品中添加另一個(gè)尖端節(jié)點(diǎn)，三星再次證明了其在先進(jìn)晶圓代工市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。 與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術(shù)將邏輯區(qū)域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，從而使其能夠擁有更多創(chuàng)
2019-04-18 15:48:476010 趙海軍博士和梁孟松博士表示，FinFET的研發(fā)工作繼續(xù)加速。該公司的14納米工藝目前正處于風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)將在年底前實(shí)現(xiàn)盈利。 此外，該公司還開(kāi)始與12nm工藝的客戶(hù)合作，提供了第一代FinFET技術(shù)的增強(qiáng)版本。并抓住5G / IoT /汽車(chē)和其他行業(yè)趨勢(shì)的機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)突破
2019-08-20 09:25:016602 有消息稱(chēng)，三星正計(jì)劃使用14nm FinFET工藝制造144MP成像傳感器。 Ice Universe在Twitter上分享了三星新型相機(jī)傳感器的最新消息。該推文還附帶了一些圖表圖像，這些圖像討論
2019-12-18 10:44:223972 成功批量生產(chǎn)14nm FinFET。因此，這也使中芯國(guó)際工廠(chǎng)成為中國(guó)最先進(jìn)的集成生產(chǎn)基地。 另一方面，臺(tái)積電是一家成熟的行業(yè)供應(yīng)商，其大部分業(yè)務(wù)集中在南京工廠(chǎng)，該工廠(chǎng)于2018年底投入運(yùn)營(yíng)。它投資30億美元，使其能夠生產(chǎn)20,000個(gè)12英寸晶圓廠(chǎng)每月。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)
2020-01-14 11:21:195461 互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司宣佈提供QSFP+低功耗56Gb/s 14資料速率主動(dòng)光纜（Active Optical Cable， AOC）產(chǎn)品，在長(zhǎng)達(dá)4公里距離上可達(dá)到最高56 Gbps集合資料速率，提供較低成本可靠解決方案。每
2012-11-19 12:08:291490 三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術(shù)，而且又類(lèi)似GlobalFoundries、聯(lián)電，三星也使用了14+20nm混合工藝，大致來(lái)說(shuō)就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141742 阿爾特拉之所以選擇英特爾作為14nm工藝代工企業(yè)，是因?yàn)橛⑻貭栐诹Ⅲw晶體管（FinFET）技術(shù)方面的量產(chǎn)業(yè)績(jī)獲得好評(píng)。20nm工藝之前阿爾特拉一直將臺(tái)積電作為主要的代工企業(yè)，而14nm工藝的生產(chǎn)將只委托給英特爾
2013-03-05 08:51:201363 16nm/14nm FinFET技術(shù)將是一個(gè)Niche技術(shù)，或者成為IC設(shè)計(jì)的主流？歷史證明，每當(dāng)創(chuàng)新出現(xiàn)，人們就會(huì)勾勒如何加以利用以實(shí)現(xiàn)新的、而且往往是意想不到的價(jià)值。FinFET技術(shù)將開(kāi)啟電腦、通信和所有類(lèi)型消費(fèi)電子產(chǎn)品的大躍進(jìn)時(shí)代。
2013-03-28 09:26:472161 在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這
2013-06-28 09:57:581023 英特爾公司近日公布在14納米制程上的1至32 Gbps高速串行解串器（SerDes）硅片特性。以先前推出的1至16 Gbps GP 14納米串行解串器為基礎(chǔ)，新增32 Gbps串行解串器是第二款產(chǎn)品，預(yù)計(jì)于今年年底上市。
2014-12-02 09:10:131166 在歷經(jīng)16nm/14nm閘極成本持續(xù)增加后，可望在10nm時(shí)降低。雖然IBS并未預(yù)期工藝技術(shù)停止微縮，但預(yù)計(jì)試錯(cuò)成本（cost penalty）將出現(xiàn)在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之際。
2015-06-23 10:39:271246 10nm新工藝難產(chǎn)，Intel不得不臨時(shí)增加了第三代的14nm工藝平臺(tái)Kaby Lake，但即便如此進(jìn)展也不快，Intel甚至將其描述為“2017年平臺(tái)”（2017 Platform）。
