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新型半導(dǎo)體柔性透明儲(chǔ)能器件研制成功 綜合性能為目前最優(yōu)

ss ? 來源:愛集微APP ? 作者:愛集微APP ? 2021-02-02 15:55 ? 次閱讀
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集微網(wǎng)消息,據(jù)中國(guó)科學(xué)報(bào)報(bào)道,中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所黃富強(qiáng)團(tuán)隊(duì)研制成功一種新型透明半導(dǎo)體柔性透明儲(chǔ)能器件,綜合性能優(yōu)于目前報(bào)道的所有透明儲(chǔ)能器件。

據(jù)介紹,在柔性透明儲(chǔ)能器件中,透光率和能量密度相互影響,提升單一性能往往導(dǎo)致另一性能的大幅下降,同時(shí)還需提高儲(chǔ)能器件的容量,這些都帶來了極大的挑戰(zhàn)。

為此,研究人員通過合理的晶體摻雜設(shè)計(jì),成功制備了一系列間隙硼摻雜的介孔寬禁帶半導(dǎo)體氧化物(氧化錫、氧化鋅及氧化銦)。

在這一類新型的透明半導(dǎo)體氧化物中,間隙硼原子不僅能夠大幅度提升摻雜材料的載流子濃度,為羥基的嵌入提供豐富的結(jié)合位點(diǎn),還在間隙摻雜位上引發(fā)與OH-的贗電容電化學(xué)反應(yīng),從而將贗電容惰性的氧化錫、氧化鋅和氧化銦,轉(zhuǎn)化為高電化學(xué)活性的超級(jí)電容器電極材料。

通過控制間隙硼摻雜的濃度,這一類介孔透明半導(dǎo)體氧化物的體積比容量可以達(dá)到每立方米1172毫法拉,實(shí)現(xiàn)與其他非透明金屬氧化物的贗電容性能相近。

目前,相關(guān)研究成果已發(fā)表于《自然—通訊》。

責(zé)任編輯:xj

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