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國(guó)博電子科創(chuàng)板IPO再進(jìn)一程!

MEMS ? 來(lái)源:創(chuàng)新江寧 ? 作者:創(chuàng)新江寧 ? 2021-06-25 16:43 ? 次閱讀
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近日,招商證券在中國(guó)證監(jiān)會(huì)官網(wǎng)披露關(guān)于南京國(guó)博電子股份有限公司(下稱“國(guó)博電子”)首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市輔導(dǎo)工作總結(jié)的報(bào)告。這意味著,繼1月份輔導(dǎo)備案登記后,國(guó)博電子科創(chuàng)板IPO再進(jìn)一程。

據(jù)中國(guó)電科第五十五研究所發(fā)布的信息顯示,南京國(guó)博電子有限公司是其下屬控股公司,專業(yè)從事集成電路、射頻微波模塊及子系統(tǒng)研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,具有30多年射頻微波集成電路、模塊產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),是國(guó)家五部委認(rèn)定的“國(guó)家規(guī)劃布局內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)”,江蘇省“高新技術(shù)企業(yè)”。公司產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、微波毫米波通信、衛(wèi)星通信等系統(tǒng),打破了國(guó)外的技術(shù)壟斷。

2019年,國(guó)博電子副總經(jīng)理錢(qián)峰曾公開(kāi)表示,公司在基站和終端的小信號(hào)產(chǎn)品以及中功率產(chǎn)品方面都實(shí)現(xiàn)了批量化的量產(chǎn),目前正在進(jìn)入的領(lǐng)域主要有氮化鎵的大功率的器件,以及毫米波的基站的多通道硅基相控陣芯片以及III-V族毫米波射頻收發(fā)前端芯片。

6月22日,創(chuàng)道投資合伙人步日欣向《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者表示,國(guó)博電子做的方向確實(shí)是通信的核心環(huán)節(jié)(基站射頻和毫米波),而且氮化鎵功率器件和射頻器件都會(huì)是未來(lái)有潛力的領(lǐng)域。國(guó)博電子科創(chuàng)板IPO對(duì)于移動(dòng)通信,特別是5G,有著重要意義。且從該公司產(chǎn)品領(lǐng)域和技術(shù)含量看,也是在解決通信產(chǎn)業(yè)短板問(wèn)題,很符合科創(chuàng)板的硬科技定位。

天眼查信息顯示,國(guó)博電子成立于2000年11月27日,2020年1月,國(guó)博電子新增共青城中惠科元投資合伙企業(yè)(有限合伙)等股東,注冊(cè)資本從5700多萬(wàn)元增加至2.11億元,去年底公司完成股改,注冊(cè)資本增加至3.6億元。

此外值得注意的是,國(guó)博電子正在建設(shè)一個(gè)總投資超30億元的重大項(xiàng)目。

資料顯示,2018年,國(guó)博電子在南京江寧開(kāi)發(fā)區(qū)啟動(dòng)了“射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化”建設(shè)項(xiàng)目,該項(xiàng)目被列為南京市重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目,2019年被江蘇省列為省級(jí)重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目。項(xiàng)目投資超過(guò)30億元,占地200畝,針對(duì)5G及新一代移動(dòng)通信應(yīng)用的射頻集成電路,進(jìn)行覆蓋設(shè)計(jì)、芯片制造和封測(cè)的全產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)。

據(jù)認(rèn)證信息為“南京江寧區(qū)科學(xué)技術(shù)局”的公眾號(hào)“創(chuàng)新江寧”今年2月消息,該項(xiàng)目正在緊張施工,目前部分廠房已主體封頂,預(yù)計(jì)今年年底正式投產(chǎn)。建成后,將形成年產(chǎn)化合物半導(dǎo)體原片6萬(wàn)片、射頻基礎(chǔ)電路5億只、射頻模塊1000萬(wàn)只的設(shè)計(jì)制造能力,滿足5G及未來(lái)移動(dòng)通信基站和終端市場(chǎng)需求。

而此前有媒體報(bào)道稱,上述“年產(chǎn)化合物半導(dǎo)體原片6萬(wàn)片”,為“6英寸工藝氮化鎵(GaN)射頻功率器件制造”。

步日欣認(rèn)為,目前市場(chǎng)很需要這種國(guó)產(chǎn)氮化鎵項(xiàng)目,國(guó)博電子6萬(wàn)片 “6英寸工藝氮化鎵(GaN)射頻功率器件制造”正式投產(chǎn)后,對(duì)行業(yè)來(lái)說(shuō)將是很大的突破。

編輯:jq

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原文標(biāo)題:射頻芯片公司國(guó)博電子科創(chuàng)板再進(jìn)一程,30億元投資項(xiàng)目年底投產(chǎn)

文章出處:【微信號(hào):MEMSensor,微信公眾號(hào):MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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