2016-07-11 09:44:081243 后來(lái)進(jìn)入10nm級(jí)，Intel在制程工藝層面一騎絕塵，領(lǐng)先三星和臺(tái)積電一代以上。不過(guò)，Intel 14nm FinFET大量都是用在自家生意上，畢竟作為芯片一哥，需求量驚人，另外就是為FPGA伙伴代工了。
2016-07-15 10:24:04957 半導(dǎo)體市況好熱鬧，就在臺(tái)積電透露5nm將在2019年試產(chǎn)之際，聯(lián)電23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶(hù)芯片量產(chǎn)階段，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)水平，此制程將幫助客戶(hù)開(kāi)拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。
2017-02-24 07:56:012534 ，臺(tái)積電透露5nm將在2019年試產(chǎn)之際，聯(lián)電2月23日也宣布，自主研發(fā)的14nm鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)，已成功進(jìn)入客戶(hù)芯片量產(chǎn)階段，良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)水平，此制程將幫助客戶(hù)開(kāi)拓嶄新的應(yīng)用于電子產(chǎn)品。
2017-02-24 08:25:501308 著稱(chēng)，三星為了趕超臺(tái)積電選擇直接跳過(guò)20nm工藝而直接開(kāi)發(fā)14nmFinFET工藝，臺(tái)積電雖然首先開(kāi)發(fā)出16nm工藝不過(guò)由于能效不佳甚至不如20nm工藝只好進(jìn)行改進(jìn)引入FinFET工藝，就此三星成功實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先。
2017-03-02 01:04:491675 一、前言：14nm的巔峰！Intel主流平臺(tái)迎來(lái)10核心 曾經(jīng)有一段時(shí)間筆者也難以理解，為什么早在2018年筆記本端的i3-8121U處理器就用上了10nm制程工藝，而桌面上最新十代酷睿還在堅(jiān)持
2020-07-28 16:27:2118704 
5月14日， Cadence宣布基于中芯國(guó)際14nm工藝的10Gbps多協(xié)議PHY研發(fā)成功，這是行業(yè)首個(gè)SMIC FinFET工藝上有成功測(cè)試芯片的多協(xié)議SerDes PHY IP。
2020-05-15 09:32:165309 6月7日晚間，中芯國(guó)際在上交所公布了對(duì)第一輪審核問(wèn)詢(xún)函的回復(fù)。此前中芯國(guó)際在招股說(shuō)明書(shū)披露，公司邏輯工藝技術(shù)平臺(tái)65/55nm及以下、0.13/0.11微米、0.18/0.15微米均為國(guó)際領(lǐng)先，成熟
2020-06-09 10:29:248982 3 月 10 日消息從供應(yīng)鏈獲悉，中芯國(guó)際 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率已追平臺(tái)積電同等工藝，水準(zhǔn)達(dá)約 90%-95%。目前，中芯國(guó)際各制程產(chǎn)能滿(mǎn)載，部分成熟工藝訂單已排至 2022 年。
2021-03-10 13:42:244501 3nm 時(shí)代來(lái)臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布了面向臺(tái)積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長(zhǎng)距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是
2023-05-19 16:25:12784 
一些分析文章指出，臺(tái)積電的7nm工藝在很多指標(biāo)上和英特爾的10nm工藝很接近。圖為臺(tái)積電、英特爾和格羅方德不同代次工藝的典型尺寸對(duì)比，不過(guò)格羅方德放棄了所有14nm以后的工藝研發(fā)。
2020-07-07 11:38:14
14nm工藝的肖特基二極管和與非門(mén)導(dǎo)通延時(shí)是多少皮秒啊
2018-06-17 13:21:09
增強(qiáng)；同時(shí)也極大地減少了漏電流的產(chǎn)生，這樣就可以和以前一樣繼續(xù)進(jìn)一步減小Gate寬度。目前三星和臺(tái)積電在其14/16nm這一代工藝都開(kāi)始采用FinFET技術(shù)。圖6：Intel（左：22nm）和Samsung（右：14nm）Fin鰭型結(jié)構(gòu)注：圖3、圖6的圖片來(lái)于網(wǎng)絡(luò)。
2017-01-06 14:46:20
的解決方案?！ ‘a(chǎn)品優(yōu)勢(shì) 所有領(lǐng)先代工廠(chǎng)和先進(jìn)IDM的標(biāo)準(zhǔn)建模工具 完整和強(qiáng)大的SPICE建模功能 高效和精準(zhǔn)的參數(shù)提取和優(yōu)化引擎 領(lǐng)先的SPICE建模技術(shù)支持最先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)、各種器件類(lèi)型
