有消息表示，處理器龍頭廠商英特爾在 5 納米節(jié)點上將會放棄 FinFET 電晶體，轉(zhuǎn)向 GAA 環(huán)繞柵極電晶體。

此前，英特爾（Intel）的財務長 George Davis 在公開場合表示，目前除了 10 納米產(chǎn)能正在加速之外，英特爾還將恢復制程技術領先的關鍵部分寄望在未來更先進制程的發(fā)展上，包括英特爾將在 2021 年推出 7 納米制程技術，并且將在 7 納米制程的基礎上發(fā)展出 5 納米制程。

據(jù)悉，隨著制程技術的升級，芯片的電晶體制作也面臨著瓶頸。英特爾最早在 22 納米的節(jié)點上首先使用了 FinFET 電晶體技術，當時叫做 3D 電晶體，就是將原本平面的電晶體，變成立體的 FinFET 鰭式場效電晶體，不僅提高了芯片的性能，也降低了功耗。之后，F(xiàn)inFET 電晶體也成為全球主要晶圓廠制程發(fā)展的選擇，一直用到現(xiàn)在的 7 納米及 5 納米制程節(jié)點上。

目前在 GAA 電晶體上也有多種技術發(fā)展路線。如之前三星提到自家的 GAA 電晶體相較于第一代的 7 納米制程來說，能夠提升芯片 35%的性能，并且降低 50%的功耗以及 45%的芯片面積。對于三星而言，GAA 電晶體就已經(jīng)有這樣的效能，而英特爾在技術實力上會比三星要更加強大，未來英特爾在 GAA 電晶體的發(fā)展上，期提升效能應該會更加明顯。

另外，其競爭對手臺積電目前在 2020 年首季準備量產(chǎn) 5 納米制程上，依舊采用 FinFET 電晶體。但是，到了下一世代的 3 納米節(jié)點，目前臺積電還尚未公布預計的制程方式。根據(jù)臺積電官方的說法，其 3 納米相關細節(jié)將會在 2020 年的 4 月 29 日的的北美技術論壇上公布。

目前，英特爾 5 納米制程的問世時間也還沒明確的時間表。不過，英特爾之前提到 7 納米之后制程技術發(fā)展周期將會回歸以往的 2 年升級的節(jié)奏上，因此就是表示最快 2023 年就能見到英特爾的 5 納米制程技術問世。