這款符合 JEDEC SSTE32882 標(biāo)準(zhǔn)的 28 位 1:2 或 26 位 1:2 和 4 位 1:1 寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器,具有奇偶校驗(yàn)功能,設(shè)計(jì)用于在 VDD1.5 V 和 DDR3L 寄存器 DIMM 上 VDD1.35 伏。
所有輸入均兼容 1.5 V 和 1.35 V CMOS。所有輸出都是經(jīng)過(guò)優(yōu)化的 CMOS 驅(qū)動(dòng)器,可在 DDR3 RDIMM 應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)端接走線上的 DRAM 信號(hào)。時(shí)鐘輸出 Yn 和 Yn 以及控制網(wǎng)絡(luò)輸出 DxCKEn、DxCSn 和 DxODTn 可以以不同的強(qiáng)度和偏斜驅(qū)動(dòng),以優(yōu)化信號(hào)完整性、補(bǔ)償不同的負(fù)載并均衡信號(hào)傳輸速度。
*附件:sn74ssqea32882.pdf
該SN74SSQEA32882具有與四芯片選擇使能 (QCSEN) 輸入相關(guān)的兩種基本作模式。當(dāng)QCSEN輸入引腳開(kāi)路(或拉高)時(shí),該元件有兩個(gè)芯片選擇輸入DCS0和DCS1,以及每個(gè)芯片選擇輸出的兩個(gè)拷貝,QACS0、QACS1、QBCS0和QBCS1。這是“禁用 QuadCS”模式。當(dāng)QCSEN輸入引腳拉低時(shí),該元件有四個(gè)芯片選擇輸入DCS[3:0]和四個(gè)芯片選擇輸出QCS[3:0]。這是“啟用 QuadCS”模式。在本規(guī)范的其余部分,DCS[n:0]將指示所有芯片選擇輸入,其中n=1表示禁用QuadCS,n=3表示啟用QuadCS。QxCS[n:0] 將指示所有芯片選擇輸出。
該器件還支持將單個(gè)器件安裝在 DIMM 背面的模式。如果MIRROR=HIGH,則在這種情況下,輸入總線終端(IBT)必須對(duì)所有輸入信號(hào)保持啟用狀態(tài)。
SN74SSQEA32882采用差分時(shí)鐘(CK和CK)工作。數(shù)據(jù)記錄在 CK 變高和 CK 變低的交叉點(diǎn)處。該數(shù)據(jù)可以重新驅(qū)動(dòng)到輸出端,也可用于訪問(wèn)設(shè)備內(nèi)部控制寄存器。
輸入總線數(shù)據(jù)完整性由奇偶校驗(yàn)功能保護(hù)。將所有地址和命令輸入信號(hào)相加,并將總和的最后一位與系統(tǒng)在一個(gè)時(shí)鐘周期后PAR_IN輸入端提供的奇偶校驗(yàn)信號(hào)進(jìn)行比較。如果它們不匹配,器件將拉開(kāi)漏輸出 ERROUT LOW??刂菩盘?hào)(DCKE0、DCKE1、DODT0、DODT1、DCS[n:0])不屬于此計(jì)算的一部分。
該SN74SSQEA32882實(shí)現(xiàn)了不同的省電機(jī)制,以減少熱功耗并支持系統(tǒng)斷電狀態(tài)。通過(guò)禁用未使用的輸出,功耗進(jìn)一步降低。
該封裝經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可支持高密度 DIMM。通過(guò)將輸入和輸出位置對(duì)齊 DIMM 手指信號(hào)排序和 SDRAM 球出,該器件可以對(duì) DIMM 走線進(jìn)行去擾亂,從而實(shí)現(xiàn)低串?dāng)_設(shè)計(jì)和低互連延遲。
邊沿控制輸出可減少振鈴并改善SDRAM輸入端的信號(hào)眼圖開(kāi)度。
特性
- 符合 JEDEC SSTE32882標(biāo)準(zhǔn)
- 1 對(duì) 2 寄存器輸出和 1 對(duì) 4 時(shí)鐘對(duì)輸出支持
堆疊式 DDR3 RDIMM - CKE 掉電模式可優(yōu)化系統(tǒng)功耗
- 1.5V/1.35V鎖相環(huán)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器,用于緩沖一個(gè)
差分時(shí)鐘對(duì)(CK和CK)并分配
到四個(gè)差分輸出 - 1.5V/1.35V CMOS輸入
- 檢查命令和地址(CS 門(mén)控)數(shù)據(jù)輸入的奇偶校驗(yàn)
- 可配置的驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度
- 使用內(nèi)部反饋回路
- 應(yīng)用
- DDR3 寄存器 DIMM,最高可達(dá) DDR3-1600
- DDR3L 寄存器 DIMM,最高可達(dá) DDR3L-1333
- 單列、雙列和四列 RDIMM
參數(shù)
?1. 產(chǎn)品概述?
SN74SSQEA32882 是一款符合 JEDEC SSTE32882 標(biāo)準(zhǔn)的 28 位至 56 位注冊(cè)緩沖器,集成地址奇偶校驗(yàn)功能和 1:4 差分時(shí)鐘 PLL 驅(qū)動(dòng)器,專為 DDR3/DDR3L 寄存式 DIMM(RDIMM)設(shè)計(jì)。
- ?工作電壓?:支持 DDR3(1.5V)和 DDR3L(1.35V)。
- ?核心功能?:
- 1:2 寄存器輸出和 1:4 時(shí)鐘對(duì)輸出,支持堆疊式 DDR3 RDIMM。
- 奇偶校驗(yàn)保護(hù)命令和地址輸入數(shù)據(jù)。
- 可配置驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和時(shí)鐘相位調(diào)整。
?2. 關(guān)鍵特性?
- ?低功耗設(shè)計(jì)?:支持 CKE 省電模式,可禁用未使用的輸出以降低功耗。
- ?時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)?:通過(guò)內(nèi)部 PLL 緩沖 1 對(duì)差分時(shí)鐘(CK/CK)并分配至 4 對(duì)差分輸出。
- ?模式配置?:
- ?QuadCS 模式?:通過(guò) QCSEN 引腳選擇 2 或 4 個(gè)片選信號(hào)(DCS/QCS)。
- ?鏡像模式?:支持背對(duì)背安裝(MIRROR=HIGH)。
?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?
- DDR3 RDIMM(最高 DDR3-1600)和 DDR3L RDIMM(最高 DDR3L-1333)。
- 單/雙/四列 RDIMM 模塊。
?4. 封裝與引腳?
- ?封裝?:176 球 BGA(8mm×13.5mm,0.65mm 球間距),優(yōu)化高密度 DIMM 布局。
- ?引腳配置?:
- 支持前/后配置(通過(guò) MIRROR 引腳選擇)。
- 保留引腳(如 A9、W7)需懸空或焊盤(pán)預(yù)留。
?5. 電氣特性?
- ?絕對(duì)最大額定值?:
- 電源電壓:-0.4V 至 +1.975V。
- 工作溫度:依速度等級(jí)不同(DDR3-800 至 DDR3-1600)為 +103°C 至 +109°C。
?6. 附加信息?
-
CMOS
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驅(qū)動(dòng)器
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152436 -
DRAM
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187468 -
信號(hào)完整性
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時(shí)鐘輸出
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