2020-07-01 09:36:55
Intel正在野心勃勃地打造22nm新工藝、Silvermont新架構(gòu)的智能手機(jī)、平板機(jī)處理器，而接下來(lái)的14nm路線(xiàn)圖也已經(jīng)曝光了?！ 「鶕?jù)規(guī)劃，在平板機(jī)平臺(tái)上，Intel將于2014年
2013-08-21 16:49:33
Exypnos和Prasinos，分別意為智能和環(huán)保)，搭載于自家旗艦機(jī)Galaxy S8上，宣稱(chēng)與上一代14nm工藝相較性能提高了27%、功耗降低40%。另一方面，臺(tái)積電的10nm產(chǎn)品A11 Bionic
2018-06-14 14:25:19
的寬度，也被稱(chēng)為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布，正式推出全國(guó)產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點(diǎn)的4GbSPINANDFlash產(chǎn)品——GD5F4GM5系列。該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造到
2020-11-26 06:29:11
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
工藝技術(shù)的演進(jìn)遵循摩爾定律，這是這些產(chǎn)品得以上市的主要促成因素。對(duì)整個(gè)行業(yè)來(lái)說(shuō)，從基于大體積平面晶體管向FinFET三維晶體管的過(guò)渡是一個(gè)重要里程碑。這一過(guò)渡促使工藝技術(shù)經(jīng)過(guò)了幾代的持續(xù)演進(jìn)，并且減小
2019-07-17 06:21:02
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來(lái)了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)
Avago Technologies(安華高科技)日前宣布，已經(jīng)在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長(zhǎng)久以
2008-08-27 00:34:23701 日前，Avago Technologies宣布其25 Gbps 串化器/并化器 (SerDes) 核心已在28nm 工藝技術(shù)上與25G 長(zhǎng)距離(LR) 通用電子界面(CEI) 標(biāo)準(zhǔn)兼容。
2012-02-05 10:48:24769 近年來(lái)，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制造工藝的芯片在英特爾的實(shí)驗(yàn)室中被研制成功，業(yè)界開(kāi)始有了擔(dān)憂(yōu)。
2012-03-13 14:36:5127582 隨著芯片微縮，開(kāi)發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來(lái)越高。TSMC對(duì)外發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電會(huì)繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開(kāi)發(fā)，今年年底臺(tái)積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 為與臺(tái)積電爭(zhēng)搶下一波行動(dòng)裝置晶片制造商機(jī)，格羅方德將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體（3D FinFET）架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計(jì)明年客戶(hù)即可開(kāi)始投片，后年則可望大量生產(chǎn)。
2012-10-09 12:02:37911 電子設(shè)計(jì)企業(yè)Cadence Design Systems， Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶體管技術(shù)，已經(jīng)成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗(yàn)芯片。
2012-11-01 09:11:031480 據(jù)《愛(ài)爾蘭時(shí)報(bào)》報(bào)道，Intel已經(jīng)決定，將其都柏林萊克斯利普（Leixlip）晶圓廠(chǎng)升級(jí)14nm工藝的計(jì)劃推遲半年，暫時(shí)仍舊停留在22nm。 為了部署新工藝，Intel還調(diào)集了大約600名愛(ài)爾蘭員工，
