下一代氮化鎵帶來MHz級性能，減少超過60%元件數(shù)量及電路尺寸

2022年9月7日——加利福尼亞州埃爾塞貢多訊，唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS），今日發(fā)布了半導(dǎo)體行業(yè)首個GaNSense半橋氮化鎵功率芯片。相比于現(xiàn)有的分立式方案，半橋功率芯片可實現(xiàn)MHz級的開關(guān)頻率，將有效降低系統(tǒng)損耗和復(fù)雜度。

GaNSense半橋氮化鎵功率芯片集成了兩個GaN FETs 和驅(qū)動器，以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護功能，為電子元件創(chuàng)建了一個易于使用的系統(tǒng)構(gòu)建塊。相較分立式方案，革命性的單片集成方案能有效減少60%的元件數(shù)量及布局結(jié)構(gòu)，進而減少系統(tǒng)成本、尺寸、重量與復(fù)雜性。

集成的GaNSense技術(shù)實現(xiàn)了前所未有的自動保護，提升了系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)定性，并結(jié)合了無損電流感測，達到更高層級的效率和節(jié)能水平。

高度的集成解決了電路寄生和延遲問題，使得廣泛的AC-DC電源拓撲包括LLC諧振、非對稱半橋（AHB）、有源鉗位反激（ACF）在MHz頻率下的運行成為了可能。GaNSense半橋氮化鎵功率芯片同時還完美適配圖騰柱PFC以及其他電機驅(qū)動的應(yīng)用。

GaNSense半橋芯片預(yù)計會對納微半導(dǎo)體所有的目標市場產(chǎn)生重大影響，如手機移動快充、消費電子電源、數(shù)據(jù)中心電源供應(yīng)、太陽能逆變器、能源儲存以及電動汽車應(yīng)用。

“在70年代末80年代初，雙極晶體管被硅MOSFET取代。而納微半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù)的問世，代表了第二次電源革命——開關(guān)頻率和效率極大提高，系統(tǒng)尺寸和成本大幅銳減。我們早期的GaNFast氮化鎵功率芯片已經(jīng)實現(xiàn)了從50-60kHz到200-500kHz的跨越，如今，GaNSense半橋芯片更是將這些優(yōu)勢帶到了MHz的級別。氮化鎵的革命仍在持續(xù)！”

——納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人

Gene Sheridan

初代GaNSense半橋氮化鎵功率芯片系列產(chǎn)品，包括了NV6247（2×160mΩ），額定電壓為650V，以及NV6245C（2×275mΩ），二者均采用工業(yè)標準、薄型、低電感的6 x 8mm PQFN封裝。

其中，NV6247將立刻進入量產(chǎn)，交付周期為16周；NV6245C目前將對部分客戶發(fā)送樣品，預(yù)計將在2022年的第四季度面向所有客戶進行量產(chǎn)。接下來的幾個季度，我們將陸續(xù)推出采用更多封裝方式和更廣功率級別的GaNSense半橋氮化鎵功率芯片。更多細節(jié)，歡迎您參考納微半導(dǎo)體的AN018應(yīng)用手冊。