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標(biāo)簽 > DRAM
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復(fù)用來組成的。
3管動(dòng)態(tài)RAM的工作原理3管動(dòng)態(tài)RAM的基本存儲電路。在這個(gè)電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開的。
寫操作時(shí),寫選擇線為“1”,所以Q1導(dǎo)通,要寫入的數(shù)據(jù)通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時(shí)間內(nèi)保持信息。
讀操作時(shí),先通過公用的預(yù)充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當(dāng)讀選擇線為高電平有效時(shí),Q3處于可導(dǎo)通的狀態(tài)。若原來存有“1”,則Q2導(dǎo)通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時(shí)讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導(dǎo)通條件,但因?yàn)镼2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”。可見,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進(jìn)行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復(fù)用來組成的。
3管動(dòng)態(tài)RAM的工作原理3管動(dòng)態(tài)RAM的基本存儲電路。在這個(gè)電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開的。
寫操作時(shí),寫選擇線為“1”,所以Q1導(dǎo)通,要寫入的數(shù)據(jù)通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時(shí)間內(nèi)保持信息。
讀操作時(shí),先通過公用的預(yù)充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當(dāng)讀選擇線為高電平有效時(shí),Q3處于可導(dǎo)通的狀態(tài)。若原來存有“1”,則Q2導(dǎo)通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時(shí)讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導(dǎo)通條件,但因?yàn)镼2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”。可見,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進(jìn)行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。
?CDC2536 鎖相環(huán)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)?
CDC2536是一款高性能、低偏斜、低抖動(dòng)的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器。它使用鎖相環(huán) (PLL) 將時(shí)鐘輸出信號在頻率和相位上精確對齊到時(shí)鐘輸入 (CLKIN) 信號。...
?CDC516 3.3V相位鎖定環(huán)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
CDC516 是一款高性能、低偏斜、低抖動(dòng)、鎖相環(huán)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器。它使用鎖相環(huán) (PLL) 將反饋輸出 (FBOUT) 與時(shí)鐘 (CLK) 輸入信號在頻率和...
?CDC2516 3.3V相位鎖定環(huán)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該CDC2516是一款高性能、低偏斜、低抖動(dòng)、鎖相環(huán) (PLL) 時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器。它使用 PLL 在頻率和相位上將反饋輸出 (FBOUT) 與時(shí)鐘 (CLK...
所有輸入均兼容 1.5 V 和 1.35 V CMOS。所有輸出都是經(jīng)過優(yōu)化的 CMOS 驅(qū)動(dòng)器,可在 DDR3 RDIMM 應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)端接走線上的 D...
2025-09-17 標(biāo)簽:CMOS驅(qū)動(dòng)器DRAM 515 0
? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件,廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本...
本文介紹了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器DRAM的基本結(jié)構(gòu)與工作原理,以及其在器件縮小過程中面臨的挑戰(zhàn)。 DRAM的歷史背景與發(fā)展 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器(Dynamic Ra...
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2024-04-24 標(biāo)簽:DRAMcpuusb
類別:電子教材 2023-05-26 標(biāo)簽:DRAM存儲系統(tǒng)
現(xiàn)場存儲器AL422數(shù)據(jù)手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-09-17 標(biāo)簽:DRAM存儲器AL422
基于NVM和DRAN的混合內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案立即下載
類別:存儲器技術(shù) 2021-06-24 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存NVM
DRAM:產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)變化孕育中國玩家進(jìn)場良機(jī)立即下載
類別:存儲器技術(shù) 2021-03-17 標(biāo)簽:DRAM服務(wù)器
類別:電子資料 2020-12-23 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器DRAM
紫光國芯亮相2025中國國際消費(fèi)電子展覽會(huì)
2025年9月19日,2025中國國際消費(fèi)電子展覽會(huì)(簡稱“電博會(huì)”)在青島國際會(huì)展中心開幕,紫光國芯與新紫光集團(tuán)旗下來自芯片、ICT等版塊的十余家重要...
概倫電子亮相IDAS 2025設(shè)計(jì)自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)峰會(huì)
由 EDA2 主辦的第三屆設(shè)計(jì)自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)峰會(huì) IDAS 2025于9月16日在杭州國際博覽中心盛大落幕。作為國內(nèi)首家EDA上市公司、關(guān)鍵核心技術(shù)具備國際...
2025 年 9 月 11 日,由芯師爺主辦的第七屆硬核芯生態(tài)大會(huì)在深圳國際會(huì)展中心舉行。本屆峰會(huì)匯聚了半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的領(lǐng)軍者、電子制造企業(yè)高管、項(xiàng)目負(fù)...
類腦視覺芯片里程碑突破:復(fù)旦團(tuán)隊(duì)首創(chuàng)二維半導(dǎo)體DRAM仿生神經(jīng)元
在類腦視覺芯片領(lǐng)域,復(fù)旦大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)取得了令人矚目的突破,他們聯(lián)合研發(fā)出了基于二維半導(dǎo)體DRAM的仿生神經(jīng)元。這一成果為類腦計(jì)算與視覺處理的融合發(fā)展帶...
性能優(yōu)于HBM,超高帶寬內(nèi)存 (X-HBM) 架構(gòu)來了!
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,NEO Semiconductor宣布推出全球首款用于AI芯片的超高帶寬內(nèi)存 (X-HBM) 架構(gòu)。該架構(gòu)旨在滿足生成式AI和高性...
實(shí)錘!美光中國區(qū)業(yè)務(wù)調(diào)整!官方停止移動(dòng)NAND開發(fā)
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,據(jù)業(yè)內(nèi)可靠消息稱,近日美光Micron中國區(qū)進(jìn)行了業(yè)務(wù)調(diào)整。但并非網(wǎng)傳的“波及上海、深圳等地,以及嵌入式研發(fā)骨干、測試工程師及FA...
此前,2025年7月16至20日,作為創(chuàng)新內(nèi)存和存儲解決方案的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商,美光再度以“深耕存儲領(lǐng)域,賦能數(shù)字中國”為主題亮相第三屆中國國際供應(yīng)鏈促進(jìn)博...
在計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)中,各種存儲技術(shù)扮演著不同的角色,它們的性能特點(diǎn)和應(yīng)用場景各不相同。很多人對DRAM、SRAM、HBM、ROM、NOR Flash、...
HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。其核心設(shè)計(jì)是通過...
對于嵌入式系統(tǒng)工程師而言,選擇合適的 DRAM 至關(guān)重要,需綜合考慮帶寬、時(shí)延與功耗限制。在近期發(fā)布的白皮書中,我們詳細(xì)比較了主要的內(nèi)存類型(包括 DD...
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