DRAM主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō),周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性,因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。
DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有訪問(wèn)速度較慢,耗電量較大的缺點(diǎn)。與大部分的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)一樣,由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會(huì)在電力切斷以后很快消失,因此它屬于一種易失性存儲(chǔ)器設(shè)備。
JSC濟(jì)州半導(dǎo)體是全球最大的移動(dòng)應(yīng)用解決方案提供商之一的DRAM廠家。
JSC濟(jì)州半導(dǎo)體LPDRAM產(chǎn)品線主要包括LPDRAM (KGD),LPDRAM (SDR/DDR1),LPDRAM (DDR2),LPDRAM (DDR4x),產(chǎn)品更新到16Gb的容量,LPDRAM 有幾種 Block Refresh PASR(部分陣列自刷新、自動(dòng) TCSR(溫度補(bǔ)償自刷新)根據(jù)芯片溫度改變刷新周期、根據(jù)使用情況改變驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度的模式、DPD 深度掉電)模式等。
LPDRAM可為計(jì)算設(shè)備、手機(jī)以及汽車信息娛樂(lè)系統(tǒng)提供各種特性和功能。用更低的功耗、更少的時(shí)間和空間來(lái)設(shè)計(jì)應(yīng)用。提供各種低功耗DRAM (LPDRAM),這些器件具有低功耗、高性能、各種密度選項(xiàng)和寬溫度范圍,可充分利用各類設(shè)計(jì)。更多產(chǎn)品相關(guān)詳情及技術(shù)支持、解決方案咨詢JSC官方代理英尚微電子。
LPDDR4X產(chǎn)品型號(hào)
| Type | Part Number | Density | BUS | Voltage | Max Frequency | Package Type | Status |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LPDDR4x2CHx32 | JSL4BAG329ZAMF-05 | 16Gb | x32 | 1.8V/0.6V | 1866Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x2CHx32 | JSL4BAG329ZAMF-05A | 16Gb | x32 | 1.8V/0.6V | 2133Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x2CHx32 | JSL4A8G329ZAMF-05 | 8Gb | x32 | 1.8V/0.6V | 1866Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x2CHx32 | JSL04A8G329ZAMF-05A | 8Gb | x32 | 1.8V/0.6V | 2133Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x1CHx16 | JSL4B8G168ZAMF-05 | 8Gb | x16 | 1.8V/0.6V | 1866Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x1CHX16 | JSL4B8G168ZAMF-05A | 8Gb | x16 | 1.8V/0.6V | 2133Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x1CHx16 | JSL4A4G168ZAMF-05A | 4Gb | x16 | 1.8V/0.6V | 2133Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
| LPDDR4x1CHx16 | JSL4A4G168ZAMF-05 | 4Gb | x16 | 1.8V/0.6V | 1866Mhz | 200B(10.0x15.0mm) | Sample Now |
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