前期我們從工作電壓,頻率,容量等產(chǎn)品規(guī)格,prefetch/burst length內(nèi)部訪問(wèn)方式的角度介紹了DDR3/DDR4/LPDDR4(X)的一些主要feature及區(qū)別。
【芯科普】從DDR3到LPDDR4(X),看產(chǎn)品細(xì)分差異優(yōu)化發(fā)展
話題一
DDR3/DDR4/LPDDR4接口差異
今天我們從接口實(shí)現(xiàn)上看一下其差異,通過(guò)上一篇對(duì)于其三者區(qū)別的分析,可以看到三者的不同點(diǎn)從外部來(lái)看主要是通過(guò)不同的接口來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此我們今天具體來(lái)從接口實(shí)現(xiàn)上來(lái)分析之間的差異。
1DDR3
DDR3的接口為SSTL(Stub Series Terminated Logic),匹配電阻上拉到VDDQ/2。

2DDR4
DDR4匹配電阻上拉到VDDQ,可稱為POD(Pseudo Open Drain),用以減少I(mǎi)O電流消耗。對(duì)DDR4的POD來(lái)說(shuō),drive High(logic level ”1” )幾乎不耗電,可以用這特點(diǎn)搭配DBI(Data bus inversion)來(lái)降低功耗。當(dāng)一個(gè)字節(jié)里的 ”0” bits比 ”1” bits多時(shí),可以使能DBI,將整個(gè)字節(jié)的“0”和“1”反轉(zhuǎn),這樣 “1” bits就會(huì)比“0” bits多,達(dá)到省電的效果。

3LPDDR4
LPDDR4的匹配電阻下拉到VSSQ, 稱為L(zhǎng)VSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic), 這樣可以更省電,LPDDR4靠NMOS 晶體管pull up,也可以工作在更低的電壓。

從上述DDR3到LPDDR4接口設(shè)計(jì)的演變的呈現(xiàn),其目的主要是是為了滿足產(chǎn)品對(duì)低功耗的要求,因此其工作電壓也變得越來(lái)越低。
除此之外,對(duì)速度的要求需要越來(lái)越高的頻率來(lái)實(shí)現(xiàn),這對(duì)信號(hào)質(zhì)量要求就會(huì)更高,因此用ODT(On Die Termination) 來(lái)實(shí)現(xiàn)impedance matching,減少反射波的影響,優(yōu)化數(shù)據(jù)眼(Data eye),在高速信號(hào)的傳輸中提高信號(hào)質(zhì)量。DDR2的termination開(kāi)始放在芯片上,之后output driver可與ODT的電路共用,靠電路控制實(shí)現(xiàn)Output driver與ODT的電路切換。信號(hào)質(zhì)量有多方面因素的影響,DDRPHY上的skew及Jitter,cross talk,inter symbol interface等等。
話題二
什么是DQS信號(hào)?
DDR(Double Data Rate) 在訪問(wèn)時(shí)接口上的DQS信號(hào)是源同步時(shí)鐘,在接收端使用DQS來(lái)讀出相應(yīng)的數(shù)據(jù)DQ, 上升沿和下降沿都能讀寫(xiě),稱為Double data rate。
讀
1在讀的階段
DQS由DRAM產(chǎn)生并發(fā)送給DDRPHY的控制器,DQS和DQ都和CLK的邊沿對(duì)齊(edge aligned),然后將數(shù)據(jù)傳給DDRPHY。
依時(shí)序從DRAM讀出數(shù)據(jù)傳給DDRPHY,在DDRPHY的接收器(Receiver)接收到信號(hào)后,會(huì)將DQS delay 90°,delay后的DQS邊沿和DQ的中心對(duì)齊(center-aligned),最后用DQS的上升沿與下降沿來(lái)采樣數(shù)據(jù)。

寫(xiě)
在寫(xiě)的階段
DQS由DDRPHY控制器產(chǎn)生并發(fā)送給DRAM,DQS和CLK的邊沿對(duì)齊(edge aligned),而DQ和CLK是中心對(duì)齊的(edge-aligned),DRAM就可以直接用DQS的上升沿和下降沿來(lái)采樣數(shù)據(jù)。

這期我們簡(jiǎn)單介紹了DDR接口的一些實(shí)現(xiàn)方式,主要區(qū)別以及高速信號(hào)的基本讀寫(xiě)操作。東芯半導(dǎo)體的DRAM產(chǎn)品都是符合國(guó)際接口規(guī)范的標(biāo)品,替換無(wú)壓力。具體的規(guī)格如下,歡迎關(guān)注并咨詢。
·DDR3(L)
| 密度/Density | 1Gb/2Gb/4Gb |
| 電壓/Voltage | 1.5V/1.35V |
| 溫度/Temperature | 0℃/-40℃~95℃ |
| 線寬/Bus Width | x8/x16 |
| 速度/Speed | 800Mhz/933Mhz |
| 封裝/Package | 78/96ball FBGA |
·LPDDR
| 密度/Density |
LPDDR1 128Mb/256Mb/512Mb/1Gb/2Gb LPDDR2 1Gb/2Gb/4Gb LPDDR4X 1Gb/2Gb |
| 電壓/Voltage |
LPDDR1 1.8V LPDDR2 1.8V/1.2V LPDDR4X 1.1V/0.6V |
| 溫度/Temperature | -40℃~85℃ |
| 線寬/Bus Width |
LPDDR1 x16/x32 LPDDR2 x16/x32 LPDDR4X x16/x32 |
| 速度/Speed |
LPDDR1 166Mhz/200MHz LPDDR2 400MHz/533MHz LPDDR4X 1600Mhz/1866Mhz/2133MHz |
| 封裝/Package |
LPDDR1 60/90ball FBGA/KGD LPDDR2 134ball FBGA LPDDR4X 200ball FBGA |
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關(guān)于東芯
東芯半導(dǎo)體以卓越的MEMORY設(shè)計(jì)技術(shù),專業(yè)的技術(shù)服務(wù)實(shí)力,通過(guò)國(guó)內(nèi)外技術(shù)引進(jìn)和合作,致力打造成為中國(guó)本土優(yōu)秀的具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司。
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原文標(biāo)題:【芯科普】DRAM產(chǎn)品低功耗設(shè)計(jì)與演化
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