2012-11-12 09:39:40730 雖然開(kāi)發(fā)先進(jìn)微縮制程的成本與技術(shù)難度愈來(lái)愈高，但站在半導(dǎo)體制程前端的大廠(chǎng)們?nèi)岳^續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運(yùn)用IBM的FinFET制程技術(shù)而設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)之ARM Cortex-M0處理
2012-11-17 10:29:36844 GlobalFoundries、Intel都在紛紛宣傳各自的14nm新工藝，三星電子今天也宣布，已經(jīng)在14nm FinFET工藝開(kāi)發(fā)之路上取得又一個(gè)里程碑式的突破，與其設(shè)計(jì)、IP合作伙伴成功流片了多個(gè)開(kāi)發(fā)載具。
2012-12-24 09:28:241072 Intel將在未來(lái)一年內(nèi)連續(xù)推出兩套14nm工藝主流處理器，其中Broadwell主打筆記本移動(dòng)平臺(tái)，Skylake則會(huì)為桌面平臺(tái)帶來(lái)全新升級(jí)，無(wú)論架構(gòu)、技術(shù)都將有質(zhì)的飛躍，尤其是支持DDR4。
2014-06-30 09:08:37977 三星于2015年第一季度發(fā)布了半導(dǎo)體芯片行業(yè)首款采用14nmLPE （Low-Power Early） 工藝量產(chǎn)的Exynos 7 Octa處理器，成為FinFET邏輯制程上的行業(yè)引領(lǐng)者。
2016-01-15 17:12:47927 驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會(huì)由三星代工生產(chǎn)，今天三星官方正式確認(rèn)了這個(gè)消息，并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241017 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11580 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線(xiàn)系統(tǒng)也通過(guò)了認(rèn)證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:422372 恩智浦推出首款采用14nm LPC FinFET先進(jìn)工藝技術(shù)打造的嵌入式多核異構(gòu)應(yīng)用處理器，其核心是可擴(kuò)展的內(nèi)核異構(gòu)體，包括多達(dá)四個(gè)主頻達(dá)2GHz的ARM Cortex-A53內(nèi)核以及主頻達(dá)400+MHz基于Cortex-M4的實(shí)時(shí)處理器。
2018-03-02 16:43:012091 中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松透露，中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并藉此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。
2018-05-14 14:52:005009 Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)用于高性能、高密度芯片設(shè)計(jì) 重點(diǎn)： Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證，支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)，已成功用于客戶(hù)的多個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。 針對(duì)
2018-05-17 06:59:004461 替換高清大圖 請(qǐng)點(diǎn)擊此處輸入圖片描述 中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并借此進(jìn)入...... 晶圓制造是目前芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)
2018-05-17 09:37:354975 最近一段時(shí)間，英特爾公司因?yàn)?0nm工藝難產(chǎn)的問(wèn)題被推上了風(fēng)口浪尖，副總裁此前已經(jīng)強(qiáng)調(diào)10nm工藝的問(wèn)題只是良率問(wèn)題，正在解決，而他們的14nm工藝依然有潛力可挖。
2018-05-21 11:02:001532 Mentor Graphics Corp. 與英特爾公司宣布，Mentor 的電路模擬和驗(yàn)收工具已經(jīng)完全啟用英特爾面向 Intel Custom Foundry 客戶(hù)的 14nm三柵極工藝技術(shù)
2018-06-02 12:00:001381 ?，F(xiàn)在的問(wèn)題是英特爾的產(chǎn)能不足可能不止影響14nm，明年的10nm產(chǎn)能也不樂(lè)觀，爆料顯示原本計(jì)劃中的10nm Icelake處理器從明年的路線(xiàn)圖中消失，取而代之的是現(xiàn)有14nm工藝的Coffee Lake Refresh，也就是咖啡湖的升級(jí)版。 由于這兩年來(lái)英特爾深陷工藝、架構(gòu)升
