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納微半導(dǎo)體雙向氮化鎵開關(guān)深度解析

納微芯球 ? 來源:納微芯球 ? 2025-06-03 09:57 ? 次閱讀
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前不久,納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。

在這款幾乎“理想”的雙向開關(guān)誕生之前,“兩級”變換幾乎成為了高壓功率應(yīng)用的既定法則:先PFCDC-DC,還要依賴龐大的 “直流鏈路” 電容器電路設(shè)計師只能忍受體積龐大、損耗高、結(jié)構(gòu)復(fù)雜且成本高昂的電路系統(tǒng)。

而現(xiàn)在,納微的雙向氮化鎵開關(guān),能夠輕松實現(xiàn)雙向的電壓阻斷和雙向的電流導(dǎo)通,搭配獨家的IsoFast高速隔離驅(qū)動器,將兩級拓?fù)湔蠟楦咚?、高效的單級,同時省去了龐大的電容與輸入電感,打造了電力電子的新范式。

01什么是雙向氮化鎵開關(guān)?

雙向GaNFast氮化鎵功率芯片功效上 = 兩個“背靠背”連接的氮化鎵功率開關(guān)。

但其物理結(jié)構(gòu)實為尖端的單芯片設(shè)計(單片集成),通過合并漏極結(jié)構(gòu)、雙柵極控制及集成受專利保護(hù)的有源基板鉗位技術(shù),實現(xiàn)雙向開關(guān)的突破。

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02高度集成,一顆更比四顆強

得益于高度集成和雙向特性,1顆高速、高效的雙向GaNFast氮化鎵功率芯片可替代最多4顆傳統(tǒng)硅基芯片,提高系統(tǒng)性能的同時減少外部元件的數(shù)量、PCB占位面積和系統(tǒng)成本 。

這意味著:

更高的系統(tǒng)效率

MHz級的轉(zhuǎn)換頻率

可靠性提升

簡化電路設(shè)計

減少無源器件成本

減少PCB面積

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03單極拓?fù)?— 電力電子的終極方案

目前,超過70%的高壓功率變換器采用雙級拓?fù)?,例?a target="_blank">AC-DC變換器需先經(jīng)PFC級,再經(jīng)DC-DC級,并依賴笨重的直流母線電容緩沖,復(fù)雜的架構(gòu)導(dǎo)致此類系統(tǒng)體積龐大、能效低下且成本高昂。

雙向GaNFast氮化鎵技術(shù)將兩級整合為單級高頻高效架構(gòu),徹底消除母線電容與輸入電感,成為電力電子的終極解決方案。

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04單級轉(zhuǎn)換器典型應(yīng)用案例

雙向GaNFast氮化鎵開關(guān)通過將交流輸入電壓直接轉(zhuǎn)換為校正和受控的交流或直流輸出電壓,推動拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)升級。目標(biāo)市場涵蓋電動汽車充電(車載充電機OBC及充電樁)、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)和電機驅(qū)動。

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05關(guān)鍵的“有源基板鉗位技術(shù)”

雙向氮化鎵器件需處理雙向電壓,因此需獨立柵極根據(jù)極性控制電流方向。為此,納微在硅襯底上生長 GaN/Al GaN外延層,形成2DEG導(dǎo)電溝道,器件結(jié)構(gòu)包含兩個功率端子與兩個柵極。

然而,若僅采用該結(jié)構(gòu),硅襯底因與源極端子不相連而處于浮置狀態(tài),會導(dǎo)致襯底電位累積,并通過“背柵效應(yīng)”降低2DEG濃度,影響性能。

納微半導(dǎo)體專利的單片集成有源基板鉗位技術(shù),可自動將基板連接至電勢最低的源極端,消除”背柵效應(yīng)”,從而避免因基板電位失控導(dǎo)致的導(dǎo)通電阻。

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自動檢測并連接對應(yīng)源極至基板,實現(xiàn)最優(yōu)性能、效率及可靠性

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RSS(ON)低3倍, 溫升低15℃

06最佳輔助 - IsoFast高速驅(qū)動器

盡管雙向氮化鎵開關(guān)很強大,然而雙向的能量控制無法僅靠一顆功率器件完成,還需要一個專用驅(qū)動器來控制其兩個柵極,這兩個柵極必須能夠處理高瞬態(tài)條件、極高電壓隔離,并確保出色的信號完整性。在這種情況下,該器件能夠在超過5kV的電壓下工作,并可處理高達(dá)200V/ns的極端瞬變。

為此,納微半導(dǎo)體開發(fā)了專為氮化鎵/碳化硅器件的隔離與驅(qū)動優(yōu)化設(shè)計的IsoFast雙通道數(shù)字隔離型氮化鎵驅(qū)動器。其瞬態(tài)抗擾度較現(xiàn)有驅(qū)動器提升4倍(最高達(dá)200V/ns),且無需外部負(fù)壓供電,可在高壓系統(tǒng)中實現(xiàn)可靠、快速、精準(zhǔn)的功率控制。

特征 其他驅(qū)動 IsoFast 優(yōu)勢
瞬態(tài)抗擾度 50V/ns 200V/ns 提升4倍
(高頻GaN/SiC工況)
是否需要
負(fù)壓驅(qū)動
每顆BDS可減少10顆元件,
節(jié)省0.5美元
是否需要
穩(wěn)壓6V驅(qū)動
每顆BDS可減少8顆元件,
節(jié)省0.3美元
待機漏電流 10mA 0.3mA 待機效率顯著提升
輔助功能
(UVLO, 首脈沖)
啟動/關(guān)機存在毛刺 UVLO保護(hù)、純凈首脈沖 系統(tǒng)可靠性增強

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無需外部負(fù)偏置電源

07真實案例:太陽能微逆

紙上得來終覺淺,通過對比,我們能夠更好地了解雙向氮化鎵開關(guān)打造的單級變換的顯著優(yōu)點。

下圖是一個采用兩級拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)400W太陽能微型逆變器,其作用是將太陽能電池板的能量傳輸至儲能設(shè)備或電網(wǎng)。

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能量首先經(jīng)過DC-DC升壓變壓器,隨后通過400VDC母線將400V直流電轉(zhuǎn)換為交流電以并入電網(wǎng)。這種設(shè)計需要磁性元件、大容量電容以及多個開關(guān)元件。

接下來我們再來看看采用雙向氮化鎵開關(guān)的應(yīng)用,下圖展示了一家領(lǐng)先的太陽能微型逆變器制造商正在采用的單級雙向氮化鎵開關(guān)方案。

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該設(shè)計在顯著更小的外形尺寸下實現(xiàn)了更強的功率輸出(500W),省去了一個磁性元件,并減少了元件數(shù)量。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)將系統(tǒng)效率從96%提升至97.5%,同時將發(fā)電成本降低30%,從0.10美元/W降至0.07美元/W。

08雙向氮化鎵開關(guān)產(chǎn)品組合

料號# Vcont Vdyn RSS(ON)
typ
Iss @25°C (A) 封裝 量產(chǎn)
狀況
NV6428 650V 800V 50mΩ 49 TOLT 現(xiàn)貨
NV6427 650V 800V 100mΩ 25 TOLT 現(xiàn)貨

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原文標(biāo)題:一顆更比四顆強!納微雙向氮化鎵開關(guān)為什么這么牛?

文章出處:【微信號:納微芯球,微信公眾號:納微芯球】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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