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格芯成為 7nm LP 工藝開(kāi)發(fā)的逃兵,專(zhuān)注于14/12nm FinFET 節(jié)點(diǎn)

羅欣 ? 來(lái)源:cnBeta.COM ? 作者:TechReport編譯 ? 2018-08-28 09:24 ? 次閱讀
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縮減硅工藝的可怕競(jìng)爭(zhēng),最近又難倒了一位參賽選手。格芯今日宣布,它將無(wú)限期地暫停 7nm LP 工藝的開(kāi)發(fā),以便將資源轉(zhuǎn)移到更加專(zhuān)業(yè)的 14nm 和 12nm FinFET 節(jié)點(diǎn)的持續(xù)開(kāi)發(fā)上。這一突然的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)折,發(fā)生在該公司位于紐約馬耳他的 Fab 8 工廠(chǎng)宣稱(chēng)對(duì)這項(xiàng)前沿技術(shù)加大投資規(guī)模的幾個(gè)月之后。

首席技術(shù)官 Gary Patton 在接受 AnandTech 采訪(fǎng)時(shí)稱(chēng),這一決定是出于經(jīng)濟(jì)方面的考慮,而非 7LP 面臨的任何技術(shù)障礙。

格芯稱(chēng),未來(lái)一段時(shí)間,該公司將專(zhuān)注于射頻嵌入式存儲(chǔ)器、低功耗定制 14-nm 和 12-nm FinFET 工藝的定制改進(jìn)。

此外,格芯還將把重點(diǎn)放在 22DFX 和 12FDX 工藝上,以迎合低功耗、相對(duì)低成本、以及高性能的 RF / 模擬 / 混合信號(hào)設(shè)計(jì)。

(圖自:GlobalFoundries INC)

AnandTech 報(bào)道還指出,有關(guān)格芯的 5-nm 和 3-nm 節(jié)點(diǎn)的未來(lái)發(fā)展,也已經(jīng)被擱置。

今年年底之后,該公司將停止與位于紐約奧爾巴尼的 IBM 芯片研究部門(mén)(SUNY Polytechnic Institute)的合作。

另外,格芯會(huì)裁撤 5% 的員工,其而不得不與 IBM 和 AMD 重新商談供應(yīng)協(xié)議。

對(duì)于發(fā)燒友們來(lái)說(shuō),格芯此舉無(wú)疑讓大家心碎一地。但問(wèn)題的真相似乎是,該公司難以吸引到長(zhǎng)期的業(yè)務(wù),來(lái)支撐 7nm、5nm、甚至 3nm 制程所需的巨額現(xiàn)金。

格芯在新聞稿中指出,該公司除 AMD 和 IBM 之外的客戶(hù),更青睞于已經(jīng)成熟的 14-nm FinFET 工藝,而不是需要反復(fù)經(jīng)歷艱難過(guò)渡的前沿節(jié)點(diǎn)。

萬(wàn)幸的是,就算沒(méi)有了格芯Fab 8 工廠(chǎng)的支持。AMD 的下一代芯片,也不會(huì)受到太大的影響。

其首款 7-nm 產(chǎn)品 —— 一款面向數(shù)據(jù)中心的 Vega GPU —— 正在 GF 競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電那邊研制,同時(shí)還有代號(hào)為羅馬的下一代服務(wù)器 CPU 。

總而言之,在格芯當(dāng)了逃兵之后,臺(tái)積電、三星英特爾仍將繼續(xù)這方面的追求。至于是否會(huì)有下一個(gè)“受害者”,仍有待時(shí)間去檢驗(yàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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