18video性欧美19sex,欧美高清videosddfsexhd,性少妇videosexfreexxx片中国,激情五月激情综合五月看花,亚洲人成网77777色在线播放

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

首個(gè)在6英寸藍(lán)寶石襯底上的1700V GaN HEMTs器件發(fā)布

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來(lái)源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2024-01-25 10:17 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,廣東致能科技團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)等等合作攻關(guān),通過(guò)采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片,基于廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試平臺(tái),成功在6英寸藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。

相關(guān)研究成果于2024年1月發(fā)表于IEEE Electron Device Letters期刊。X. Li et al., “1700 V High-Performance GaN HEMTs on 6-inch Sapphire With 1.5 μm Thin Buffer,” IEEE Electron Device Lett., vol. 45, no. 1, pp. 84–87, Jan. 2024, doi: 10.1109/LED.2023.3335393.

cc974f32-baab-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

圖1:150mm GaN HEMT器件及外延結(jié)構(gòu)圖

實(shí)現(xiàn)這一器件所采用的GaN外延材料結(jié)構(gòu)包括1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。該外延結(jié)構(gòu)由廣東致能團(tuán)隊(duì)通過(guò)MOCVD方法在6英寸藍(lán)寶石襯底上外延實(shí)現(xiàn),其外延結(jié)構(gòu)如圖1所示。

1.5 μm的GaN緩沖層具有良好的晶體質(zhì)量和均勻性,晶圓級(jí)方塊電阻R□中值為342Ω/□,不均勻度為1.9 %。得益于絕緣的藍(lán)寶石襯底,緩沖層垂直漏電通道被切斷,外延/襯底界面處的橫向寄生通道也被顯著抑制。制備的LGD為30 μm的d - mode HEMT器件具有超過(guò)3000 V的高阻斷電壓(如圖2)和17Ω·mm的低導(dǎo)通電阻。

藍(lán)寶石上的薄緩沖層GaN技術(shù)可以顯著降低外延和加工難度,降低成本,使GaN成為1700 V甚至更高電平應(yīng)用的有力競(jìng)爭(zhēng)者。

ccafb068-baab-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

圖2:GaN HEMT器件耐壓特性以及HTRB結(jié)果

藍(lán)寶石襯底上高性能GaN HEMTs的成功展示和評(píng)估為即將到來(lái)的1700 V商用GaN器件提供了一個(gè)非常有前景的選擇。1.5 μm的薄緩沖層表現(xiàn)出非常高的均勻性、出色的耐壓能力和可忽略不計(jì)的電流崩塌。制備的GaN HEMT器件在3000 V以上兼顧了低RON和高VBD,并通過(guò)1700 V的長(zhǎng)期HTRB應(yīng)力初步驗(yàn)證了其魯棒性。

此外,高均勻性、廉價(jià)襯底、簡(jiǎn)單外延等優(yōu)勢(shì)勢(shì)必會(huì)加速降低成本,推動(dòng)GaN HEMT走向更廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域。

來(lái)源:西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心、致能科技




審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29611

    瀏覽量

    253156
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    2281

    瀏覽量

    78799
  • HEMT器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    3

    瀏覽量

    6731

原文標(biāo)題:聯(lián)合攻關(guān)成果!首個(gè)1700V GaN HEMT器件發(fā)布

文章出處:【微信號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號(hào):第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MOCVD技術(shù)丨實(shí)現(xiàn)6英寸藍(lán)寶石基板GaN基LED關(guān)鍵突破

    半導(dǎo)體照明與光電子領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)基發(fā)光二極管(LED)憑借其卓越性能,長(zhǎng)期占據(jù)研究焦點(diǎn)位置。它廣泛應(yīng)用于照明、顯示、通信等諸多關(guān)鍵領(lǐng)域。6
    的頭像 發(fā)表于 08-11 14:27 ?1019次閱讀
    MOCVD技術(shù)丨實(shí)現(xiàn)<b class='flag-5'>6</b><b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>藍(lán)寶石</b>基板<b class='flag-5'>GaN</b>基LED關(guān)鍵突破

    金剛石線鋸切割技術(shù)對(duì)藍(lán)寶石晶體切面表面形貌優(yōu)化研究

    隨著LED技術(shù)的迅速發(fā)展,藍(lán)寶石晶體作為GaN芯片的主要襯底材料,其市場(chǎng)需求不斷增加。金剛石線鋸技術(shù)藍(lán)寶石晶體切割中得到了廣泛應(yīng)用,
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:50 ?534次閱讀
    金剛石線鋸切割技術(shù)對(duì)<b class='flag-5'>藍(lán)寶石</b>晶體切面表面形貌優(yōu)化研究

    12英寸碳化硅襯底,會(huì)顛覆AR眼鏡行業(yè)?