2018-09-19 16:56:001231 、酷睿i5-9600K這三款，它們依然是14nm++工藝生產(chǎn)。近年來(lái)英特爾的10nm工藝一直延期，14nm工藝已經(jīng)衍生出了5代桌面處理器，但是英特爾高管表示九代酷睿處理器將是14nm的謝幕演出。
2018-10-12 16:38:001360 基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車(chē)設(shè)計(jì)規(guī)則，滿(mǎn)足可靠性和15年汽車(chē)運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:216541 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車(chē)級(jí)DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:231517 根據(jù)中芯國(guó)際之前的爆料，其14nm工藝良率已達(dá)95%，進(jìn)展符合預(yù)期，已經(jīng)進(jìn)入了客戶(hù)導(dǎo)入階段，正在進(jìn)行驗(yàn)證及IP設(shè)計(jì)。另外，中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松宣布計(jì)劃在2019年上半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)14nm FinFET。
2018-11-11 10:03:304212 在14nm晶圓廠(chǎng)上，英特爾最初是規(guī)劃了三座晶圓廠(chǎng)率先升級(jí)14nm工藝，包括美國(guó)本土俄勒岡州的D1X晶圓廠(chǎng)、亞利桑那州的Fab 42晶圓廠(chǎng)及愛(ài)爾蘭的Fab 24晶圓廠(chǎng)，不過(guò)Fab 42晶圓廠(chǎng)升級(jí)
2018-12-20 15:47:012893 2月14日，國(guó)內(nèi)晶圓代工大廠(chǎng)中芯國(guó)際發(fā)布2018年第四季度業(yè)績(jī)，宣布14nm工藝進(jìn)入客戶(hù)驗(yàn)證階段，且12nm工藝開(kāi)發(fā)取得突破。
2019-02-15 15:25:543797 本位介紹14nm節(jié)點(diǎn)FinFET工藝流程。（后柵工藝BEOL+FEOL）
3.1流程概述：晶圓材料-隔離—淀積多晶硅—芯軸—鰭硬掩膜（“側(cè)墻”）—刻蝕形成鰭—雙阱形成—制作臨時(shí)輔助柵—補(bǔ)償隔離
2019-04-10 08:00:00
143 舉個(gè)例子，臺(tái)積電一貫以來(lái)在研發(fā)先進(jìn)工藝上出了名保守。在研發(fā)16nm工藝的時(shí)候它就先在2014年量產(chǎn)了14nm工藝然后再在2015年引入FinFET工藝，而三星則直接在2015年量產(chǎn)
2019-09-04 11:45:583972 英特爾已經(jīng)使用了 N 年的 14nm 工藝制程了，而現(xiàn)在這家科技巨頭似乎遇到了 10nm 的產(chǎn)能問(wèn)題，于是 14nm++++ 成為未來(lái)兩三年內(nèi)英特爾的主力制程，這也是消費(fèi)者所不想要看到的。然而事實(shí)便是這樣，于是大家也就只能硬著頭皮使用英特爾的 14nm 產(chǎn)品了。
2019-12-02 16:31:328187 14nm工藝產(chǎn)能不足和10nm工藝“難產(chǎn)”，讓英特爾在最近的一年時(shí)間里依然處于產(chǎn)能不足的情況。
2019-12-03 17:36:483921 據(jù)介紹，14nm FinFET工藝使得界面態(tài)密度（Nit）提升40%以上，閃爍噪聲提高64%，數(shù)字邏輯功能芯片功耗降低34%。憑借14nm FinFET先進(jìn)工藝優(yōu)勢(shì)，144MP功耗有望降低42%。
2020-01-25 15:40:001317 
這兩年中國(guó)公司受?chē)?guó)外技術(shù)限制最多的領(lǐng)域就是半導(dǎo)體芯片了，從內(nèi)存、閃存到CPU，再到5G射頻等等，卡脖子的問(wèn)題依然沒(méi)有解決。不過(guò)2020年就是一個(gè)分水嶺了，明年中國(guó)公司將掌握多項(xiàng)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)，比如14nm工藝、國(guó)產(chǎn)的內(nèi)存、閃存等。
2019-12-30 09:05:112540 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，存在著明顯的金字塔模型。市場(chǎng)上的主流制程工藝節(jié)點(diǎn)從22nm、16/14nm一直到目前最先進(jìn)7nm，越往上玩家越少，即將到來(lái)的5nm更是只有臺(tái)積電和三星才玩得起。
2020-01-14 10:58:5310693 華為旗下的海思半導(dǎo)體已經(jīng)向中芯國(guó)際下單，通過(guò)后者最新的14nm工藝生產(chǎn)芯片。
