9月23日，北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司（以下簡稱“兆易創(chuàng)新”）在股票交易異常波動公告中表示，擬定增43億元，籌劃DRAM芯片自研及產(chǎn)業(yè)化項目。如今，此次非公開發(fā)行A股相關事項已經(jīng)獲得兆易創(chuàng)新第三屆董事會第八次會議審議通過，但尚需公司股東大會審議批準及中國證監(jiān)會核準。

10月1日，兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行A股股票預案公告。公告指出，本次非公開發(fā)行A股股票的發(fā)行對象為不超過10名特定投資者，發(fā)行的股票數(shù)量不超過本次發(fā)行前公司股份總數(shù)的20%，即不超過64，224，315股（含本數(shù)）。

預案顯示，兆易創(chuàng)新本次發(fā)行募集資金總額（含發(fā)行費用）不超過人民幣432，402.36萬元（含本數(shù)），扣除發(fā)行費用后的募集資金凈額將用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目及補充流動資金。

其中，DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目計劃投資39.92億元，擬投入募集資金33.24億元。兆易創(chuàng)新擬通過本項目，研發(fā)1Xnm級（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術，設計和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本項目的成功實施，有助于公司豐富自身產(chǎn)品線，有效整合產(chǎn)業(yè)資源，鞏固并提高公司的市場地位和綜合競爭力。

資料顯示，兆易創(chuàng)新自2005年設立并進入閃存芯片設計行業(yè)，通過技術開拓、業(yè)務并購，目前已成為中國大陸最為領先的芯片設計企業(yè)之一，主營業(yè)務為閃存芯片及其衍生產(chǎn)品、微控制器產(chǎn)品、傳感器模塊的研發(fā)、技術支持和銷售。

兆易創(chuàng)新指出，通過本次非公開發(fā)行，公司將以募集資金投入DRAM芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，積極推進產(chǎn)業(yè)整合，加快業(yè)務發(fā)展，拓展戰(zhàn)略布局。本次非公開發(fā)行是公司打造國內(nèi)領先存儲器廠商、全球領先芯片設計公司的關鍵戰(zhàn)略，發(fā)行完成后，公司在存儲器領域?qū)⒊蔀楦采wFlash、DRAM的領軍企業(yè)。

上述項目的實施能夠豐富公司的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，深入公司在存儲器行業(yè)的布局，成為國內(nèi)高端通用存儲器領域領軍企業(yè)，并能夠在公司業(yè)務不斷爬升、日益發(fā)展壯大的過程中補充營運資金。

DRAM作為集成電路領域通用芯片，產(chǎn)品標準化，非常適宜于迅速擴張，本次非公開發(fā)行完成及募集資金投資項目實施完畢后，公司在存儲器領域的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)將得到進一步豐富，在NOR Flash、NAND Flash基礎上切入DRAM存儲芯片。項目完成后，兆易創(chuàng)新將掌握DRAM技術、具備DRAM產(chǎn)品設計能力。