    宣布研制出12英寸SiC晶錠,正式進(jìn)入12英寸SiC襯底梯隊(duì)。 ? 功率SiC市場(chǎng)短短幾年間殺成紅海,隨著產(chǎn)能不斷擴(kuò)張落地,上游襯底價(jià)格持
    的頭像 發(fā)表于 07-30 09:32 ?9557次閱讀

    兩款國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎

    兩款國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎
    的頭像 發(fā)表于 07-23 18:10 ?821次閱讀
    兩款國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>1700V</b> SiC MOSFET<b class='flag-5'>在</b>逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎

    浮思特 | 工程襯底GaN功率器件實(shí)現(xiàn)更高的電壓路徑

    橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。將這一材料體系擴(kuò)展至更高電壓等級(jí)需要器件設(shè)計(jì)和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)了臺(tái)灣研究團(tuán)隊(duì)工程
    的頭像 發(fā)表于 05-28 11:38 ?484次閱讀
    浮思特 | <b class='flag-5'>在</b>工程<b class='flag-5'>襯底</b><b class='flag-5'>上</b>的<b class='flag-5'>GaN</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>實(shí)現(xiàn)更高的電壓路徑

    12英寸碳化硅襯底,又有新進(jìn)展

    尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化
    的頭像 發(fā)表于 04-16 00:24 ?2504次閱讀

    氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

    氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
    的頭像 發(fā)表于 03-13 16:33 ?3698次閱讀
    氮化鎵系統(tǒng) (<b class='flag-5'>GaN</b> Systems) E-<b class='flag-5'>HEMTs</b> 的EZDriveTM方案

    GaN E-HEMTs的PCB布局經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

    GaN E-HEMTs的PCB布局經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:52 ?884次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> E-<b class='flag-5'>HEMTs</b>的PCB布局經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

    SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品

    近日,全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:46 ?779次閱讀

    利用GaN HEMTs降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的系統(tǒng)成本

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《利用GaN HEMTs降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的系統(tǒng)成本.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 01-23 08:30 ?0次下載
    利用<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMTs</b>降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的系統(tǒng)成本

    泰克與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體合作推進(jìn)1700V GaN器件

    1700V GaN器件高性能方面的卓越表現(xiàn),還為其高端應(yīng)用市場(chǎng)的進(jìn)一步拓展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。通過(guò)泰克科技先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備和專業(yè)團(tuán)隊(duì)的支持,雙
    的頭像 發(fā)表于 01-20 11:07 ?843次閱讀

    遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測(cè)試方案

    遠(yuǎn)山半導(dǎo)體連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V
    的頭像 發(fā)表于 01-14 09:42 ?1663次閱讀
    遠(yuǎn)山半導(dǎo)體<b class='flag-5'>1700V</b> <b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>器件</b>的特性測(cè)試方案

    碳化硅襯底,進(jìn)化到12英寸!

    人沒(méi)想到的是,8英寸碳化硅還遠(yuǎn)未大規(guī)模落地時(shí),12英寸碳化硅襯底就已經(jīng)悄然面世。 ? 天岳先進(jìn)發(fā)布300mm 碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?5048次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>襯底</b>,進(jìn)化到12<b class='flag-5'>英寸</b>!

    GaN,又有新突破?

    級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。該芯片采用PI專有的PowiGaN?技術(shù)制造而成,支持更高母線電壓的使用,是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC,更是首個(gè)超過(guò)1250V的氮化鎵器件
    的頭像 發(fā)表于 11-15 11:09 ?1087次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b>,又有新突破?

    Power Integrations推出1700V氮化鎵開關(guān)IC, 為氮化鎵技術(shù)樹立新標(biāo)桿

    ?-2系列單級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術(shù)制造而成,是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC。1700V額定耐壓進(jìn)一步提升了氮化鎵功率器件
    發(fā)表于 11-05 10:56 ?744次閱讀
    Power Integrations推出<b class='flag-5'>1700V</b>氮化鎵開關(guān)IC, 為氮化鎵技術(shù)樹立新標(biāo)桿