2020-01-14 17:56:224930 近期有媒體曝光了最新的時(shí)代酷睿i9-10900處理器，這款處理器依舊采用的是14nm工藝，Comet Lake微架構(gòu)設(shè)計(jì)，這也充分表明，十代酷睿距離上市已經(jīng)非常的近了，下面我們就來(lái)看看這款U的具體參數(shù)。
2020-03-03 15:47:453549 我們要不要過(guò)分夸大中芯國(guó)際呢，14nm能夠發(fā)揮7nm工藝的水平？如果說(shuō)14nm高于12nm，筆者是相信的，畢竟當(dāng)年的iphone 6s的兩個(gè)處理器是混用的。
2020-03-09 11:59:343314 5月14日， Cadence宣布基于中芯國(guó)際14nm工藝的10Gbps多協(xié)議PHY研發(fā)成功，這是行業(yè)首個(gè)SMIC FinFET工藝上有成功測(cè)試芯片的多協(xié)議SerDes PHY IP。
2020-05-14 15:36:442619 去年AMD推出了7nm Zen2架構(gòu)的銳龍、霄龍?zhí)幚砥?，這是首款7nm工藝的x86處理器。不過(guò)嚴(yán)格來(lái)說(shuō)它是7nm+14nm混合，現(xiàn)在AMD要加速甩掉14nm工藝了，IO核心也有望使用臺(tái)積電7nm工藝。
2020-09-24 10:12:581765 華為被禁之后，國(guó)產(chǎn)替代成了半導(dǎo)體企業(yè)關(guān)注的重點(diǎn)。作為中國(guó)最大、技術(shù)最先進(jìn)的半導(dǎo)體代工廠(chǎng)家，中芯國(guó)際被寄予厚望。 中芯國(guó)際于 2019 年實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的 14nm 工藝制程量產(chǎn)，并已為華為麒麟
2020-09-30 14:24:188395 從2015年推出14nm處理器Skylake算起，Intel的14nm工藝已經(jīng)量產(chǎn)超過(guò)5年了，推出了至少三代工藝，性能已經(jīng)大幅提升，不可同日而語(yǔ)了。
2020-10-25 09:09:442725 昨天，中芯國(guó)際發(fā)布2020年Q3財(cái)報(bào)，得益于14nm工藝的爆發(fā)，其中單季營(yíng)收首超10億美元，創(chuàng)歷史新高。 值得一提的是，中芯國(guó)際Q3季度不僅產(chǎn)能利用率達(dá)到了97.8%，而且先進(jìn)工藝占比快速提升，14
2020-11-12 09:37:111673 昨天，中芯國(guó)際發(fā)布2020年Q3財(cái)報(bào)，得益于14nm工藝的爆發(fā)，其中單季營(yíng)收首超10億美元，創(chuàng)歷史新高。
2020-11-12 11:01:591470 第四季度進(jìn)入量產(chǎn)，良率一已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)?？傮w來(lái)說(shuō)，我們正在與國(guó)內(nèi)和海外客戶(hù)合作十多個(gè)先進(jìn)工藝，流片項(xiàng)目，包含14nm及更先進(jìn)工藝技術(shù)。 雖然我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">先進(jìn)工藝的研發(fā)和運(yùn)營(yíng)上，取得了一些成績(jī)，但我們距離世界一流企業(yè)，還有一定技術(shù)差距，還
2020-11-12 18:14:381780 11月12日，中芯國(guó)際在發(fā)布第三季度財(cái)報(bào)后的電話(huà)會(huì)議上，被業(yè)界譽(yù)為“芯片狂人”的中芯國(guó)際聯(lián)合CEO梁孟松表示，目前14nm量產(chǎn)良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。這句話(huà)字里行間透露了怎么樣的信息，中芯國(guó)際的14nm產(chǎn)線(xiàn)在國(guó)際上能否一戰(zhàn)，成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。但他也承認(rèn)，未來(lái)還有很長(zhǎng)的路要走。
2020-11-13 10:31:321964 
11月12日，中芯國(guó)際在發(fā)布第三季度財(cái)報(bào)后的電話(huà)會(huì)議上，被業(yè)界譽(yù)為“芯片狂人”的中芯國(guó)際聯(lián)合CEO梁孟松表示，目前14nm量產(chǎn)良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。
2020-11-14 11:02:2417247 
梁孟松在會(huì)議上表示：中芯國(guó)際的14nm在去年第四季度進(jìn)入量產(chǎn)，良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)。良率意對(duì)芯片至關(guān)重要，這意味著其14nm已經(jīng)進(jìn)入真正意義上的量產(chǎn)。總體來(lái)說(shuō)，我們正在與國(guó)內(nèi)和海外客戶(hù)合作十多個(gè)先進(jìn)工藝，流片項(xiàng)目，包含14nm及更先進(jìn)工藝技術(shù)。
