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      SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025年

      微云疏影 ? 來源：綜合整理 ? 作者：綜合整理 ? 2024-05-06 15:10 ? 次閱讀
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      5月6日，據(jù)韓國媒體The Elec與首爾經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，SK海力士在“AI時(shí)代，SK海力士藍(lán)圖和戰(zhàn)略”發(fā)布會上透露，其HBM4內(nèi)存的量產(chǎn)日期已經(jīng)提前至2025年。

      SK海力士宣布，計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議，原本預(yù)計(jì)HBM4內(nèi)存要等到2026年才會問世。

      HBM4的提前量產(chǎn)反映了AI領(lǐng)域?qū)τ诟咝阅軆?nèi)存的強(qiáng)烈需求，隨著AI處理器性能的提升，對內(nèi)存帶寬的要求也越來越高。

      The Elec預(yù)測，SK海力士將在HBM4內(nèi)存中采用1cnm制程的DRAM芯片，相較之下，現(xiàn)有的HBM3E產(chǎn)品則是基于1bnm制程；此外，基礎(chǔ)裸片部分可能會采用臺積電7nm系列工藝。

      SK海力士還在發(fā)布會上提到，基于MR-MUF鍵合技術(shù)的12層堆疊HBM3E內(nèi)存將于本月開始樣品生產(chǎn)，并于第三季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而未來的16層堆疊產(chǎn)品也將采用MR-RUF鍵合技術(shù)。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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