據(jù)TOMSHARDWARE報道，臺積電表示其部署的極紫外光（EUV）光刻工具已占全球安裝和運行總量的50%左右，這意味著其使用的EUV機(jī)器數(shù)量超過了業(yè)內(nèi)其他任何一家公司。為了保持領(lǐng)先，臺積電已經(jīng)下單訂購了至少13臺ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)，將會在2021年全年交付，不過具體的交付和安裝時間表尚不清楚。

同時，明年臺積電實際需求的數(shù)量可能是高達(dá)16到17臺EUV光刻機(jī)。

目前，臺積電使用ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)在其N7+以及N5節(jié)點上制造芯片，但在未來幾個季度，該公司將增加N6（實際上將在2020年第四季度或2021年第一季度進(jìn)入HVM）以及同樣具有EUV層的N5P工藝。臺積電對EUV工具的需求正在增加是因為其技術(shù)越來越復(fù)雜，更多地方需要使用極紫外光刻工具處理。臺積電的N7+使用EUV來處理最多4層，以減少制造高度復(fù)雜的電路時多圖案技術(shù)的使用。

根據(jù)ASML的官方數(shù)據(jù)，2018年至2019年，每月產(chǎn)能約4.5萬片晶圓（WSPM），一個EUV層需要一臺Twinscan NXE光刻機(jī)。隨著工具生產(chǎn)效率的提高，WSPM的數(shù)量也在增長。如果要為一個準(zhǔn)備使用N3或更先進(jìn)節(jié)點制造工藝的GigaFab（產(chǎn)能高于每月10萬片）配備設(shè)備，臺積電在該晶圓廠至少需要40臺EUV光刻設(shè)備。

ASML最新推出的Twinscan NXE:3400B和NXE:3400C光刻系統(tǒng)價格相當(dāng)昂貴。早在10月份，ASML就透露，其訂單中的4套EUV系統(tǒng)價值5.95億歐元（約合7.03億美元），因此單臺設(shè)備的成本可能高達(dá)1.4875億歐元（1.7575億美元）。也就是說，13套EUV設(shè)備可能要花費臺積電高達(dá)22.84億美元。

但在EUV工具方面，錢并不是唯一的考慮因素。ASML是唯一生產(chǎn)和安裝EUV光刻機(jī)的公司，它的生產(chǎn)和安裝能力相對有限。在對其生產(chǎn)工藝進(jìn)行調(diào)整后，該公司認(rèn)為可以將單臺機(jī)器的周期縮減到20周，這樣一來，每年的產(chǎn)能將達(dá)到45到50套系統(tǒng)。

今年的前三季度，ASML已經(jīng)出貨了23臺EUV光刻機(jī)，預(yù)計全年銷售量比2020年原計劃的35臺少一點。截至目前，ASML已累計出貨83臺商用EUV光刻機(jī)（其中包括2015年第一季度至2020年第三季度銷售的NXE:3350B、NXE:3400B和NXE:3400C）。如果臺積電官方關(guān)于擁有全球已安裝和運行Twinscan NXE光刻機(jī)中約50%這個說法是正確的，那么目前可能已經(jīng)擁有30至40臺EUV光刻機(jī)。

臺積電當(dāng)然不是唯一采購大量EUV光刻機(jī)的半導(dǎo)體制造商。三星目前只使用EUV工藝來生產(chǎn)其7LPP和5LPE SoC以及一些DRAM，但隨著三星晶圓廠擴(kuò)大EUVL工藝在生產(chǎn)上的應(yīng)用，三星半導(dǎo)體也提高了基于EUV工藝的DRAM的生產(chǎn)，最終將不可避免地采購更多的Twinscan NXE光刻機(jī)。預(yù)計英特爾也將在2022年開始使用其7nm節(jié)點生產(chǎn)芯片時，將開始部署EUVL設(shè)備，很可能在未來幾年成為EUVL設(shè)備的主要采用者之一。

未來幾年全球?qū)UV光刻機(jī)的需求只會增加，但從目前的情況來看，在未來一段時間內(nèi)，臺積電仍將是這些光刻設(shè)備的主要采購者，三星和英特爾將緊隨其后。

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