2020-12-11 14:16:442648 最快明年1月份，Intel就要發(fā)布代號(hào)Rocket Lake-S的11代酷睿桌面版了，這次真的是最后一代14nm工藝了，明年Intel主力就會(huì)轉(zhuǎn)向10nm，產(chǎn)能也會(huì)歷史性超過(guò)14nm工藝，成為第一大主力。
2020-12-21 09:07:571913 最快明年1月份，Intel就要發(fā)布代號(hào)Rocket Lake-S的11代酷睿桌面版了，這次真的是最后一代14nm工藝了，明年Intel主力就會(huì)轉(zhuǎn)向10nm，產(chǎn)能也會(huì)歷史性超過(guò)14nm工藝，成為第一大主力。
2020-12-21 10:30:471562 Intel的14nm從14年應(yīng)用到Broadwell算起，一直到明年Rocket Lake-S的11代酷睿桌面版為止，這幾乎是Intel工藝中最長(zhǎng)壽的一代了。
2020-12-22 11:49:085468 日前Intel方面透露，從2017年到2020年的三年時(shí)間里，他們的14nm及10nm產(chǎn)能已經(jīng)翻倍了，目前依然是供不應(yīng)求。
2020-12-25 11:46:542101 要說(shuō)誰(shuí)是CPU領(lǐng)域的常青樹(shù)，那就非14nm莫屬了，自從2014年推出首款14nm的產(chǎn)品之后，英特爾的這代工藝已經(jīng)使用了7年之久，要知道在日新月異的半導(dǎo)體領(lǐng)域，制程水平能夠保持7年之久實(shí)在是一件極其
2021-01-15 10:58:288387 從 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率來(lái)說(shuō)，中芯國(guó)際生產(chǎn)水平已經(jīng)快等同于臺(tái)積電，制程工藝產(chǎn)品良率可達(dá)90%-95%。
2021-03-15 16:38:231129 近日，《烏合麒麟撤回道歉，稱(chēng)3D堆疊就是芯片優(yōu)化技術(shù)》事件在網(wǎng)上引起爭(zhēng)論，今天ASPENCORE記者歐陽(yáng)洋蔥同學(xué)進(jìn)一步對(duì)“ 14nm + 14nm 達(dá)成‘比肩’7nm 性能的問(wèn)題”展開(kāi)了專(zhuān)業(yè)的分析
2021-07-02 16:39:345583 在芯片設(shè)計(jì)和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7nm工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量，幾乎是14nm工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:53:4621551 112Gbps SerDes設(shè)計(jì)將根據(jù)應(yīng)用情況在各種配置中被采用。下圖展示了長(zhǎng)距離(LR)、中距離(MR)、極短距離(VSR)和超短距離(XSR)拓?fù)?，其?12G信令路徑在每個(gè)拓?fù)渲卸纪怀鲲@示。
2022-07-27 15:05:161090 臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。
2023-04-14 10:58:15636 楷登電子(美國(guó) Cadence 公司，NASDAQ：CDNS)今日發(fā)布基于臺(tái)積電 N4P 工藝的 112G 超長(zhǎng)距離(112G-ELR)SerDes IP，該 IP 適用于超大規(guī)模 ASIC
2023-04-28 10:07:36944 3nm 時(shí)代來(lái)臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布了面向臺(tái)積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長(zhǎng)距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。
2023-05-19 15:23:07675 
的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)14nm 晶圓芯片零的突破，并在梁孟松等專(zhuān)家的帶領(lǐng)下，向著更加先進(jìn)的芯片制程發(fā)起沖鋒。 然而，最近在中芯國(guó)際的公司官網(wǎng)上，有關(guān)于14nm芯片制程的工藝介紹，已經(jīng)全部下架，這讓很多人心存疑惑，作為自家最為先進(jìn)的
2023-06-06 15:34:2117915 3nm 時(shí)代來(lái)臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布了面向臺(tái)積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長(zhǎng)距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。
2023-07-10 09:26:20407
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